日本シード研究所が取り扱う『各種シャッター機構』をご紹介します。 本機構は、成膜装置におけるカソードや基板をはじめ、ビューポートや 膜厚センサーなど広く利用されているシャッターです。 当社では、直線導入、回転導入など様々な要求に対応致します。 【使用例】 ■覗き窓シャッター M97-0072 ■基板シャッター N14-0040 ■基板シャッター N20-0010 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• その他機械要素

『SPI-0610R-TR』は、宇宙空間を想定した試験の実施を目的とした 環境試験用真空装置です。 装置は真空容器と真空排気系、制御系から構成されており、真空容器内の 圧力を10^-4Pa台まで真空排気する事が出来ます。 真空容器の構成は、ご要望により要求内容に合わせた構成が可能です。 【特長】 ■大気圧から排気し10^-4Pa台に5時間以内に到達可能 ■真空排気は排気ボタンスイッチで全自動/手動排気により実施 ■容易に移動できるよう各架台に4個ずつキャスターを設けている ■排気系は真空容器を油蒸気で汚染しないようターボ分子ポンプを使用 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• 真空機器

日本シード研究所は、無酸素銅を使用した部品製作をお受けしています。 カタログに無い、特殊な構造物を製作したいなど、銅製品のご要望が ございましたらお声をお掛け下さい。 既存設備に使用している部品の仕様変更や、新規研究テーマに沿う様、 特殊な形状で製作するなど、幅広く対応しています。 必要により、加熱脱ガス処理、精密洗浄処理を行う事で、より良い状態で お届けする事も出来ます。ぜひご相談下さい。 【特長】 ■無酸素銅を使用した部品製作 ■既存設備に使用している部品の仕様変更など幅広く対応 ■必要により、加熱脱ガス処理、精密洗浄処理を行う事で、 　より良い状態でお届けする事も可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• 製造受託

ホットウォール式の熱CVD装置です。最高900℃の加熱制御が行えます。 石英ガラス等の管状炉になっています。 化合物半導体のエピタキシャル成長など、純度を重視するプロセスに利用できます。 直感的に操作が行える手動装置の為、簡易的な実験を行う研究室、教育機関に適しています。 ◆詳しくは 　製品カタログ（PDFダウンロード）をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 　関連リンクからも製品カタログをご覧いただけます。

• その他機械要素

『SPR-014-B』 は、基板側にバイアスを印加しながら スパッタリングを行い、絶縁層用の成膜が可能なロードロック式 バイアススパッタリング装置です。 ピンホール密度が低く、良好なステップカバレージ性を備えた 良好な絶縁膜形成ができます。 【特長】 ■低いピンホール密度 ■良好なステップカバレージ性 ■次の電極層に有利な平坦性 　・排気系はドライポンプと磁気浮上型TMPの排気システム 　・基板側とターゲット(カソード)に高周波電力を同時に印可 　・ロードロック式の1元スパッタリング装置（容易に基板セット可能） ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• スパッタリング装置

抵抗加熱式の蒸着装置となっており、高真空領域で単結晶膜を作製することができます。 基板上に平滑な金の(111)面を形成することができる為、原子間力顕微鏡(AFM)、走査型プローブ顕微鏡(SPM)での測定用基板、また自己組織化単分子膜(SAM)の成長基板の作製に適しています。 ◆詳しくは 　製品カタログ（PDFダウンロード）をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 　関連リンクからも製品カタログをご覧いただけます。

• その他金属材料