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様々な形態の半導体で裏面研磨が可能！素子、不具合の様子の観察が出来ます
裏面OBIRCH/発光解析や裏面発光解析の前処理として各種形態のサンプルの 裏面研磨を行います。 これは、裏面から解析を行うため不可欠な前処理です。 裏面から解析することで、不良を保持したまま発光を検出できるだけでなく、 形状異常の有無も観察できます。 また、パッケージ、開封済みチップ、ウエハー等様々な形態の半導体で 裏面研磨ができ、さらにリード端子を生かした状態の裏面研磨も可能です。 【特長】 ■裏面解析は、電極による遮光や高濃度基板による光の減衰により 透過しないため、裏面研磨が必要 ■不良を保持したまま発光を検出できる ■形状異常の有無も観察できる ■リード端子を生かした状態の裏面研磨も可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
半導体ウエハーの加工委託、ベアダイ出荷委託は当社へお任せください！
半導体ウエハーのアセンブリ加工だけでも対応しております。 ・対応可能なウエハー径：6～12インチ ・ウエハーのバックグラインド加工（裏面研磨加工）のみ、レーザーグルービング/ブレードでのダイシング加工後の 出荷も可能です ・裏面研磨後のウエハー厚み分布を非接触、非破壊で測定 ・シャトルウエハーから任意のダイのみをピックアップし、ベアダイ出荷～パッケージ組立も可能です ・ウエハーテストの結果をマップでご提供いただければ、インクレスでの対応も可能です ・ダイの表裏面状態を各々 自動外観検査機で全数検査を行います ・ベアダイ出荷の場合、トレイまたはダイシングテープ、エンボステープ（リール）包装での出荷を選択いただけます 【事業内容】 ■半導体ウエハー御支給後の加工、出荷対応 ■ウエハー表裏面の自動外観検査 ■ダイ開発に伴う後半工程に於ける評価、解析
