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ICの絶縁層を除去！フットプリントが小さく、費用対効果の高いシステム
当社では、半導体故障解析用プラズマ・エッチング装置を 取り扱っております。 電気的な特性を維持するために金属層を侵食させない、マルチレベルの デプロセッシングから、金属エッチングを含む、高い選択比で損傷のない プロセスまで、RIE、ICP-RIE FAソリューションは、最大200 mmまでの ダイ、パッケージダイおよびウェハーのサンプルでご使用可能。 ご用命の際は、お気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■ダイ、パッケージダイ、200mmウェーハのプロセス可能 ■蓄積されたプロセスノウハウは、オーバーエッチングを防止 ■フットプリントが小さく、費用対効果の高いシステム ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
フランスで設計・製造された業界最小、ウエハトレイのみ交換で2～12インチウエハ対応、Corial 300・500シリーズ
当社で取り扱っている、薄膜用PECVD・ドライエッチング装置 「SHUTTLELINE(R)」・バッチプロセス対応コンパクト300＆500シリーズ についてご紹介いたします。 成膜はPECVD。エッチングはRIE, ICP, ICP-RIE。 ユニークなウエハステージを使用することで、例えば2インチウエハであれば 1枚～最大27枚のバッチ処理可。 開発から量産までお使いいただけます。 【特長】 ■成膜装置PECVDは、チャンバーがコンパクト設計の上、自動クリーニングを 取り入れる事により、スループットを最大にする事が出来る ■エッチング装置は、運用コスト下げられるとの事で、多くのマイクロ LEDメーカーで採用 ■ウエハ片、フルウエハと多様なウエハサイズ・形状に対応 シャトルシステム(ウエハステージ)により、異なるサンプルサイズでも ハードウェアの変更が不要 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
故障解析、MEMS、光MEMS、先端パッケージングなど、幅広い市場向けのエッチング及び成膜が可能！
『Shuttleline200シリーズ』は、エッチング及びPECVDアプリケーション用の 柔軟でマルチパーパスなプラットフォームであり、独自のシャトルコンセプトの 採用により、小片からフルウェーハまで様々なサイズのサンプルに対応した ハンドリングが可能なマルチパーパスエッチング・成膜ソリューションです。 また、RIE、ICP、PECVD、ICP-CVD方式のプラズマ処理技術を可能とし、 R＆D用途及び少量生産に好適なプロセッシングを提供。 具体的には、故障解析、MEMS、光MEMS、先端パッケージング、 パワー半導体用プロセスなど、幅広い市場向けのエッチング及び 成膜が可能です。 【特長】 ■独自のシャトルコンセプトにより、幅広い基板の形状とサイズに 容易に適応可能 ■豊富なオプションと高いアップグレード性を備えた ユーザーフレンドリーな装置 ■RIE方式、ICP方式のエッチングなど高度で特定な要求に対応する マルチパーパス性 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
MEMS加工の精度と効率を向上！高精度エッチング・成膜技術をご紹介いたします。 ※4月16日 ～ 4月17日開催
プラズマ・サーモ・ジャパン株式会社は、東京・両国 国際ファッションセンタービル（KFC Hall)にて開催される 「MEMS Engineer Forum 2025」の技術展示コーナーに出展致します。 ＜展示内容＞ 1.高密度ラジカルによる低温・低ダメージエッチング・クリーニング装置 特許取得済みのHDRF技術（High density radical flux）により、MEMSの歩留低下原因を除去。 ２.これからの高周波デバイスや高速光変調導波路加工に不可欠な加工技術（イオン・ビーム・エッチング） 多層構造物の加工に適したイオン・ビーム・エッチング。ウエハステージのチルト機構により、側壁角度の調整が可能。 ３.化合物半導体のバッチ処理に適したプラズマ・エッチング、成膜装置 「シャトル」（ウエハキャリア）に複数枚のウエハを搭載し、バッチ処理が出来ます。少量産に適した装置。 皆様のご来場を心よりお待ちしております。 ※装置のカタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはお気軽にお問い合わせください。
