【エピタキシャル成長サービス紹介】 ○依頼先：LSRL ローレンス半導体研究所 →設立：1992年 →所在地：米国アリゾナ州テンピ市 ○サービス内容：IV族エピタキシャル成長 →Si、SiGe、SiGeC →選択エピ成長（Selective） →埋込エピ成長（Buried） →SOI、SOS ●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。

【業務内容】 ○SiGeおよびSi エピタキシャル膜成長サービス ○各種ウェーハ販売 ○石英、SiC部品販売 ○LED、電子部品材料販売 ○各種真空機器販売 ○レーザーおよび部品販売 ○新機能材料販売 ○新機能材料コンサルティング ○その他 【主な仕入先】 ○ローレンス半導体研究所（米国） ○シリコンクエストインターナショナル（米国） ●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。