インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　の製品・サービス一覧

『BGSX22G6U10 RF CMOSスイッチ』は、GSM、WCDMA、LTEおよび 5Gアプリケーション向けに特化して設計されています。 このDPDTは、最大7.125GHzの高周波数においても挿入損失を非常に低く抑え、 高調波の低減、RFポート間の高い絶縁を実現。 また、高速スイッチングが可能なため、5G-SRSアプリケーションにも 対応します。 【特長】 ■最大39dBmの高い直線性 ■低消費電流、最低電源電圧1.6V ■最大7.125GHzの高いポート間絶縁と挿入損失の大幅低減 ■5G-SRSアプリケーション向けの高速スイッチング速度 ■GPIO制御インターフェース ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社では、5GおよびLTEアプリケーション向けLNA 『BGA9x1MN9ファミリー』を取り扱っております。 「BGA9C1MN9」は、2μAの超低バイパス電流と1.2Vの 動作電圧に対応し、消費電力を低減しています。 全温度範囲で1.1V～2.0Vの電源電圧で動作。 9ピンの小型TSNP-9パッケージ（1.1×1.1mm）を採用し、 プリント基板の省スペース化を図っています。 【特長】 ■他社のモジュールよりも低いNF ■消費電流が約半分 ■フィルター供給の自由度が高い ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『BGSX44MU18』は、LTEおよび5G FR1の4アンテナアプリケーションに 特化して設計された4P4Tクロススイッチです。 スイッチはMIPI RFFE制御インターフェースにより制御され、オンチップ コントローラにより1.65～1.95Vの電源電圧に対応。 バッテリーへの直接接続機能と、DCフリーのRFポートを備えています。 また、本デバイスは縦横2.0mm×2.4mmに厚さ0.63mmの超小型サイズです。 【特長】 ■最大37dBmの高い直線性 ■高速スイッチング(最大2μs) ■最大7.125GHzの高いポート間絶縁と挿入損失の大幅低減 ■MIPI RFFE 2.1制御インターフェース ■超低背型リードレス・プラスチックパッケージ ■RoHSおよびWEEE対応パッケージ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『BGA9H1BN6』は、2.5～2.7GHz(バンドn41)の3GPPバンドをカバーする 4Gおよび5Gアプリケーション向けに設計されたLNAです。 高いゲインと超低雑音指数により、一般的なLNAに比べてシステムの感度が 大幅に向上。GPIOインターフェースにより、複数の動作モードを簡単に 制御することができます。 また、消費電流2.2mA、動作電圧1.2Vの低電力モードにより、全体の消費電力は 極めて低く抑えられています。 【特長】 ■パワーゲイン：20.0 dB ■低雑音指数：0.5 dB ■低消費電流：最小2.2 mA ■周波数範囲：2.5～2.7 GHz ■電源電圧：1.1～3.3 V ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

インフィニオンは、RFに関する長年にわたる専門知識と技術開発の実績を活かし、 すぐに使えるアンテナチューナーの幅広いラインアップにより、RFエンジニアが アンテナ効率を最適化できるようサポートしています。 BGSA147ML10の市場投入に続き、アンテナチューナのラインアップをさらに拡大。 Sub-7.2GHz帯の新無線(NR)アプリケーションに適しており、スマートフォン、 ノートパソコン、ウェアラブル、VRヘッドセット、スマートホーム、その他の セルラーアプリケーションにおいて4Gと5Gの両方に対応します。 【特長】 ■0.4GHz～7.2GHzの広い周波数帯域で動作可能 ■低RON＆COFF→低RFロス ■最少消費電流22μA ■放射妨害波(RSE)の最小化 ■競合他社製品とのp2p互換性 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『BGSX33M5U16-3P3T MIPI2.1アンテナクロススイッチ』は、LTEおよび 5G FR1の4アンテナアプリケーションに特化して設計された製品です。 MIPI RFFE制御インターフェースにより制御され、オンチップ コントローラにより1.65〜1.95Vの電源電圧に対応。 GaAs技術とは異なり、外部から直流電圧が印加される場合にのみ、 RFポートに外部の直流遮断用コンデンサが必要となります。 【特長】 ■最大38dBmの高い直線性 ■5G SRS向けの高速スイッチング(最大2μs) ■最大7.125GHzの高いポート間絶縁と挿入損失の大幅低減 ■MIPI RFFE2.1制御インターフェース ■ソフトウェアおよびハードウェアでプログラム可能なUSID ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『BGSA149M2N10』は、最大7.125GHzのRFアプリケーションに最適化された 単極4投(SP4T)のアンテナチューニングスイッチです。 超低RON×COFF FOMと超高直線性により、高いアンテナ効率を実現。 0.95×1.3mm2という小型フットプリントによる省スペース化は、 面積に制約のあるアプリケーションに好適です。 【特長】 ■ON時に各RFポートで1.6Ωの低オン抵抗を実現 ■OFF状態での各ポートで78fFの低C OFF容量 ■OFF状態で50V以上の高いRF動作電圧に対応 ■MIPI RFFE 2.1準拠の制御インターフェース ■19μAの低消費電力 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

当製品は、ドハティPA用に最適化されており、PAごとに4つのDAC出力で、 最大2つのPAにバイアス供給しますが、どのようなPA構成でも使用可能です。 DACの分解能は12ビットで、電流駆動能力はソース50 mA、シンク20 mA。 DACは、独立した電源を持つ2つのグループで構成されており、LDMOSおよび GaNトランジスタにバイアス供給するために、正と負の電源電圧で動作させる ことができます。 さらに、PAの高速TDD動作用のクランピングスイッチと、電源電圧とドレイン 電流を測定するためのADCを内蔵しています。 【主な特長】 ■12ビット分解能のDACを8個搭載 ■2電流シャントADC, 1電圧ADC ■Vout 範囲：-7…0 / 0…7 V ■温度センサー内蔵 ■制御インターフェース：I2C ＆ I3C ■パッケージ：VQFN-32(5x5 mm2) ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

当社で取り扱う「無線インフラ用ドライバーアンプ」について、 ご紹介いたします。 マッシブMIMO5G基地局からスモールセルやアクセスポイントまで、 RFアプリケーションのプリドライバーまたはドライバーとして使用可能。 この小型で強力なアンプは、通常トランシーバーICとパワーアンプの間に 位置しますが、低電力アプリケーションのパワーアンプとしても使用できます。 【特長】 ■電源電圧：5V ■ゲインフラットネス：≦0.4dB ■高ゲイン35dB ■高OP1dB：28.5dBm ■周波数範囲：2.3～2.7および3.3～4.2GHz ■差動入力インターフェース ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

『BGM687U50』は、EN_DC/CAおよびMIMO動作用に設計された、複合出力の 7P7Tクロススイッチを搭載した、2x 低帯域および5x 中/高帯域のLNAグループを 備えた7x LNAバンクです。 MediaTek、LSI、クアルコムのプラットフォームに対応した ゲインモードを搭載。 1.2 Vおよび1.8 V Vdd/Vio動作の両方をサポートした製品です。 【主な特長】 ■きわめて柔軟性の高い出力マルチプレクサ ■わずか2つのLNAバンクで、4x4 MIMOおよびEN-DCに対応 ■RF入力は50 Ωに内部整合 ■入力/出力側ともにDCブロッキングコンデンサを内蔵 ■MT6191 LNAバンクとピン互換 ■RoHSおよびWEEE準拠パッケージ ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。