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平滑なエッチング面と高い加工精度を実現！サンプルテスト対応いたします！
『SERIO』は、Si深掘り、石英の垂直加工、有機膜のエッチングなど 幅広い用途に対応する高密度プラズマエッチング装置です。 実績豊富なICPプラズマ電極を搭載し、平滑なエッチング面と高い 加工精度を実現。スキャロップの無い平滑なエッチングが可能で、 ナノインプリントモールドの作成に適しています。 平滑なエッチング側面、加工面の垂直性、開口部の角度制御などナノイン プリントモールドに必要な多くのプロセス性能を備えています。 【特長】 ■スキャロップの無い平滑なエッチング側面 ■高いSi深掘り時の垂直性（90°±2°） ■エッチングテーパー角の制御性 ■高開口度エッチングに対応 ■デモ機を常設 ■サンプルテストに対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
コンパクトなバッチタイプでサブミクロンのエッチングに対応、サンプルテスト対応によるプロセスサポートが特徴のプラズマエッチング装置
バッチタイプでサブミクロンのＳｉ酸化膜のエッチングに対応。 ＳｉＮ、Ｓｉ系薄膜だけでなく高融点金属や難エッチング材にも対応 石英の垂直性エッチング、厚膜レジストの微細加工等ニッチデバイスの加工に最適。 プラズマモード切替によるマルチステッププロセスでアッシングやクリーニングまで幅広い用途に積極対応
新プラズマ源ＨＣＤ（ホローカソード放電）電極搭載、各種メタルやＣｕ薄膜のエッチングに対応。大面積化も容易な新型エッチング装置.
新開発プラズマ源HCｄ（ホローカソード放電）型電極搭載。無磁場・無アンテナのシンプルなk構造で従来型電極より一桁高いプラズマを密度を実現。 独自開発高密度プラズマと独自プロセスで各種メタルだけでなくＣｕ薄膜などの難エッチング材のエッチングに対応。 新開発HCD型ヘッドはスケールアップが容易で矩形基板や大型基板の高精度エッチングが可能。 ３００ｍｍウェハや積層基板、最大１ｍ□までの基板のメタルエッチングに対応。 近年ニーズが高まっている半導体周辺部材（フォトマスク、高密度実装基板）をカバーする従来のプラズマエッチングにとらわれない新型エッチング装置
ニッチプな要求に細やかに対応。ライトエッチング・アッシングを薄ウェハや両面処理に、コンパクトタイプＣｔｏＣエッチング装置
薄ウェハ（１００μｍ以下）の自動枚葉搬送を実現したプラズマエッチング装置。マルチモードプラズマとステッププロセスで幅広いプロセスに対応 自然酸化膜除去から厚膜レジストアッシング・クリーニング・ディスカムまで。 ディスクリートＩＣ、パワーデバイス、化合物半導体・ＭＥＭＳなど多くのデバイスの量産現場で多様なプロセスで活躍中
シンプルな機構で高密度プラズマを実現。ウェハから１ｍ□基板まで対応。Ｓｉ系、メタル、有機膜、各種薄膜のダメージレスエッチング
従来型の容量結合型プラズマエッチング装置にくらべ一桁高い密度のプラズマを実現。高周波アンテナや磁石を使用せず、電極構造のみの工夫によって高精度エッチングが可能。従来型のエッチング装置（CCP型・ICP型）とのハード上の互換性も高く低コスト・高い信頼、稼働率の実現に寄与。 ウェハレベルの基板だけでなく大型基板のエッチングにも対応可能 基板の大型化にスムースに対応可能な新型高密度プラズマエッチング装置
ウェハやガラス・大型基板のエッチング・アッシングに実績豊富なバッチタイプエッチング装置。 半導体製造装置部品・材料にも対応
実績豊富なバッチタイププラズマエッチング装置「ＥＸＡＭ」をベースとし最大Φ６００ｍｍもしくは５００ｍｍ□までステージを拡大。 大型ステージでファインピッチのエッチング・各種有機物のアッシング・表面改質・クリーニングなど幅広いプロセスに対応 「従来機種ＥＸＡＭ」同様にウェハ・ガラス・セラミック基板のエッチングを行なうと共に大型実装基板・カット済みのフィルム基板のエッチング・クリーニング・表面処理にも実績豊富。 電子デバイスだけでな半導体製造装置部品や材料などくクリーンネスと繊細な表面処理が求められる大型製品の処理にも最適な新型ドライプロセスツール
