原子層堆積(ALD)装置
豊富なプロセスレシピを持ちながらも非常に小型な原子層堆積装置
コンパクトな卓上型ALD。 半導体デバイス、有機太陽電池、ナノワイヤー、量子ドットなどへの成膜により、表面保護や改質など様々なデバイス開発にご使用いただけます。 プロセスはALD・CVDの材料開発拠点で開発されたもの。 順次レシピを増やしてゆき、新規のプロセス開発も承っております。
- 企業:ALDジャパン株式会社
- 価格:1000万円 ~ 5000万円
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豊富なプロセスレシピを持ちながらも非常に小型な原子層堆積装置
コンパクトな卓上型ALD。 半導体デバイス、有機太陽電池、ナノワイヤー、量子ドットなどへの成膜により、表面保護や改質など様々なデバイス開発にご使用いただけます。 プロセスはALD・CVDの材料開発拠点で開発されたもの。 順次レシピを増やしてゆき、新規のプロセス開発も承っております。
複雑な形状の基板への成膜に最適で、低温成膜で樹脂基板にも対応します。またガスバリア性に優れた薄膜が得られます。
ALD(Atomic Layer Deposition)とは原子層堆積法という単原子層を1サイクルで成膜する手法で、サイクルを繰り返すことにより薄膜を形成します。 一原子層レベルの均一なレイヤーコントロールが可能となり、高品質かつ段差被覆性の高い薄膜を形成する事が可能です。 【特徴】 ○複雑な形状の基板への成膜に最適 ○低温成膜で樹脂基板にも対応 ○ガスバリア性に優れた薄膜が得られる 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
優れた段差被覆性と精密な膜厚制御!高品質な成膜が可能
『AFALD-8』は、複雑な三次元構造に原子レベルで膜厚制御された成膜が できる原子層堆積装置です。 ミリ秒単位で高品質な薄膜成膜が可能なため、低ダメージで安定した成膜を 実現。 操作性に優れたソフトウェアや、自由度の高いオプション構成ができます。 【特長】 ■段差被覆性 ■高精密な膜厚制御 ■ピンホールフリー ■低ダメージ ■原料コスト削減 ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。