【分析事例】素子分離領域の歪解析
NBD：Nano Beam Diffractionによる微小領域の歪解析
NBD法では電子線が試料中で回折する角度（電子回折スポット位置）の変化から、格子歪に関する知見を得ることができます。任意の晶帯軸入射方向で、デバイスパターンに合わせた測定が可能です。 素子分離領域（LOCOS周辺）のSi基板について測定した結果、熱処理温度・結晶方向によって歪量が異なっていることが確認できました。
- 企業：一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
- 価格：応相談
電子線回折装置 - メーカー・企業と製品の一覧
電子線回折装置の製品一覧
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低速電子線回折装置『LEED』
直径10mmの電子銃が、影面積を最小限に抑えてLEEDパターン像を取得
『LEED』は、OCI社製の低速電子線回折測定が出来る装置です。 当製品の電子銃は直径10mmで、スクリーンの視野が広く、電子銃による 影面積を最小限に抑えてLEEDパターン像を取得することができます。 また、レンズ部分をシリンダー構造にすることで、電子銃内の脱ガスが サイドスリットから効率的に排出されます。 オージェ電子分光測定機能や、MCP付き、直線駆動機構、シャッター、 画像取込装置など、多彩なオプションを測定目的に合わせて選択できます。 【特長】 ■直径10mmの電子銃で、スクリーンの視野が広い ■シリンダー状に、磁場の影響を防ぐためμ-metalを使用 ■デジタル制御電源は、LEED装置に必要な電圧と電流を デジタル制御により供給できる ■取付対応フランジはICF203、ICF152、ICF114の3タイプ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：シエンタ オミクロン株式会社
- 価格：応相談
RHEEDユニット『PHD-30K-034』
30kV対応かつコンパクトな制御電源！1Pa台まで使用可能な差動排気設計
『PHD-30K-034』は、超真空下で加速収束された電子線を基板に照射し、 表面キャラクタリゼーションを行うための反射高速電子線回析システムです。 コンパクトサイズでICF34フランジマウントの電子銃は、その小ささから 取り付けやメンテナンスが容易。 また、標準的な回折像観察に加えて、オプション追加により高圧条件下での 測定またはサンプル面内スキャン機能を実現することができます。 【特長】 ■30kV対応かつコンパクトな制御電源 ■1Pa台まで使用可能な差動排気設計 ■2段差動排気（オプション）により100Pa台でのモニター可能 ■スキャンコイル（オプション）による電子線スキャニングで、 同一条件での多数回折が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：株式会社パスカル
- 価格：応相談
