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パワー半導体の前工程の検査として、ウエハー面に均一に多点で印加することで、半導体への負担を軽減します。
独創技術で開発された、優れた特徴を持つプローブです。 積層型プローブの特徴である、金属の板（プローブ）と、絶縁体の積層方式を応用し、パワー半導体専用の多点式積層プローブを開発しました。 【特長】 ■プローブ先端を波型にし、多点で半導体に接触。これにより電流、電圧を印加する量を分散でき、半導体への負担を軽減 ■垂直に1ミリ程度可動しますので、コンタクト痕を最小限に抑えることが可能 ■コンパクトな設計で、取り付けスペースの確保が容易 ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お問い合わせください
半導体への負担を軽減し、全数測定のリスクを軽減！様々なピッチへの対応を可能に
インクスの積層型プローブの特長についてご紹介します。 半積層型プローブは、一枚の金属板でコンタクトするので、構造的に 安定した接触抵抗で測定できます。 また、熱によるバネ性の劣化に強く、大電流、高電圧を印加する パワー半導体の測定に適しています。 狭ピッチに配列された接点や、半導体のリード部、コネクターの接点などに、 最大0.05ピッチまでコンタクトする事ができます。 さらに、プローブ本体の形状と、補助用のV字型板バネの厚みを変化させる事で、 高荷重から低荷重まで無段階に調整する事が可能です。 【特長】 ■接触抵抗値が安定（精密な測定に威力を発揮） ■大電流、高電圧に対応（パワー半導体への印加、測定に貢献） ■狭ピッチに対応（最大0.05ピッチまで可能） ■コンタクトする荷重を調整可能（測定物の個性に合わせたコンタクト） ※詳しくは外部リンクページをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
