半導体材料 半導体用銅めっき液
シリコン貫通電極 (Through Sillicon Via TSV)をはじめとする銅電極及び配線向けの電解めっき薬液
半導体デバイスの微細化・高速化にともない、シリコン貫通電極 (Through Sillicon Via TSV)が注目されています。当社ではTSVをはじめとする銅電極及び配線をターゲットとした電解めっき薬液の開発・製造を行っています。詳しくはカタログをダウンロード、もしくはお問い合わせください。
- 企業:株式会社ADEKA
- 価格:応相談
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シリコン貫通電極 (Through Sillicon Via TSV)をはじめとする銅電極及び配線向けの電解めっき薬液
半導体デバイスの微細化・高速化にともない、シリコン貫通電極 (Through Sillicon Via TSV)が注目されています。当社ではTSVをはじめとする銅電極及び配線をターゲットとした電解めっき薬液の開発・製造を行っています。詳しくはカタログをダウンロード、もしくはお問い合わせください。
無電解銅めっきの薄膜化を実現! 半導体パッケージ基板の微細回路の形成とビア接続信頼性の向上に 大きく貢献します!
近年、電子機器の小型化・高性能化にともない、半導体デバイスも微細化・高機能化しています。半導体デバイスとメイン基板を接続する半導体パッケージ基板にも、さらなる配線の微細化・ビアの小径化が求められています。 奥野製薬工業は、微細配線化の要求にお応えする製品を 新たに開発しました。 最高のビア接続信頼性 無電解銅めっき液:OPC FLETカッパー ・ビア底の結晶連続性が得られる ・従来浴は無電解銅めっき膜厚の低下により抵抗が大幅に増大する OPC FLETカッパーは、低膜厚でも良好な導電性を示す ・めっき析出速度をコントロール ・めっき時間とともに析出速度がゆるやかになり、銅上の析出を抑制する ・従来浴は表層の膜厚が過剰になりやすい OPC FLETカッパーは、低膜厚で十分なつきまわり性が得られる ・小径ビアの接続信頼性に優れる
無電解銅めっきの薄膜化を実現!接続信頼性に優れるセミアディティブ用無電解銅めっきプロセス
当社は、微細配線化の要求にお応えし、半導体パッケージ基板の高密度化に貢献する無電解銅めっきプロセス“OPC FLETプロセス”を新たに開発しました。 ビアホール内への均一な析出性に優れるOPC FLETカッパーに加え、プリント基板のスルーホールにも低膜厚で高信頼性が得られる無電解銅めっき薬品を新たに開発。 各種ご要望にお応えできる製品を取り揃えております。
シアン化合物を使用しないノンシアン銅めっき液
シアン化合物を使用しないノンシアン銅めっき液です。 ・シアン化合物の取扱を辞めたい。 ・天災や事故のリスクを減らしたい。 ・新たに銅めっきを始めたいが、シアン排水処理設備がない。 上記でお悩みの方は是非本製品をご検討下さい。 ●DAIN COPPER PSR-SZ ・亜鉛ダイカストなどの難素材でも銅置換が起こりにくく、密着性の良好なめっき皮膜が得られます。 ・シアンと同じ1価銅タイプめっき液(液外観:無色透明液体)です。 ・シアンと同等の析出速度が得られ、生産性が良好です。 ●DAIN COPPER PSR-STS ・銅、真鍮、鉄、アルミニウムのジンケート皮膜上に良好な密着性が得られます。 ・カバーリングが良好です。 ・銀めっき、ニッケルめっき、酸性銅めっきに対して良好な下地を 形成します。