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半導体パッケージ基板向け最新表面処理を一挙公開。電子機器の小型・高密度・高性能化をサポートする表面処理・めっき薬品をご提案！
パソコン、スマートフォンなどの電子機器は日々進化しています。それにともない、多層プリント基板にも微細化・高密度化が求められています。 当社はプリント基板の製造に銅張積層板を用いるサブトラクティブプロセス向けに、つきまわり性に優れる無電解銅めっきプロセスを新規開発しました。 奥野製薬工業は、プリント配線板のめっき工程を中心に、湿式工程全般向けに多種多様の処理薬品を取り揃えています。 また、セミアディティブプロセスで製造されるICサブストレート、インターポーザの製造工程全般にも、最新の製品とプロセスをご提案いたしますので、お気軽にお問い合わせください。
誘電体損失の少ないガラス基板に対して、高密着性を実現した無電解銅めっきプロセスを開発！
ガラスは高い平滑性と絶縁性を有していることから、信号の伝送特性に優れており、半導体パッケージの2.5D実装に必要なインターポーザ材料として注目を集めています。これまで、ガラス素材への密着性向上のために、スパッタ法やゾル・ゲル法などのさまざまな密着層の製膜が研究されてきました。 当社は、液相析出法（Liquid Phase Deposition：LPD法）により製膜した金属酸化物を密着層として用いることで、ガラス基板に対して高いめっき密着性が得られる無電解銅めっきプロセス「PLOPX」を開発しました。本プロセスにより、全工程を湿式法で処理できます。
パナソニック環境エンジニアリング株式会社と共同で、ガラス基板に高密着性が得られる無電解銅めっきプロセス「PLOPX」を新規開発！
ガラスは高い平滑性と絶縁性を有していることから、信号の伝送特性に優れており、半導体パッケージの2.5D実装に必要なインターポーザ材料として注目を集めています。これまで、ガラス素材への密着性向上のために、スパッタ法やゾル・ゲル法などのさまざまな密着層の製膜が研究されてきました。 当社は、液相析出法（Liquid Phase Deposition：LPD法）により製膜した金属酸化物を密着層として用いることで、ガラス基板に対して高いめっき密着性が得られる無電解銅めっきプロセス「PLOPX」を開発しました。本プロセスにより、全工程を湿式法で処理できます。
内層銅と上層めっき層の界面で結晶連続性を確保、最先端のパッケージで要求される高度な信頼接続性を実現
OPC FLETカッパーは、セミアディティブプロセスに適応する、ノーシアン・ロッシェル塩タイプの無電解銅めっき液です。素材表面およびビアホール内への低膜厚で均一な析出性に優れ、フラッシュエッチング時の回路幅細りを低減、さらに、銅上への析出性を抑制し、内層銅と上層めっき銅間で結晶の連続性を実現する、ICサブストレートのファインパターンおよびマイクロビアホール形成用に最適なめっき液です。 【特長】 ・上層めっき銅と内層銅間の接続信頼性に優れる ・素材表面/ビアホール壁面へ、低膜厚で均一、安定した析出性が得られる ・低粗度の素材に対して、ブリスター発生を抑制し、優れたピール強度が得られる ・皮膜は高純度で低い抵抗値を示し、低膜厚でも後工程のパターンめっきを阻害しない
液晶ポリマー（LCP）向けに、高密着性が確保できる表面改質とめっきを組み合わせたプロセスを開発、トップLECSプロセス
2020年以降、4Gに続いて、5Gの移動通信サービスが日本でも始まりました。5Gは超高速通信を可能にするだけでなく、遠隔地でもロボットなどをスムーズに操作できる超低遅延、スマートフォンやパソコンを多数同時接続できるといった特長を有しています。現在、高速伝送に適した素材として、LCPやフッ素系樹脂のような低誘電材料を用いた高周波対応基板が注目を集めており、特に液晶ポリマー（LCP）は高周波領域での電気特性に優れ、吸水率が低く、寸法安定性に優れているため、5Gやミリ波向けへの採用が進んでいます。当社は、銅めっきの密着が確保されにくいといわれるLCP向けに、高密着性が確保できる表面改質とめっきを組み合わせたプロセスを開発しました。
高接続信頼性を実現する無電解銅めっきプロセス “OPC SUBLETプロセス”
近年、プリント配線板が適用される環境が拡大し、特に電気自動車や自動運転に関連する分野で、層間接続の信頼性、耐熱性や耐久性の向上が強く求められています。また、RoHS指令などの環境規制に対応して、実装に使用されるはんだは、低融点のSn-Pbはんだ(融点 183℃)から、Sn-Ag系(融点 約220℃)などの高融点はんだへの切り替えが検討されています。そのため、当社は高温・高圧などの厳しい条件でも接続信頼性を維持できる無電解銅めっきプロセスを新たに開発しました。
