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プリント基板に。無電解Ni-P/置換Auめっきプロセスとの代替が可能
「半田濡れ性に優れた無電解Ni-P/置換Auめっき 代替めっきプロセス」は、Auの代わりに特性の似ている４Agを用いためっきプロセスであるため、無電解Ni-P/置換Auめっきプロセスとの代替が可能です。半田濡れ性はめっき直後で、無電解Ni-P/置換Auめっきよりも良好です。詳しくお問い合わせ、もしくはカタログをダウンロードしてください。
プリント基板に。耐食性に優れている無電解Ni-P/置換Auめっき 代替めっきプロセス
無電解Ni-P/置換Auめっき 代替めっきプロセスは、無電解Ni-Pめっきと置換Auめっきとの間に緻密で耐食性に優れたPd皮膜を形成させているので、耐食性に優れています。中間層としてPd皮膜を形成していますが、めっき直後の半田濡れ性は無電解Ni-P/置換Auめっきとほぼ同等です。詳しくはカタログをダウンロード、もしくはお問合わせ下さい。
プリント基板に。耐食性に優れたPd皮膜を形成させて、耐食性に優れています。
「耐食性に優れた電解Ni/電解Auめっき 代替めっきプロセス」は、.電解Niめっきと電解Auめっきとの間に緻密で耐食性に優れたPd皮膜を形成させているので、耐食性に優れています。めっき直後の半田濡れ性は電解Ni/電解Auめっきとほぼ同等です。詳しくお問い合わせ、もしくはカタログをダウンロードしてください。
