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雰囲気制御下での前処理および深さ方向分析が可能です
p型・n型材料の活性層を使用するバルクへテロ接合型太陽電池では、膜内の材料の混合状態を適切に制御する必要があります。 成膜後アニール処理をすることで、開回路電圧の変化なくフィルファクターの向上に伴い光電変換効率の向上が見られた試料について、TOF-SIMS深さ方向分析を行いました。その結果、PEDOT:PSS層との界面において、アニール前ではPCBMが偏析していることがわかりました。
TOF-SIMS深さ方向分析による劣化評価
輝度が劣化した素子の有機層を大気に曝さずに前処理から深さ方向分析までを行った結果、通電後のサンプルではAlq3/発光層界面に拡散が見られました。 Slope Mapping（図1）およびイオンスパッタを利用した深さ方向分析（図2）の両方で同様の結果が得られています。
SiO2膜の不純物の評価
アルカリ金属であるLi、Na、Kは半導体における各種故障原因の要の元素です。これらは測定時に膜中を移動してしまう可動イオンと言われており、正確な分布を得ることが困難とされてきました。 今回、スパッタイオン源にGCIB(Arクラスター)を用いたTOF-SIMSの深さ方向分析を行うことにより、常温下の測定でもアルカリ金属の移動を酸素スパッタガンに比べ抑えられることがわかりました。この測定を行うことで、SiO2膜中の不純物について定性・定量分析を行うことが可能です。 測定法：TOF-SIMS 製品分野：LSI・メモリ・電子部品 分析目的：微量濃度評価 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。
断面構造解析やTOF-SIMSによる深さ方向分析を実施！表面コート層から金属までの成分の分布状態や発色成分を確認可能
金属表面の印刷層のできばえ評価として、断面加工により金属との接合状態や 発色成分の分散状態を観察できます。 また、表面からTOF-SIMSのGCIBを用いた深さ方向分析を行うことで表面コート 層から金属までの成分の分布状態や発色成分を確認できます。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【GCIB 特長】 ■イオンビーム1原子当たりのエネルギーが小さいため、有機膜などの 深さ方向分析に好適 ■膜の分子構造情報を反映した高質量数のフラグメントを検出可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
