【分析事例】素子分離領域の歪解析
NBD：Nano Beam Diffractionによる微小領域の歪解析
NBD法では電子線が試料中で回折する角度（電子回折スポット位置）の変化から、格子歪に関する知見を得ることができます。任意の晶帯軸入射方向で、デバイスパターンに合わせた測定が可能です。 素子分離領域（LOCOS周辺）のSi基板について測定した結果、熱処理温度・結晶方向によって歪量が異なっていることが確認できました。
- Company：一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
- Price：応相談
