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フォトダイオード(ダイ) - List of Manufacturers, Suppliers, Companies and Products

Last Updated: Aggregation Period:2025年10月08日~2025年11月04日
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フォトダイオード Product List

1~11 item / All 11 items

Displayed results

【光検出器・オプトカプラ】フォトダイオード ラインアップ一覧

カメラや煙探知器、安全装置など、日常的に利用するさまざまな電子機器で使用!

「フォトダイオード」は、光を電気信号に変換する半導体デバイスです。 光のセンサ又は検出器として使用されており、代表的なのは半導体のpn接合を 利用したフォトダイオード。 光がフォトダイオードに入射すると、半導体の接合部分の電子が励起され、電流を 測定することにより光量を検出できます。 【ラインアップ(一部)】 ■フォトダイオード ams OSRAM 赤外線 Si スルーホール実装 5mm package ■フォトダイオード 浜松ホトニクス IR + Visible Light Si スルーホール実装 TO-18 ■フォトダイオード 浜松ホトニクス Full Spectrum Si スルーホール実装 TO-18 ■フォトダイオード ams OSRAM Full Spectrum Si スルーホール実装 3mm package ■フォトダイオード 浜松ホトニクス Full Spectrum Si スルーホール実装 TO-5 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

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  • ダイオード

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フォトダイオード

フォトダイオード

フォトダイオードは、超高速の光学イベントを検出するためのデバイスです。 光が当たると電気出力を生成し、内部ゲインはありませんが、広いダイナミックレンジで動作します。 PHOTEK社フォトダイオードの立ち上がり時間は100ps未満で、10mm、25mm、または40mm直径の光電入力面から選択できます。

  • その他理化学機器
  • 画像処理機器
  • その他画像関連機器

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フォトダイオード X100-7(半導体放射線検出器用)

本製品はドイツ FirstSensor社が開発したγ線、β線 放射線検出用フォトダイオードです。

本製品はドイツ First Sensor社が開発したガンマ線、ベータ線 放射線検出用フォトダイオードです。 受光面積が10 x10mmと大きく、また黒エポキシで斜光しており 感度向上とノイズ低減対策しております。 ピンタイプ、SMDタイプの両方を用意しており 実験、量産用と対応しております。

  • 光学測定器

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GaAs PIN-フォトダイオード PIN-PD ベアチップ

VCSEL光通信用に最適なGaAs PIN-フォトダイオード

■最大25Gbpsに対応 ■シングルチップ・アレイチップ(1×4/1×12)

  • レーザ部品
  • その他電子部品
  • その他半導体

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1000-2600nmフォトダイオード「1000-2600」

ガスのセンシングに最適!1000-2660nmまでの波長レンジを持つフォトダイオード

1000-2600nmフォトダイオード「1000-2600」は、 1000-2660nmまで波長レンジを持つフォトダイオード。 受光面は1-3mm、パッケージはTO-5です。 ガスのセンシングに使用します。 【特長】 ■スペクトル応答レンジ:1000-2600nm(typ) ■ピーク感度波長:1880nm(typ) ■応答性:0.9A/W(max) ■逆電圧:2V(max) ■暗電流:1.9mA ※詳しくはカタログをダウンロード、もしくはお問い合わせください。 ※カタログは英語版となります。

  • その他電子部品

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SPO2(動脈血酸素飽和度)向 フォトダイオード(PD)

■広いアクティブエリア■高い感受性■強い耐久性■ワイドアングル■チップオンPCB

◆メディカル向けセンサー◆各種光センサー◆選べる4パターン SPO2(動脈血酸素飽和度)を測定するための受光用フォトダイオードです。これらのフォトダイオードはスマートフォン,スマートウォッチ,メディカル端末に組み込まれ使用されます。 SJ SYSTEMはSPO2(動脈血酸素飽和度)をパルスオキシメーターで計る技術の専業メーカーであり、SPO2向けにLEDモジュール,PDモジュール,反射モジュールの製造販売を行っています。これらの製品はヘルスケアフィールドで使われ、スマートフォン,スマートウォッチで使用されております。

  • その他光学部品
  • その他理化学機器

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ピンフォトダイオードチップ/チップオンサブマウント型

波長は1300~1600nm!計測機器、データコム、FTTHなどの用途に使用可能

当製品は、InP基板上にMOCVD(Metal Organic Vapor Deposition)で 成長させたInGaAs材料を使用したフォトダイオードです。 1300nmから1600nmの広い動作波長範囲に対応した前面入射型で、 サブマウントに容易に実装することができます。 ご用命の際は当社へお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■InGaAs材料 ■平面的なZn拡散構造 ■直径70μmの受光部 ■前面入射型フォトダイオード ■高い応答性(0.85 A/W on a Wide Range (1300nm to 1600nm)) ※詳しくはPDF(英語版)をダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • レーザ部品

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【技術資料】光検出素子

光検出素子の概要を解説!技術資料を無料プレゼント中

フォトダイオード(PD )は、半導体の PN 接合部に光を照射したときにその光強度変化を電気信号(電圧、電流)に変換する受光素子です。フォトダイオードはその特性や構造によって、PNPD、PIN-PD、そして APDの3つに大分されています。各々の特性の違いを理解して、用途に応じて使い分けます。 【掲載内容のご紹介】 ・ フォトダイオードとは ・ フォトダイオードの用途 ・ フォトダイオードの構造と原理 ・ 等価回路 ・ フォトトランジスタ 光検出素子(フォトダイオード・フォトトランジスタ・光給電素子)の概要に関する解説資料を無料でプレゼントしています!詳しくはPDFをダウンロードしてご入手ください。 弊社の取り扱っているフォトダイオードについての詳細は、お気軽にお問い合わせください。

  • ダイオード

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[マーケットレポート]フォトダイオードの世界市場

フォトダイオードの世界市場がセンシング技術に明るい未来を照らし、目覚ましい成長を予測

世界のフォトダイオード市場は、2022年に約4億1,010万米ドルの売上を達成し、センシング技術を再定義しようとしている。データ収集と精密センシングの強化を約束するビジョンにより、業界の専門家は、この市場が2031年までに推定8億4,050万米ドルの収益に達すると予測している。この予想変換は、2023年から2031年までの予測期間中に8.3%という驚異的な複合年間成長率(CAGR)を強調するものである。 光センシングの縁の下の力持ちであるフォトダイオードは、光を電気信号に変換する上で極めて重要な役割を果たしており、通信システムや産業オートメーションから医療機器や環境モニタリングに至るまで、幅広いアプリケーションで正確な計測を可能にしている。世界がスマートソリューションとデータ主導の洞察に向かうにつれて、光信号を捕捉し解釈するフォトダイオードの役割が最も重要になる。 応募方法は[PDFダウンロード]ボタンからご確認いただくか、関連リンクから直接ご応募ください。

  • その他

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フォトダイオードとは?

光通信やリモコンなどの受信機や、カメラやスキャナーなどの画像センサーなどに使用!

フォトダイオードとは、光を電気に変えることができる半導体の部品です。 光通信やリモコンなどの受信機や、カメラやスキャナーなどの画像センサー などに使われています。 光がフォトダイオードに当たると、光のエネルギーが半導体素子の中の電子を 励起します。そして、この励起された電子は、電気信号として出力されます。 【特長】 ■光が当たると、光のエネルギーが半導体素子の中の電子を励起 ■励起された電子は、電気信号として出力 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • 技術書・参考書

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GaAsフォトダイオード OSI optoelectronics

◆GaAsフォトダイオード ◆GaAsを基にした半導体の光センサ ◆400から850nmに感度があり

アクティブエリアに入射された時にフォトカレントを発生するGaAsを基にした半導体の光センサです。 一般的に400から850nmに感度があります。 【フォトダイオードアレイ】 FCI-GaAs-XXmは、高速ファイバーレシーバやアプリケーションモニタ用にデザインされた4 から 12素子のGaAs PINフォトディテクターアレイです。 ●仕様 [モデル名:アクティブエリア・応答性・キャパシタンス・ダーク・カレント・最大逆電圧・最大フォワードカレント・バンド幅・ブレイクダウン・電圧・パッケージ] ・FCI-GaAS-4M:70um・0.63 A/W 850nm・0.65 pF・0.03 nA・20 V max・5 mA・2 GHz 850 nm・50 V・FCI-GaAS-4M ・FCI-GaAS-12M:70um・0.63 A/W 850nm・0.65 pF・0.03 nA・20 V max・5 mA・2 GHz 850 nm・50 V・FCI-GaAS-12M

  • その他計測・記録・測定器
  • その他光学部品
  • その他理化学機器

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