1～3 件を表示 ／ 全 3 件
工程で使用された洗浄液との関係を調査！洗浄液を濃縮し顕微FT-IRの透過法で分析実施！
当社で行った、ギア表面発錆原因調査についてご紹介いたします。 ギア製造工程内で錆発生。工程で使用された洗浄液との関係を調査しました。 洗浄液を濃縮し、顕微FT-IRの透過法で分析したところ、ギア錆部（歯先・ 側面）の有機物における全赤外吸収帯の位置と洗浄液の赤外吸収帯位置が 一致しました。 尚、無機分についてエネルギー分散型X線分析を実施し、同一元素を 検出しました。 【事例概要】 ■調査材：ギア製造工程内で錆発生、工程で使用された洗浄液との関係を調査 ■洗浄成分：洗浄液を濃縮し、顕微FT-IRの透過法で分析 ■ギア錆部分析 ■結果 ・ギア錆部（歯先・側面）の有機物における全赤外吸収帯の位置と 洗浄液の赤外吸収帯位置が一致 ・無機分についてエネルギー分散型X線分析を実施し、同一元素を検出 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
赤外吸収法により非破壊で格子間酸素・炭素濃度を定量
シリコン単結晶中の格子間酸素及び炭素原子濃度をFT-IR分析により非破壊で求めることが可能です。透過法により測定したスペクトルの格子間酸素または炭素による吸収のピーク高さから算出します。 算出方法は、電子情報技術産業協会（JEITA: Japan Electronics and Information Technology Industries Association）により規格されています。 格子間酸素原子濃度を算出した事例を以下に示します。
赤外吸収法によりSiN膜中のSi-H、N-Hを定量
SiN膜中のSi-H及びN-H濃度をFT-IR分析により求めることが可能です。SIMS等の分析でも、水素濃度を求めることは可能ですが、全水素濃度であり、Siと結合した水素及びNと結合した水素をそれぞれ求めることは出来ません。FT-IRではSi-H伸縮振動とN-H伸縮振動が別の位置にピークを持つため、それらのピークを利用して、それぞれの水素濃度を求めることが出来ます。 Si基板上SiN膜中のSi-H及びN-H濃度を求めた分析事例を下記に示します。
