イオンエネルギー測定器
エッチングやスパッタ、成膜プロセス中のイオンエネルギーの測定ができます。
検出プローブは電極/基板ホルダーに取付け可能なので、実プロセスと同条件でプラズマの最適化が行えます。各種のバイアス条件(フローティング、DC、パルスDC、RF)下で測定ができます。 プラズマ放電中のプロセス内で以下の測定が可能です。 - イオンエネルギー分布 - イオンフラックス - イオンカレント - エレクトロンフラックスとエネルギー
- 企業:株式会社マツボー
- 価格:応相談
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エッチングやスパッタ、成膜プロセス中のイオンエネルギーの測定ができます。
検出プローブは電極/基板ホルダーに取付け可能なので、実プロセスと同条件でプラズマの最適化が行えます。各種のバイアス条件(フローティング、DC、パルスDC、RF)下で測定ができます。 プラズマ放電中のプロセス内で以下の測定が可能です。 - イオンエネルギー分布 - イオンフラックス - イオンカレント - エレクトロンフラックスとエネルギー