バンプ形状はプルカット、レベリング、タンピング、多段バンプなど 要求に応じカスタマイズ可能。ウエハサイズは最大8インチに対応。 量産から少量品の試作品、個片チップでの加工まで幅広く対応いたします。 加工に関してのお問い合わせ、お⾒積りなど気軽にご相談下さい。 【概要】 ■Si、水晶、GaAs ■ウエハサイズ(Max 8インチ) ■バンプサイズ(Min 30μm) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社は半導体製造で実績があり、IC一貫製造で培った技術をもとに 『Auスタッドバンプ加工』をはじめとした半導体の組み立て加工を手掛けています。 正確・高品質で、スピーディーかつリーズナブルな加工体制を実現しており 仕様や用途に合わせて条件出しを行った上で、少量品から対応できます。 【特長】 ■実装面積を小さく抑えられ、製品の小型化が可能 ■直径25μmの極小径加工が可能 ■パンプピッチ28μmの微細加工が可能 ※バンプ加工のメカニズムをご紹介した資料を進呈中です。 　「PDFダウンロード」からご覧ください。お問い合わせもお気軽にどうぞ。