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故障箇所特定から内部観察までを非破壊で実施する事が可能！高精度な発熱箇所の特定ができます
発熱解析は、電圧印加によってリーク箇所に発生する熱を高感度InSbカメラで 検出する事で不良箇所を特定する手法です。 ショートやリークに伴う微弱な発熱を高感度InSbカメラで検出する事で 半導体等の電子部品の故障部を非破壊で特定する事が可能。 更にX線検査装置を用いる事で非破壊での観察もできます。 【特長】 ■リーク箇所に発生する熱を高感度InSbカメラで検出する事で不良箇所を特定 ■サンプルを非破壊の状態で解析したり、OBIRCHやエミッションでは 解析が難しい電子部品を解析する事も可能 ■ロックイン機能を使用し、位相情報を取得する事で、高精度な発熱箇所の 特定が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
Si系パワーダイオードのリーク箇所非破壊分析
ロックイン発熱解析において、ホットスポットを絞るためには周波数を上げることが望ましいですが、一方で感度が悪くなってしまうという問題があります。そこで、高周波数側から低周波数側に測定条件を振っていき、発熱信号が得られ始める周波数を見際めることが重要となります。 本事例では円筒状のパッケージ品において、リーク電流に伴う発熱箇所を非破壊で特定した事例をご紹介します。このように液晶法では難しい立体構造の試料でも発熱箇所の特定を行うことが可能です。
半導体単体から、モジュール、実装基板など幅広い製品の観察が可能！
『ELITE』は、通電によって異常箇所を発熱させ、その発熱部位を 高感度赤外線カメラで観察することで、実装基板、電子部品内部、 半導体チップ内部の異常箇所を特定する発熱解析が可能な装置です。 最大約20cm角の広角カメラにより、大きな基板等のサンプルでも 解析可能。 また基板解析の経験は豊富にございますので、その経験を基に不良箇所の 特定や、断面解析による原因特定にも対応します。 【特長】 ■非破壊で不良解析ができ、サンプル加工などによる故障箇所喪失リスクがない ■半導体単体から、モジュール、実装基板など幅広い製品の観察が可能 ■一般的なマニュアル検査に比較して不良特定率が向上 ■赤外線強度データと位相データの解析により、不良部位のXYZ位置特定が可能 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
