電子部品・半導体

株式会社マイクロセミコンダクターリサーチ

設立2012年（2004年）
住所東京都中央区東日本橋1-1-20 三幸日本橋プラザビル8階
電話03-5835-1861
最終更新日：
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マイクロセミコンダクターリサーチの製品ラインアップ

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Si/SiGe多層エピタキシャルウェーハ

多層エピタキシャルウェーハ

シリコン基板上にSiエピ＋SiGeエピを多層成膜したウェーハ。 SiGeのGe含有量は任意に指定可能。

  • ウエハー

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3D NANDフラッシュメモリ用テストパターンウェーハ

各種3D NAND フラッシュメモリ用テストパターンウェーハのことならお任せください。

3D NANDフラッシュメモリ用テストパターンウェーハの製作をいたします。 SiO2/SiNを最大100対まで成膜いたします。 ベタ膜ウェーハ、パターンウェーハ等ご要望に応じて対応いたします。

  • ウエハー

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MEMS用SOI基板　製作サービス

SOIウェーハ在庫は常に1000種以上！在庫SOIウェーハは1枚から承ります

当社では、MEMS向けに特化した各種構造体をご提供いたします。 活性層の厚さ公差は±0.1µmを達成しております。 SOIウェーハ製造技術の技術移転サービスも行っております。

  • その他半導体

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