FZウェーハ FZシリコン製品 ガスドープドＦＺシリコン
汚染物質の少ないFZ法で製造された高品質・高純度・高抵抗のFZシリコンのご提供が可能です。
ガスドープFZシリコンは、単結晶の引き上げをドーパントガス中で行なう事によって、不純物をドーピングしたFZシリコンです。 弊社では高品質・高純度FZシリコンのご提供が可能です。 現在、FZシリコンは汚染物質の少なさから、既存のメモリーやDSPなどのICのみならず、MEMSやオプトセンサ分野にも幅広く使用されております。 詳しくはお問い合わせください。 ★Prime Grade FZ ingot（即納可能） 納品時にはメーカーのCofCをおつけします。 仕様 方位: (1-1-1) ± 2 deg. 直径(mm) : 101,60 ± 0,20 長さ(mm) : 200 - 400 第一オリフラ(mm) : 30,5 - 34,5 (1-10) +/- 1 Deg. 第二オリフラ(mm) : N.A. タイプ: N-type/Phosphorous ライフタイム(microsec) : 1000 抵抗値(ohm cm) 25°C. : 2032,00 抵抗値公差(ohm cm) : ±700,00 RRV [%] : N.A.
- 企業：株式会社エナテック 東京本社
- 価格：応相談
