マイクロサンプリング法
FIB:集束イオンビーム加工
試料から直接小片を取り出し(マイクロサンプリング)、FIB加工を行うことができます。
- 企業:一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
- 価格:応相談
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FIB:集束イオンビーム加工
試料から直接小片を取り出し(マイクロサンプリング)、FIB加工を行うことができます。
FIB装置によりSi基板上に”マスクレス”でナノレベルの加工を狙った位置に高精度で行えます
FIB(Focused Ion Beam:集束イオンビーム)装置のエッチング加工でマスクレスで任意形状作成できます。 この事例ではでは以下サイズで50nmステップ毎のピラー作製を紹介しています。 ・円形:φ5μm ・ピラーの高さ:700nm/650nm/600nm ・ピラーの径:φ500 nm ぜひPDF資料をご一読ください。 また弊社はFIBによるICおよびLSIの回路修正を目的とした配線修正も強みとしております。 具体的には以下 ・配線の切断 ・配線の接続 ・特性評価用のテストパッドの作製 を短納期で行い、お客様のICおよびLSI開発のお手伝いをさせていただいております。 こちらもお気軽にご相談いただければ幸いです。 ※詳細が必要であればお気軽にお問い合わせ下さい。 セイコーフューチャークリエーション 公式HP https://www.seiko-sfc.co.jp/
数ミクロン以下のナノオーダーの加工技術!極低加速電圧による低ダメージ加工(高精度・高品位)が可能!
【PRポイント】 ○φ1um以下の超微細穴加工が可能 ○微細な構造加工が可能 ...etc 【集束イオンビーム(FIB)加工の原理】 数十ナノメートル程度に集束したイオンビームを試料表面で走査する事で発生した2次電子を検出し 顕微鏡像の観察、試料表面の加工が可能。FIBのイオン源にはガリウムイオンを使用しており、その イオンビームを試料の表面に照射すると、 試料表面から2次電子が発生すると共に、ガリウムイオンが電子と比較してはるかに重い事から、 試料を構成する原子をはじき出すいわゆるスパッタリング現象が発生し、はじき出された原子は 2次イオンとなって試料から飛び出します。これらの現象を利用することで、観察と加工を行います。 【仕様】 ・最大ワークサイズ 50(X)×50(Y)×10(Z)mm ・最小加工サイズ(目安) 溝幅:100nm(~L/D=3)、穴径φ200nm(~L/D=5) ・高プローブ電流による高速&大面積加工 ・極低加速電圧による低ダメージ加工(TEM試料作製等) ※加工例・実績例を掲載中です。詳しくはお問い合わせ、カタログをダウンロードしてご覧下さい。
弊社の強みであるFIBによる事例(めっき層内の異常個所発見方法やパターン描画、構造解析など)を多数ご紹介します。
弊社はFIB(集束イオンビーム加工装置)による加工を強みのひとつとしております。 当事例集では、FIBにおける事例についてご紹介します。 以下の目的、手法、結果など多数掲載しています。 ・FIBによるめっき層内の異常個所発見方法 ・FIBによるパターン描画 ・FIBによる微小対象物の断面作製 他にも、測定データや分析事例、特長などをご紹介しております。 ぜひ、ご一読ください。 【掲載内容】 ■FIBによるめっき層内の異常個所発見方法 ■FIBによるパターン描画 ■FIBによる微小対象物の断面作製 ■ナノレベル高精度加工 ■AFM表面測定及びFIB断面観察による構造解析 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。