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優れたナノの特性を発揮！有機金属法・リカンドチェンジ法による銀ナノ粒子
『True NANO Silver(R)』は、アルミ同士を高導電・高熱伝導・ 高耐熱で接合可能な銀ナノ粒子です。 雰囲気調整炉や溶接機等の装置が不要で、材料コストのダウンを実現。 モーターをはじめとした電気電子機器の軽量化などが期待できます。 また、アルミ同士に限らず多種多様な材料の接合が可能です。 【特長】 ■優れた物性 ■高い生産性 ■低い導入コスト ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
TG（N2）は0.1～0.35％！複数の溶媒分散を対応可能とした低温焼結銀のご紹介！
当社で取り扱っている銀ナノ粒子『LS0305』についてご紹介いたします。 粒子形状は多面体、粒子サイズは0.15～0.4μm、比表面積は1.2～2.2m2/g。 複数の溶媒分散を対応可能としました。 出荷形態は溶媒分散で、分散可能溶媒は水、EtOH、DPM、C、CA、BC、TPM、 BCAとなっています。 【特性（一部）】 ■粒子形状：多面体 ■粒子サイズ（μm）：0.15～0.4 ■比表面積（m2/g）：1.2～2.2 ■タップ密度（g/cm3）：4.5～6.5 ■TG＜N2＞（％）：0.1～0.35 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
電気比抵抗は4.4μΩ・cm（シンタリング後）！TG（N2）は0.70～1.30％です！
当社で取り扱っている銀ナノ粒子『N300』についてご紹介いたします。 タップ密度は1.5～3.0g/cm3で、比表面積は1.9～2.9m2/g、厚みは≦50nm。 出荷形態は紛体です。 また、粒子形状はフレーク形状で、粒子サイズは0.3～0.5μmとなっています。 【特性（一部）】 ■粒子形状：フレーク形状 ■粒子サイズ（μm）：0.3～0.5 ■厚み（nm）：≦50 ■比表面積（m2/g）：1.9～2.9 ■タップ密度（g/cm3）：1.5～3.0 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
高水準の導電性、低温シンタリング特性を実現した銀紛です。 ラインナップ一覧を掲載した資料進呈中！
半導体、回路基板の設計者のみなさん！製品の導電性を上げたい、シンタリング温度を低くしたいとお考えではありませんか？今後ますます高性能化が要求される半導体、回路基板において脅威の性能を発揮する銀ナノ粒子があります。トクセン工業がお届けする”TOSFINE”です。 ”TOSFINE”は当社独自の粒子製造技術により個々の粒子がフレーク状に加工され、フレークのハンドリング性とナノ粒子の特性を併せ持つ銀粉ができあがるのです。”TOSFINE”は表面の高い平滑性により乾燥条件下での高導電性、高鏡面性を有しています。 【特徴】 単結晶フレークによる高い導電性、放熱性を実現します。 低温条件下（120～200℃）でのシンタリング特性を有します。 高い表面平滑性により、乾燥条件下でも高い導電性を実現します。 独自の製造方法による均一な粒度分布を有します。 お客様のご用途に合わせ、粒子サイズ、表面処理をご提案いたします。
低温低圧/無加圧で緻密な銀焼結層を実現！ナノ～サブミクロン径の銀ナノ粒子をラインアップ
株式会社大阪ソーダの新規開発品『銀ナノ粒子』をご紹介します。 銀ナノ粒子合成技術の応用により、高い低温焼結性を維持したまま 従来市販品に無い粒径域の銀ナノ粒子をラインアップしました。 活用例として、市販の銀粒子と組み合わせ最密充填設計とすることで、 低温/無加圧の接合条件でも、緻密かつ低収縮の焼結接合層で高い信頼性・接合強度・導電率を実現できます。 【添加した銀焼結層の特徴】 ■高熱伝導 ■低電気抵抗 ■高接合強度 ■耐熱信頼性向上 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
「低温焼結用銀サブミクロン粒子」「低温焼結用銀板状粒子」のサイズ、特性などを掲載したカタログ
当資料は、『低融点銀粒子』についてご紹介した資料です。 「低温焼結用銀サブミクロン粒子」と「低温焼結用銀板状粒子」の サイズ、特性、用途、写真をそれぞれ掲載。 また、補足データとして、300℃焼成時の焼結状態のSEM写真も 掲載しておりますので是非、ご覧ください。 【掲載内容】 ■低温焼結用銀サブミクロン粒子 ■低温焼結用銀板状粒子 ■補足データ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
世界最高水準の導電性、低温シンタリング特性を実現した銀紛
半導体、回路基板の設計者のみなさん！製品の導電性を上げたい、シンタリング温度を低くしたいとお考えではありませんか？今後ますます高性能化が要求される半導体、回路基板において脅威の性能を発揮する銀ナノ粒子があります。トクセン工業がお届けする”TOSFINE”です。 ”TOSFINE”は当社独自の粒子製造技術により個々の粒子がフレーク状に加工され、フレークのハンドリング性とナノ粒子の特性を併せ持つ銀粉ができあがるのです。”TOSFINE”は表面の高い平滑性により乾燥条件下での高導電性、高鏡面性を有しています。 【特徴】 単結晶フレークによる高い導電性、放熱性を実現します。 低温条件下（120～200℃）でのシンタリング特性を有します。 高い表面平滑性により、乾燥条件下でも高い導電性を実現します。 独自の製造方法による均一な粒度分布を有します。 お客様のご用途に合わせ、粒子サイズ、表面処理をご提案いたします。
粒子サイズは0.15～0.3μm！世界最高レベルの低温焼結性を実現した銀紛のご紹介！
当社で取り扱っている銀ナノ粒子『KM120』についてご紹介いたします。 粒子形状は多面体で、比表面積は1.5～2.5m2/g、タップ密度は3.0～4.5g/cm3。 世界最高レベルの低温焼結性を実現しました。 また、表面処理はヘキサン酸、ラウリン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、 オレイン酸による表面コートを施しています。 【特性（一部）】 ■粒子形状：多面体 ■粒子サイズ（μm）：0.15～0.3 ■比表面積（m2/g）：1.5～2.5 ■タップ密度（g/cm3）：3.0～4.5 ■TG＜N2＞（％）：0.1～0.3 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
粒子形状はフレーク形状＋多面体、比表面積は0.5～1.5ｍ2/g！接着性に特化した銀紛！
当社で取り扱っている銀ナノ粒子『LM1』についてご紹介いたします。 表面処理はヘキサン酸、ラウリン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、オレイン酸 による表面コート。 粒子サイズは0.7～1.3μm、厚みは≦100nmでタップ密度は2.0～4.0g/cm3です。 【特性（一部）】 ■粒子形状：フレーク形状＋多面体 ■粒子サイズ（μm）：0.7～1.3 ■厚み（nm）：≦100 ■比表面積（m2/g）：0.5～1.5 ■タップ密度（g/cm3）：2.0～4.0 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
粒子形状はフレーク形状！タップ密度は1.5～3.0g/cm3、比表面積は0.6～1.6m2/g！
当社で取り扱っている銀ナノ粒子『M13』についてご紹介いたします。 出荷形態は紛体。分散可能溶媒は水をはじめ、EtOH、DPM、C、EG、CA、TP、 BC、TPM、BCAです。 特性として、粒子サイズは1.0～3.0μmで、厚みは40～60nmとなっております。 【特性（一部）】 ■粒子形状：フレーク形状 ■粒子サイズ（μm）：1.0～3.0 ■厚み（nm）：40～60 ■比表面積（m2/g）：0.6～1.6 ■タップ密度（g/cm3）：1.5～3.0 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ヘキサン酸、ラウリン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、オレイン酸による表面コート！
当社で取り扱っている銀ナノ粒子『M27』についてご紹介いたします。 粒子形状はフレーク形状、粒子サイズは2.0～7.0μmで、厚みは60～100nm。 比表面積は0.5～1.5m2/g、タップ密度は1.5～3.0g/cm3です。 また、電気比抵抗は3.8μΩ・cm（シンタリング後）となっています。 【特性（一部）】 ■粒子形状：フレーク形状 ■粒子サイズ（μm）：2.0～7.0 ■厚み（nm）：60～100 ■比表面積（m2/g）：0.5～1.5 ■タップ密度（g/cm3）：1.5～3.0 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
分散可能溶媒は水をはじめ、EtOH、DPM、C、EG、CA、TP、BC、TPM、BCAです！
当社で取り扱っている銀ナノ粒子『M612』についてご紹介いたします。 粒子形状はフレーク形状、粒子サイズは6.0～12.0μmとなっており、 厚みは60～100nm。 表面処理はヘキサン酸、ラウリン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、オレイン酸 による表面コートです。 【特性（一部）】 ■粒子形状：フレーク形状 ■粒子サイズ（μm）：6.0～12.0 ■厚み（nm）：60～100 ■比表面積（m2/g）：0.5～1.5 ■タップ密度（g/cm3）：1.5～3.0 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
