多層エピタキシャルウェーハ
シリコン基板上にSiエピ＋SiGeエピを多層成膜したウェーハ。 SiGeのGe含有量は任意に指定可能。
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基本情報
<仕様> 50µm SiGeエピタキシャル層Ge20% 40µm Siエピタキシャル層 50µm SiGeエピタキシャル層Ge10% 40µm Siエピタキシャル層 50µm SiGeエピタキシャル層 Ge5% 40µm Siエピタキシャル層 300mmシリコンウェーハ
価格情報
価格未定
納期
用途／実績例
3次元立体構造（ナノシートなど）を作るためのナノ構造材料 ひずみを利用して電子・量子を精密にコントロールするための高機能材料
企業情報
当社は、半導体シリコンウェーハおよびファブレスにてウェーハファンドリサービスを事業としております。 米国•ヨーロッパ•アジアの半導体各種プロセス工場をアウトソーシングし、様々なシリコンウェーハプロセスを提供いたします。 ご要望の際はお気軽にお問合せください。
