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水平搬送式ロールツーロールめっき装置専用に、硫酸銅めっき添加剤を新規開発、フレキシブル回路基板へのビアフィリングめっきが可能
従来の水平搬送式のRoll to Rollめっき装置用では、基板を移送する際に銅が酸化して、ビアフィリング性能が低下するという問題がありました。当社はセル間の移動時に流れる微弱な電流をコントロールする成分を添加剤に配合し、良好なフィリング性とスローイングパワーを両立させることに成功しました（特許取得済み）。高フィリング性硫酸銅めっき添加剤 トップルチナSVPは、フレキシブル回路のさらなる高密度化、多層化を実現し、フレキシブル回路基板製造業の効率化に最適です。
半導体ウエハの配線向け硫酸銅めっき薬品を新たに開発
奥野製薬工業は、半導体ウエハの再配線や銅ピラー形成などに最適な硫酸銅めっき添加剤「TORYZA LCN」シリーズを新たに開発しました。 膜厚均一性に優れ、再配線のパターン形成に最適な電気銅めっき添加剤、TORYZA LCN FRV。 半導体ウエハやパッケージ基板への銅ポスト・銅ピラー形成に最適な電気銅めっき添加剤、TORYZA LCN SP。 シリコンインターポーザ向け、マイクロバンプ・トレンチフィリングに最適なTORYZA LCN SV。 ブラインドビアホール、トレンチの埋め込み性に優れた半導体用の電気めっき添加剤TORYZA LCN SD。 奥野製薬工業は、ウエハへのめっきプロセスをご要望に合わせて多数ご提案いたします。
プリント配線板（PWB)用 硫酸銅めっき添加剤 ビアフィリング特性・パターンめっきの膜厚均一性を大幅に改善
電子機器の小型化・高性能化にともない、半導体デバイスも微細化・高機能化しており、半導体デバイスとメイン基板を接続する半導体パッケージ基板にもさらなる配線の微細化・ビアの小径化が求められています。 また、硫酸銅めっきにも、高ビアフィリング性とめっき膜厚均一性が 同時に要求されています。 奥野製薬工業はその課題を解決しました。 ここがすごい！ ◆ビアフィリング用硫酸銅めっき添加剤：トップルチナGAP◆ ・パターンめっきの膜厚均一性に優れる ・パターン疎密差によるめっき膜厚のばらつきを削減 ・配線幅間のばらつきを削減 ・大径ブラインドビアホールのフィリングが可能 ・均一電着性にすぐれた電気銅めっきが可能 ・様々なビア径に対応 ・熱衝撃性にすぐれる ・幅広い電流密度（1.0～2.0A/dm2）で性能を発揮 ・高硫酸濃度の浴で高いフィリング性を実現 ・全添加剤成分の分析が可能 専門の営業員がお客様にぴったりな薬品とプロセスをご提案します。 なんでもご相談ください。
半導体パッケージ基板の微細配線形成に最適な電気銅めっき添加剤
高電流密度ファインパターンのビアフィリング向けめっき添加剤「トップルチナＮＳＶ」の新製品として「トップルチナＮＳＶ ＡＤＶ」と「トップルチナＮＳＶ LV」を開発しました。トップルチナＮＳＶ ＡＤＶは優れたビアフィリング性能を維持しながら、微細配線における高い膜厚均一性を実現します。トップルチナＮＳＶ LVはファインパターン・大口径ビア対応の硫酸銅めっき添加剤であり、スルーホール内部を銅めっきで充填するスルーホールフィリングを実現します。
めっき膜厚の均一性と良好なビアフィリング性の両立に成功！スルーホールフィリングが求められるコア層へのめっきにも対応します
新型コロナウイルス感染症の発生をきっかけとして、デジタルトランスフォーメーション（DX）が進み、インターネットショッピング、電子決済、動画配信サービスなどの市場も急成長しています。また、スマートフォンをはじめとする電子機器は著しく進化を続けており、電子機器の高性能化、小型化にともない、プリント配線板にも高密度化、薄型化などが強く求められています。半導体パッケージ基板はセミアディティブ法で回路形成され、層間をビアフィリングめっきで接続します。さらに回路の微細化が進むにつれ、めっき膜厚の均一性と良好なビアフィリング性の両立が困難になってきました。 当社は、さらなるパターンめっきの膜厚均一性と優れたビアフィリング性の両立を実現するために、新たに電気銅（硫酸銅）めっき用添加剤、トップルチナGAPを開発しました。
パッケージ基板向け めっき技術高アスペクト基板用 硫酸銅めっき添加剤 “トップルチナHLS”
半導体パッケージ基板（ICサブストレート）向け最新めっき技術です。 現在、スマートフォンやパソコン、サーバなどの電子機器が高性能化しており、それらに使用されているプリント配線板の層間を電気的に接続するスルーホールは小径化し、ピッチも狭くなっています。そのため、スルーホールの高アスペクト比化、高密集化が進んでいます。 当社は、プリント配線板の生産性向上と品質の安定のために、可溶性・不溶性陽極のいずれにも対応可能な高アスペクト比基板用硫酸銅めっき添加剤を新たに開発しました。本製品は、スルーホール内部およびビアへの析出性に優れ、幅広い電流密度で高いスローイングパワーが得られます。
プリント基板のスルーホールめっき用に新規開発、ICサブストレート・半導体パッケージ基板を搭載する高多層基板に最適
電子機器の小型化・高機能化・高密度化にともない、モジュール基板や高多層プリント配線板向けのスルーホールめっきに高性能化の需要が高まっています。当社は主にモジュール基板や高多層プリント配線板向けに、高電流に対応可能なスルーホール専用の硫酸銅めっき添加剤、トップルチナMSDを開発しました。当製品は高電流密度での高スローイングパワーを実現し、安定稼働によるメンテナンスの低減などによって生産性の向上に貢献できます。
低膜厚で高いフィリング性を有する硫酸銅めっき添加剤！
『ルーセントカパー SVF』は、プリント配線板用の硫酸銅めっき添加剤です。 従来の添加剤よりも高電流密度領域でのフィリング性能および スローイングパワーに優れ、ビアおよびスルーホール混在基板に 信頼性の高いめっき皮膜が得られます。 【特長】 ■低膜厚で高いフィリング性 ■スルーホール混在基板にも対応 ■高電流密度に対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
半導体ウエハの配線向け硫酸銅めっき薬品を新たに開発
半導体の高機能化、高性能化、小型化が進化するにつれて、半導体の3次元集積に関する新技術が次々と開発されています。それに伴い、配線の微細化（狭ピッチ化）への対応や放熱対策がますます重要になっています。当社は、各ご要望にお応えするため、半導体ウエハの配線向けに、硫酸銅めっき薬品、TORYZA LCNシリーズを新たに開発しました。
配線自由度を向上させるスタックドビア技術を進化！高速伝送用の微細回路形成用に、膜厚均一性に特化した銅めっき用添加剤を新たに開発
新型コロナウイルスによってわたしたちのライフスタイルは大きく変化し、リモートワークやオンラインビジネスが主流になっています。5Gスマートフォン、パソコン、データセンター、カーエレクトロニクスなどの分野で情報通信機器の需要はさらに高まっており、それらに使用される半導体パッケージ基板にも、さらなる高性能化・高密度化が求められています。 スマートフォンやモジュール用のプリント配線板にはビルドアップ工法が一般的であり、当社の電気銅めっき添加剤は、その部門において多くの採用実績があります。 奥野製薬工業は、回路の配線自由度を向上させるスタックドビア技術を進化させて、高速伝送に用いられる微細回路形成用に、膜厚均一性に特化した電気銅めっき用添加剤を新たに開発しました。
半導体ウエハ向け 高放熱・大電流用途 硫酸銅めっき添加剤・TORYZA LCN SD
スマートフォンは、通話だけでなく、音楽や動画などのコンテンツ視聴、オンラインショッピング、自動車、スマート家電、ロボットなどの産業に広く利用されています。携帯電話やタブレットなどの移動用通信機器は、おおよそ10年ごとに大きな進化を遂げ、その最大通信速度は、30年間で約1,000,000倍になりました。 また、サーバや高性能コンピューターに搭載される半導体には、さらなる高性能化、多機能化が要求されています。 当社はこのたび、低アスペクトビアフィリングに最適な硫酸銅めっき添加剤、TORYZA LCN SDを新たに開発しました。 TORYZA LCN SDは、半導体チップとビルドアップ配線板を接合するマイクロバンプや、ウエハ上に配線されたトレンチ、パワー半導体などで放熱性改善のために用いられるサーマルビアなどに幅広く対応できます。
FOWLP、FOPLP および、次世代半導体パッケージ基板など超微細配線用硫酸銅めっき添加剤・TORYZA LCN FRV
近年、半導体パッケージング技術は、薄型化、低コスト化に不利な従来のFC-BGAに対して、ウエハに再配線層を形成し端子をチップの外側まで広げる（Fan Out）ことでチップ面積に対する端子数のアップを可能にしたFOWLP、FOPLPが注目されています。 当社は、そのFOWLP、FOPLPの再配線層形成用に新たな硫酸銅めっき添加剤を開発しました。 本製品は膜厚均一性とパターン形状の矩形性に優れ、かつ小径ビアのフィリングにも対応します。 また、チップ側端子数増加に対応するために、従来のFC-BGAのビルドアップ層上への超微細配線層形成も検討されています。 本製品はそれら次世代半導体パッケージ基板の超微細配線形成にも最適です。
半導体パッケージ基板の実装に最適、高フィリング性・面内均一性を両立する硫酸銅めっき添加剤 トップルチナFRV
半導体パッケージ基板の実装で、ファンアウト・パッケージング技術(Fan-Out Wafer Level Packaging : FOWLP)に注目が集まっています。FOWLPの場合には、半導体パッケージ基板の内部領域に配線（再配線層）を形成します。従来のバンプ接続の場合には、半導体チップとパッケージ基板の端子をそれぞれ電気的に接続する必要がありました。また、金やアルミの細線を用いるワイヤボンディングの場合には、端子数が増加すると、信頼性の高い電気的接続ができないという問題がありました。そのため、チップサイズによる制限なく、複数のチップを並べて搭載（マルチチップ）できるファンアウト・パッケージ技術の実用化が急速に進められています。 当社は、半導体ウエハへの再配線層形成向けに、高フィリング性と面内均一性を可能にする硫酸銅めっき液を新たに開発しました。
半導体ウエハやパッケージ基板への銅ピラー形成に最適な電気銅用めっき薬品 TORYZA LCN SP
半導体の実装にははんだボールが広く用いられてきました。しかし、多ピン化（基板上の端子の増加）、実装されるチップ数の増加、接合面積が狭小化によって、径が100µm程度のはんだバンプでは高密度実装が不可能になりつつあります。 それに代わる手段として、注目を集めているのは、半導体に再配線層（RDL; Redistribution layer）を形成し、銅ピラーを用いて接合する方法です。 当社は銅ピラーにに最適な添加剤、TORYZA LCN SPを開発しました。 TORYZA LCN SPは、パッケージ基板側のビルドアップ層へ超微細な電極を形成する際にも使用できます。
高アスペクトフィリングに対応、シリコンインターポーザ向け硫酸銅めっき添加剤・TORYZA LCN SV
半導体の高性能化, 高機能化にともない、機能の異なる複数のチップを1つの基板上に実装するチップレットと3次元集積に関するパッケージング技術が注目されています。 その中でも、Si上に配線を形成したSiインターポーザは、配線の長さや幅を微細化して、高周波信号の伝送能力を高められるため、注目を集めています。 当社は高アスペクトフィリングに対応したシリコンインターポーザ向け添加剤として、TORYZA LCN SVを開発しました。 TORYZA LCN SVは、TSVへの埋め込み性に優れており、ボイドフリーかつ低膜厚で高アスペクトフィリングを実現します。
