各種3D NAND フラッシュメモリ用テストパターンウェーハのことならお任せください。
3D NANDフラッシュメモリ用テストパターンウェーハの製作をいたします。 SiO2/SiNを最大100対まで成膜いたします。 ベタ膜ウェーハ、パターンウェーハ等ご要望に応じて対応いたします。
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基本情報
3D NAND フラッシュメモリ用テストパターンウェーハ ＜成膜仕様＞ 3µm フォトレジスト膜 3kÅ PE-CVD SiON 3µm アモルファスカーボン 250Å PE-TEOS SiO2/250Å PE-CVD SiN 70対（100対） Si基板 ＜パターニング/エッチング＞ マスクタイプ：チャネルホール、ライン＆スペース サイズ：チャネルホール150〜500nm、ライン＆スペース40〜500nm プロセス：フォトレスト膜：露光•現像•エッチング PE-CVD SiON膜：エッチング アモルファスカーボン膜：エッチング フォトレジストパターン：アッシング PE-CVD SiONパターン：エッチング 70対PE-TEOS SiO2/PE-CVD SiN膜：エッチング
価格情報
プロセス評価のためのダミーウェーハが必要になるので数量により価格が異なります。 なお、1枚からでも承ります。
納期
~ 1ヶ月
※製造に4週間、梱包•出荷•配達までおよそ1週間ほどになります。
用途／実績例
半導体製造装置メーカー、薬品•ガスメーカー等半導体サプライチェーンメーカへの実績があります。
企業情報
当社は、半導体シリコンウェーハおよびシリコン関連を事業としております。 米国•ヨーロッパ•アジアの半導体各種プロセス工場をアウトソーシングし、様々なシリコンウェーハプロセスを提供いたします。 ご要望の際はお気軽にお問合せください。
