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フラッシュメモリーの 詳細なメモリー構造解析レポート
本レポートは、Apple iPhone 6 Plusスマートフォンに採用されているSK Hynix H2JTDG8UD1BMS (16 GB、16nm ノード MLC NAND フラッシュメモリー) の詳細構造解析です。 本デバイスは 3 層メタル構造プロセス (第 1、2 金属層: W、第 3 金属層:Al)、ポリサイド製制御ゲート、ポリシリコン製の浮遊ゲートを使用して製造されています。メモリーアレイは、32nm のビット線ピッチおよび 38nm のワード線ピッチを特徴としています。 エアギャップが採用されており、隣接セル間のクロストークを低減します。 【特徴】 ○重要なデザインとマニュファクチャリング革新の理解 ○適切な情報に基づいた技術的な資源投資判断 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
インバータに加え、豊田自動織機製DCDCコンバータを内蔵したPCUを解析！
当社では、『TOYOTA Yaris(HV)搭載PCU(DCDCコンバータ：豊田自動織機製) 基板回路解析レポート』をご提供しております。 TOYOTAのYarisは従来方式(プリウスに搭載)であるTHS II(Toyota Hybrid System II)を 進化させたシステムを搭載しており、本レポートではその制御ユニットを 解析対象としています。 【レポート内容】 ■PCU分解(PCU裏面側からのDCDCコンバータモジュール取り出しのみ) ■DCDCコンバータモジュール分解 ■DCDCコンバータ基板の基板各層レイアウト、機能ブロック図、 詳細回路図、部品表 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
STMicroがどのように高温(Tj=200℃)連続動作を実現したのかを解析！
当社では、『高温動作パワートランジスタの解析レポート』を ご提供しております。 本レポートは、SiC系のSTMicro製のパワーMOSFET(SCT30N120)が どのようにして高温(Tj=200℃)での動作を実現したのかについて 着目して解析を行った技術レポートです。 【解析技術】 ■半導体チップ構造/材料(デバイス材料、熱膨張に対する技術について) ■ボンディングワイヤ(熱サイクルにより発生するクラックや剥離に 対する技術について) ■ダイアタッチ材の構造、材料(温度耐性に対する工夫について) ■モールド封止樹脂(特殊材料添加による温度耐性強化について) ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
優れた放熱パッケージ技術を採用し、その除熱回路を解析！
当社では、高度なPSiPで使用されるパッケージング技術を明確にするための 代表的な製品を選択して解析した『ANALOG DEVICES製PSiP(Power Supply in Package) LTM4700 uModuleレギュレータ構造・実装解析レポート』を ご提供しております。 本解析レポートでは、LTM4700製品のパフォーマンスを達成するために 使用される技術を明らかにしています。 【レポート内容】 ■大電流スイッチングMOSFETの構造とパッケージ配置 ■HS/LSハーフブリッジ、ソースダウン配置のLS FET ■シールドダブルポリSiトレンチMOSFET構造で面積効率が高い ■両面Cuリードフレームパッケージを解析 ■コントローラーICを特定 など ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
東芝デバイス&ストレージ SiC MOSFET(TW070J120B)について解析！
当社では、『東芝デバイス&ストレージ SiC MOSFET(TW070J120B) 構造解析、プロセス、デバイス特性解析レポート』をご提供しております。 プロセス・デバイス特性解析レポートでは、構造解析結果に基づき、 製造プロセスフローの推定、フォト/マスキングのプロセス工程数の見積、 N-エピ層(ドリフト層)のドーピング濃度分析、オン抵抗解析やブレークダウン 電圧の解析を行っています。 【解析のポイント】 ■構造解析レポート ・SiC-MOSFETの平面レイアウトおよび断面構造を明らかにしている ・本製品の特長であるSBD領域についての断面構造とSBDメタルのEDX分析を実施 ■プロセス・デバイス特性解析レポート ・Schottkyダイオード特性の測定を行い、他社SiC-MOSFET製品の 内蔵Bodyダイオード特性と比較している など ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
