固体表面ゼータ電位・粒度分布測定 ＣＭＰスラリーとウェーハの評価
粒子径とゼータ電位からCMPスラリーとウェーハの静電相互作用を評価
半導体における洗浄プロセスでは、CMPスラリーより表面に吸着するパーティクルや金属不純物、有機物の物理的もしくは、化学的洗浄が行われます。物理洗浄によってパーティクルを剥離した後に洗浄後の再付着を防止することが必要となります。これらの研磨および洗浄条件の検討では、CMPスラリーおよびウェーハのゼータ電位を測定し、スラリーとウェーハの静電相互作用を評価することが有効です。 今回は、スラリーとウェーハそれぞれのpHタイトレーションを行い、ゼータ電位測定をおこないました。 CMPスラリーとウェーハの静電相互作用の詳細については、カタログダウンロードより技術資料をダウンロードをしてください。
- 企業：大塚電子株式会社
- 価格：応相談
