インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　の製品・サービス一覧

『FF600R12KT4』は、標準的な62mmのパッケージで、高い電力密度を 実現し、高速トレンチIGBT4チップを搭載したパワーモジュールです。 ドライブ、UPS、ソーラーアプリケーション向けに設計。 当製品の導入により、IGBT4 62mmモジュールのラインアップは、 高速トレンチIGBTを搭載した200A、300A、450A、600Aの定格電力を 提供することになります。 【特長】 ■600A/1200V ■高速トレンチIGBT4チップテクノロジー ■Tjop_max=150°C ■絶縁されたベースプレートを使用した62mmモジュールデザイン ■堅牢な標準パッケージ、ネジ止め端子 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当製品は、TO-Leadless (TOLL) パッケージ同様に、大電流対応の 薄型パッケージです。 TOLGは、TO-Leadlessとフットプリント互換性があり、さらにガルウィング リードを採用することで高い温度サイクル耐量を実現。 TOLGの主な利点は、高効率、低EMI、高電力密度で、高い性能と システム全体の効率化が可能です。 【特長】 ■最高クラスのテクノロジー ■高い電流定格 ■リンギング及び電圧オーバーシュート ■D2PAK 7ピン パッケージに比べて、ボードサイズを60％低減 ■ガルウィングリード ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当製品は、優れた熱性能を可能にする新しいトップサイド冷却パッケージです。 TO-Leaded top-side cooling (TOLT)パッケージをポートフォリオに 導入することで、高性能パッケージの提供を拡大可能。 TOLTパッケージは、TOLLパッケージと同様の大電流・低背の利点に加え、 好適な熱性能を実現するトップサイドクーリングの利点を備えています。 【特長】 ■低 RDS(on) ■高電流定格 ■上面冷却 ■ネガティブスタンドオフ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社が取り扱う、産業機器向けのパワーMOSFET『StrongIRFET 2』を ご紹介します。 幅広いアプリケーションに対応するインフィニオンのMOSFET技術で、 低周波と高周波の両方のスイッチング周波数に好適。 この新しいシリーズは、定評のあるStrongIRFET MOSFETを補完し、 より高性能な選択肢を提供します。 【特長】 ■販売パートナーからの幅広い供給 ■優れた価格/性能比 ■高周波、低周波、両方のスイッチング周波数に好適 ■高い電流定格 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『EiceDRIVER』は、強化絶縁を有するX3アナログおよび デジタルドライバファミリーです。 従来の製品と同様に小型の8ピンパッケージに、ソース・シンクの 出力が個別に配置されたタイプのものか、出力を共有し、残りのピンを ミラークランプとして使うものかを選択頂くことが可能で、新たに VDE-0884-11を取得して既存のラインアップを拡充しています。 このファミリーはシンク・ソース共に最大14A、また優れた伝搬遅延 マッチング（最大7ns）を備えています。 【特長】 ■VDE 0884-11に準拠した強化絶縁 ■IGBT（IGBT7含む）、SiC、Si MOSFET用 ■出力電流14A、伝播遅延マッチング7ns ■90nsの伝播遅延、入力フィルタで30ns ■40Vの絶対最大出力電源電圧 ■ソース出力とシンク出力の分離またはアクティブ ミラークランプ ■沿面距離が長い（>8mm）DSO-8 300milワイドボディパッケージ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『XDPS2201』は、マルチモードでデジタル・コンフィギュラブルな ハイブリッド・フライバック・コントローラです。 従来のフライバックトポロジーのシンプルさと、共振コンバータの 性能を兼ね備えています。 一次側ではZVS、二次側ではZCSを、正負両方の磁化電流を調整 することで実現し、効率を高めています。また、トランスの漏れ 電流を再利用することで、さらなる高効率化を実現しています。 【特長】 ■広いACライン入力電圧範囲に対応 ■マルチモード動作による高効率化 ■ハイサイドドライバ内蔵 ■スナバレス設計 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

ドライブ、トラクション、トランスミッションなどの産業用 アプリケーションの現在および将来の要件に対応するため、 定評ある「IHV-B 3.3kVシングルスイッチIGBTモジュール」が 大幅に改善されました。 TRENCHSTOP IGBT4とEmitter Con-trolled 4ダイオードを搭載。 過負荷や故障に対する比類ない堅牢性を有し、フレームサイズの 小型化が可能です。 【特長】 ■標準化されたIHV Bパッケージ190mmまたは130mm ■最高クラスの短絡耐量 ■新しい3.3kV IGBT4チップを8インチウェハ技術で実現 ■基板レイアウトとチップ面積の最適化 ■競合製品やIGBT3に比べ、電源のOn/Off制御が2倍向上 ■CTI > 600のパッケージ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

車載用「CoolSiC MOSFETファミリー」は、ハイブリッド車や 電気自動車の車載充電器やDC/DCアプリケーションにおいて、 優れた性能、品質、信頼性を発揮します。 このファミリ品は、信頼性、品質、性能に関する自動車業界の 高い要求条件に合わせて設計されています。 電力密度の向上、高周波化を実現し、冷却処理を減らすことが可能です。 【特長】 ■革新的な半導体素材：シリコンカーバイド（SiC） ■きわめて低いスイッチング損失 ■閾値なしの定常特性 ■IGBT互換の駆動電圧（15Vでターンオン） ■0Vターンオフゲート電圧 ■ベンチマークゲートしきい値電圧、VGS（th）=4.5 V ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『IPM IM818-LCC』は、高性能CIPOS Maxiのトランスファーモールドです。 6個のTRENCHSTOP IGBT4を、最適化された1200V 6チャネル SOIゲートドライバと共に集積化することで信頼性の向上、 優れた保護、最適化されたPCBサイズとシステムコストを実現。 全チャネルの低電圧ロックアウト、保護時の全スイッチオフ、 上下短絡防止、過電流保護、温度モニターなどの優れた保護機能を 提供します。 【特長】 ■優れた保護のために堅牢性を強化したゲートドライバ技術 ■高い効率 ■最大80kHzの速いスイッチング速度 ■低電力損失で高速スイッチングアプリケーションに適合 ■設計および製造の簡素化 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社が取り扱うインフィニオンパワーダイオード 『38DN06B02/46DN06B02』をご紹介します。 新しい溶接用ダイオードは、中周波抵抗溶接や大電流整流器の アプリケーションを想定し、損失を改善した設計になっています。 オン電圧が低いため、インフィニオンの従来品である「38DN06」や 「46DN06」に比べて約10～15%高い、大電流が可能になります。 【特長】 ■従来品に比べて最大で10～15％高い順方向電流 ■低損失 ■高い信頼性 ■最高クラスのパワーサイクル性能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『OptiMOS PD』は、MOSFETの新たな製品ラインアップです。 USB-PDや急速充電器の設計に好適。短いリードタイムと 迅速な見積もり回答でお客様をサポートします。 低ゲート、低出力、低逆回復電荷で優れた温度特性を持ち、 2種類の小型標準パッケージを用意しております。 【特長】 ■ロジックレベルの可用性 ■低いオン抵抗RDS（on） ■低ゲート、低出力、低逆回復電荷 ■優れた温度特性 ■2種類の小型標準パッケージを用意 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『FF300R12ME7_B11』は、TRENCHSTOP IGBT7チップを搭載し、 300～900Aの電流定格を実現したEconoDUAL 3モジュールです。 TRENCHSTOP IGBT7技術との組み合わせにより、損失の大幅な低減、 高レベルの制御性とソフトなスイッチング、高い短絡耐量を実現。 過負荷時の最大動作温度175℃にあわせて、高い効率と電力密度を実現し、 システムの簡素化とコスト削減を可能にします。 【特長】 ■300～900Aのフルラインアップ ■1200V ■TRENCHSTOP IGBT7チップ世代 ■高電流クラス用に改良されたパッケージ（750A、900A用） ■PressFIT制御ピンとネジ式パワー端子 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『STT5000N18P110』は、圧接技術を使用したソフトスタートアプリケーション用の 1800V 5000A 110mmのサイリスタ／サイリスタモジュールです。 新しい設計により複雑さをなくし、部品数の削減することに特化。 幅広い電流クラスにも対応しています。 また、モジュールをバイパスコンタクタと一緒に、標準的な設計スペースに 簡単に組み込むことができます。 【特長】 ■必須部品数を削減 ■ヒートシンク内蔵で放熱グリスが不要 ■シリコン直接接合による耐熱性 ■両面冷却 ■3種類のフットプリントでさまざまな電流クラスに対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『DHP1050N10N5』は、通信用バスコンバータなどの高度な DC-DCコンバータアプリケーション向けに設計された100Vハーフブリッジ 集積Power Stageです。 サーマルビアをMOSFETチップの直下に配置することで、RthJAを低下。 DC-DCテレコムコンバータの電力密度の向上や実装面積のコンパクト化が 求められるなか、新しいシリコン技術を活用し、性能と信頼性を向上させながら こうした難しい設計パラメータを満たすソリューションを提供します。 【特長】 ■レベルシフトドライバーを内蔵した100V耐圧対称型ハーフブリッジMOSFET ■OptiMOS5パワーMOSFET 100Vテクノロジー ■差動入力による優れた耐久性と固有のシュートスルー保護機能 ■120Vオンチップ ブートストラップ ダイオード ■鉛フリーRoHS対応パッケージ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『IPW65R018CFD7』は、TO-247パッケージに高速ボディダイオードを搭載した、 650V CoolMOS CFD7スーパージャンクションMOSFETファミリの製品です。 転流本格使用に備えた優れた堅牢性を有し、産業用SMPSアプリケーションに おける全負荷効率を向上。 サーバー、テレコム、EV充電ステーションなどの産業用アプリケーションの 共振トポロジーに好適で、大幅な効率向上を実現しています。 【特長】 ■超高速ボディダイオード＆超低Qrr ■650V絶縁破壊電圧 ■スイッチングロスを大幅に削減 ■RDS（on）の温度依存性が低い ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『TLx125D0EJ』は、車載用低ドロップアウト電圧トラッキングレギュレータです。 パワートレインシステムのセンサーなど、車載アプリケーションの過酷な 条件下で使用されるオフボード負荷への電源の供給を目的としています。 逆接保護機能、天絡や地絡への保護機能を搭載。最大40Vの電源電圧と 最大250mAの出力電流で、出力電圧はADJ端子に印加される基準電圧に 非常に高い精度で追従します。 【特長】 ■ADJ端子必要な最小基準電圧は2.0V ■最大250mA出力電流 ■非常に高いトラッキング精度 ■ソフトスタート機能 ■パワーグッド機能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『TLS820D2EL VSE』は、高性能、超低ドロップアウト電圧、 低静止電流を実現したOPTIREG リニア電圧レギュレーターです。 入力電圧範囲は3V～40V、静止電流はわずか20μAと低いため、 バッテリーに常時接続されている電源システムに好適。 クルマのボディや快適性に関わる潜在的なアプリケーションをはじめ、 常時接続のバッテリーに関連したアプリケーション、パワートレインや 電動パワーステアリングシステム（EPS）などに適用できます。 【特長】 ■出力電圧を5Vまたは3.3Vから選択可能 ■きわめて低いドロップアウト電圧（出力電流が100mA未満のとき） ■リセット閾値を2Vまで調整可能 ■調整可能なリセット遅延時間 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『1EDI302xAS/1EDI303xAS』は、車載用の高耐圧ゲートドライバーです。 インフィニオンのコアレストランスフォーマー技術を用いて、 ガルバニック絶縁をまたいで信号伝達を行います。 IGBTやSiCパワー技術に最適化されたピン互換製品をラインアップ。 非常にコンパクトなパッケージデザインと高度な機能集積により、 貴重な基板スペースを節約することができます。 【特長】 ■コアレストランス技術を用いた1チャンネル絶縁型IGBT/SiCドライバー ■1200VまでのIGBT/SiC MOSFETに対応 ■最大150V/nsのCMTI（1000V時） ■UL1577準拠の基本絶縁 ■強力なアクティブミラークランプを内蔵し、ユニポーラスイッチングに対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『TLE8082ES』は、「TLE8080-xEM」または「TLE8088EM」のコンパニオンICです。 さまざまな車載アプリケーションが対象。高性能な電子燃料噴射（EFI）技術に 特化されたOBDII、EURO5/BHARAT VI準拠の2/3輪車用内燃エンジンシステムを サポートする改善機能や特長が含まれています。 また、既存のEFI-ECUソリューションを使用したスケーラブルなアプローチにより、 ソフトウェア開発の手間を軽減するほか、最小レベルの小型パッケージにより、 2輪車用EFIに適した基板スペースを実現しました。 【特長】 ■電源供給 ・外付けFETを使用した電圧プリレギュレータ ・5Vセンサー用電源供給（5Vの電源入力をトラッキング） ・5V通信用電源供給（5Vの電源入力をトラッキング） ■常時供給機能 ・専用キー入力 ・アフターラン機能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『FF300R08W2P2_B11A』は、超小型で柔軟性の高い、ハイブリッド車や 電気自動車のインバーターアプリケーション向け製品です。 EDT2 IGBT世代を使用しており、750Vのブロッキング電圧と300AのIcNを実現。 チップセットはベンチマーク電流密度と短絡耐性を兼ね備え、厳しい 環境条件下でも信頼性の高いインバータ動作を行います。 【特長】 ■ブロッキング電圧750V ■低スイッチング損失 ■NTC温度センサー内蔵 ■RoHS対応 ■基板上の実装面積の小型化 ■鉛フリーRoHS対応パッケージ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『ICL88xxファミリー』は、LED照明アプリケーション向け設計されており、 要求される性能をコスト効率よく満たすことができるAC/DC LEDドライバーです。 全負荷時および低負荷時の力率改善と低全高調波歪みという点で、高水準の 性能を実現。包括的な一連の保護機能とボトムアップ設計により、設計は容易で、 必要な外付け部品の数も最小限で済みます。 当製品は、二次側安定化 (SSR) 動作の定電圧 (CV) 出力フライバック コントローラーとして好適ですが、一次側安定化 (PSR) にも適しています。 【特長】 ■SSR CV出力フライバック動作に最適化されており、PSRにも好適 ■広い負荷範囲でPF > 0.9、THD < 10% (277 VrmsまでのAC入力) ■スマートバレーホッピングによる臨界伝導モード (CCM) と準共振モード (QRM) ■バーストモード (BM) による低待機電力 (100mW以下) の確保 ■ジッター機能搭載 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『FF225R65T3E3』は、トラクションアプリケーション向け6.5kVの ハーフブリッジ モジュールです。 XHPは、低い故障率FITと、厳しい気候条件での高い信頼性を備えており、 当製品を使用した列車が、世界中で30年間にわたり現場で運用可能。 EN60721-3-5クラス5K2の過酷な環境下での動作仕様と、EN45545 R22/R23 HL3の 火災および発煙の基準を満たしています。 【特長】 ■標準化されたXHP 3パッケージ ■耐圧6.5kV ■10.4kV絶縁 ■CTI 600 ■EN45545 R22、 R23、 R24、 HL2の火災および発煙の基準に適合 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『TLE92464ED』は、フレキシブルなモノリシック4チャンネルおよび 6チャンネルソレノイドドライバーICです。 オートマチックトランスミッション、エレクトロニックスタビリティ コントロール、アクティブサスペンションなどのアプリケーションにおける 4つのリニアソレノイドの制御用に設計。 大きな負荷電源電圧の変化に対する優れた耐性を有しており、 クロック ウォッチドッグ付きのシステムクロックを内蔵しています。 【特長】 ■内蔵MOSFETによる4つ/6つの独立したローサイドチャネル ■1%未満の電流制御精度 ■0mA～1.5Aでプログラム可能なセットポイント ■ディザを含む負荷電流 1.8 A ■パラレル チャネルモード時の電流 2.7 A ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『iMOTION IMC100デバイス』は、オプションでブーストまたは トーテムポールと並列に接続することができる可変速ドライブを高効率で 制御するためのモーターコントロールICファミリーです。 このたび、同シリーズに新パッケージ「QFP-48」が加わりました。 ピン数が多いため、IMC100は柔軟なアプリケーション要求に完璧に対応。 内蔵スクリプトエンジンは、顧客固有のスクリプトを実行でき、 アプリケーションの柔軟性をさらに高めます。 【特長】 ■インバータ駆動用の高集積ソリューション ■モーションコントロールエンジン (MCE 2.0) ■保護機能を内蔵 ■柔軟なパラメータ設定により、複数のモータにも対応可能 ■柔軟なアプリケーション要求に応える多ピンパッケージ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『OptiMOS 6 ISC012N04LM6 40V』は、ロジックレベルのゲート駆動を必要とする アプリケーションのベンチマークとなるソリューションを提供します。 オン抵抗とメリットの数値が改善されたため、高効率な設計ができ、 熱設計も容易。並列接続の必要性を減らし、システムコストの削減にも つながります。 インフィニオンの先端の薄型ウェハー技術で、大幅な性能向上が可能です。 【特長】 ■Nチャネル：エンハンスメントモード ■超低オン抵抗 RDS(on) ■優れた熱抵抗 ■175℃定格 ■100%アバランシェ試験済み ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社は、UPSのバイパスや静電型切替スイッチ用に、サイリスタモジュールと ディスクを提供しています。 組み立て済みの冷却ブロックや完全集積されたスタックソリューション としても利用可能。111mmのサイリスタディスク1枚と強制空冷を使用した 場合の限度値は480Vで2.0MVAです。 データセンター向けの新しい要件は限界をさらに押し上げ、より高い電力密度と コンパクトなデザインを実現します。 【特長】 ■全温度範囲で50／60Hzの完全なブロッキング耐量 ■高いDC電圧耐量 ■高いサージ電流耐量 ■最大ジャンクション温度135℃ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『EconoPIM／PACK2／PACK3』は、TRENCHSTOP IGBT7チップが搭載された IGBTモジュールです。 過負荷状態での連続運転温度（Tvjop）は最大175℃で、産業用ドライブ アプリケーションに好適。IGBT7は、IGBT4に比べて電力密度が高く、 スイッチング周波数が向上しているため、冷却を簡素化できます。 全体として動作条件を変えることなく、同等以上の製品寿命を実現しています。 【特長】 ■耐圧1200V、定格電流35A～200A ■Econo2、Econo3パッケージ ■PIMおよび6パックトポロジー ■TRENCHSTOP IGBT7チップ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

TO-247-3-HCCパッケージに搭載された『TRENCHSTOP 5 WR6ファミリー』は、 パッケージの汚染に対する信頼性が向上しています。 当製品のディスクリートデバイスは、住宅用、商業用エアコンの 力率改善（PFC）、溶接アプリケーションに好適。 低損失、低スイッチング損失（Esw）を実現し、沿面距離と空間距離を 拡大したことで、より信頼性の高いシステム設計が可能になりました。 【特長】 ■25℃で1.45Vの低いVCESAT ■ダイオード内蔵のモノリシックIGBT ■低いスイッチング損失Esw ■長い沿面距離と空間距離のパッケージ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『1200V TRENCHSTOP IGBT7 S7』は、フル定格で非常にソフトな ダイオードを内蔵した製品です。 VCE（sat）の低減、制御性の向上、SCデバイス中で高い熱性能を提供し、 HV-H3TRBと宇宙線耐性により堅牢性が向上。 産業用モータードライブ、産業用電源、ソーラーインバーターなどの 短絡耐量が求められるハードスイッチングアプリケーションに特化して 設計されています。 【特長】 ■フル定格のソフトで低Qrrのダイオードを搭載したIGBT ■低飽和電圧VCE（sat）＝2.0V（Tvj＝175℃） ■ハードスイッチングトポロジーに最適化（2レベルインバータ、3L NPC Tタイプ） ■短絡耐量：8μsec ■8A、15A、25A、40A、50Aのデバイスをラインアップ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

EV充電用のEasyPACK CoolSiC MOSFETパワーモジュールと CoolSiCショットキーダイオードを搭載したEasyBRIDGEについて ご紹介します。 75kWまでのスケーラブルなDC EVチャージャーの設計に好適。 インフィニオンは、Easy 2BパッケージでRDSonが11mΩおよび 15mΩ、ならびにEasy 1BパッケージでRDSonが23mΩおよび 45mΩのHブリッジモジュールを提供しています。 【特長】 ■Easy 1Bおよび2Bパッケージ ■1200V ■最高クラスのCoolSiC MOSFETテクノロジー ■改善されたピン配列 ■PressFITテクノロジー ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

「TLE92104-131QX」と「TLE92104-232QX」は、先日発表した TLE92108に続く、マルチMOSFETドライバICファミリーの 新製品です。 "TLE92104"は、1つのデバイスで最大4つのハーフブリッジを制御できるよう 設計されており、対象となるアプリケーションは、パワーシートモジュールや パワークロー ジャーシステムなどの車載用DCモータです。 24ビットのシリアルパラレルインターフェースにより、デバイスの設定や ハーフブリッジの制御が可能で、幅広い診断機能も備えています。 【特長】 ■最大4つのハーフブリッジ（8個のnチャネル）MOSFETドライバ出力 ■アダプティブマルチステージMOSFETゲート制御 ■3つのPWM入力と、最大2つのフレキシブルな電流センスアンプ ■優れた保護コンセプト（詳細なオフ状態の診断機能など） ■設計自由度の高さ ■コストとボード面積を削減 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

インフィニオンは、マルチハーフブリッジの製品ラインアップを 合理化するため、PG-TSDSO-24パッケージの「TLE94108ES」、 「TLE94110ES」、「TLE94112ES」を追加します。 これらの製品は、ドライバーと出力段を搭載しており、HVACシステムの Flap制御やサイドミラー制御など、さまざまな自動車アプリケーションで 小型DCモータを駆動するよう設計されています。 さらに、 TLE94112ESを搭載した使いやすいDCモータ制御用HATを使用して、 簡単に評価できるようになっています。 【特長】 ■超低消費電力のスリープモード ■ヒステリシス付き3.3V/5V互換入力 ■すべての出力に過負荷および短絡保護機能を搭載 ■独立した出力診断機能（過電流、開放負荷） ■ハイサイド、ローサイドともにオン状態での開放負荷の診断が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『OptiMOS 5 BiC 80V Power MOSFET（BSC019N08NS5）』は、 堅牢性の向上に加えて、さらに高い電力密度を実現し、 システムコストの削減と性能向上のニーズに応えています。 当製品は、通信用電源や サーバー用電源の同期整流用に特化して 設計されています。 最大175°Cの高い動作温度の高い信頼性を誇り、RDS（on） により、 高い電力密度と効率を実現します。 【特長】 ■全負荷温度の低減 ■並列接続数の削減 ■オーバーシュート低減 ■システムの電力密度向上 ■コンパクト化 ■システムコスト削減 ■エンジニアリングにかかるコストおよび手間の低減 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『PROFET +212V-ESP』は、先端の診断機能と保護機能を搭載した 保護付きハイサイドスイッチです。 モノリシック チップ内に先端の診断/保護機能、優れたエネルギー効率、 先端の電流センス精度（KILIS）、低いクランキング電圧対応を備えています。 今回発売するTSDSO-24パッケージの「BTS700xx-1ESP」は、低オン抵抗RDS（ON）領域の 製品群を拡充し、最大32Aの電流を駆動することができ、また、新しい機能である 容量性負荷スイッチングモードを搭載し、安全な動作領域で容量性負荷を スイッチングすることができます。 【特長】 ■保護および診断機能 ■容量性負荷スイッチング ■最大32Aの電流を駆動 ■容量性負荷スイッチングモード ■TSDSO-24パッケージとTSDSO-14パッケージ間のピン互換性 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『HybridPACK Drive』は、非常にコンパクトな6パックモジュールです。 チップ数の異なる1200V/400Aと1200V/200Aの2種類があり、 ハイブリッド車や電気自動車に好適。 当パワーモジュールには、電動ドライブトレイン用に最適化された 新製品「CoolSiC Automotive MOSFET 1200V」が実装されています。 シリコンからシリコンカーパイドへのアップスケー ルが容易で、 インバータの設計において、最大250kWの高出力化、航続距離の延長、 バッテリー の小型化、システムサイズとコストの最適化を実現します。 【電気的特長】 ■新しい半導体材料 - 炭化ケイ素（SiC） ■ブロッキング電圧1200V ■低いRDS（on） ■低いスイッチング損失 ■低いOgとCrss ■T vj op=150°C ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

インフィニオンテクノロジーズのバイポーラは、圧接技術を用いた 60mmサイリスタ/ダイオードモジュールの製品ラインアップを 一新しました。 新しい「Eco Blockファミリー」は、ドライブや無停電電源装置（UPS）の 整流器、ソフトスターター、 UPSのバイパススイッチなど、コスト効率の 高い大型モジュールの需要に対応しており、大型電源や風力発電にも好適。 「Prime Blockモジュール」は、高い性能を発揮し、定格600A以上かつ モジュールの並列化が不可能な場合に対応して、Prime Line 60mmモジュールを 設計しました。熱抵抗の最適化と、より高い動作温度への対応によって、 電流の限界を超えた性能を実現しました。 【特長（Eco Blockモジュール）】 ■インフィニオンの実績のある圧接テクノロジーの完全な再設計 ■短絡故障モード ■同クラスで高いDC阻止耐量 ■高い動作温度 ■標準的なパッケージサイズ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

インフィニオンのモーターシステムICファミリーは、BLDCモーター制御 アプリケーション向けに、高集積、高性能、システムコストの最適化を 実現します。 『TLE95634』は、三相BLDCモーター駆動用に、マルチMOSFETドライバを搭載。 最大250mAの低ドロップアウト電圧レギュレーター、CAN FD (5 Mbit/s) およびLINトランシーバー、ハイサイドスイッチ (7Ω typ.)、ウェイク入力、 監視機能などを備えています。 【特長】 ■最大6つのPWM入力が可能な3相ドライバー ■150mA ゲートチャージ定電流 ■5V LDO Vcc1 最大250mA ■最大2つのHVウェイク入力 ■最大3つの保護機能付きHSスイッチ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『2L-SRC Compact（1ED32xx）』は、2レベルのスルーレート制御により、 オンザフライでゲート抵抗を調整できる、コンパクトなシングルチャネル 絶縁型ゲートドライバファミリーです。 当製品は、2ピンを使ったデュアル出力タイプで、シングルあるいはデュアルを 制御することでゲート抵抗の調節が可能。最大ピーク出力電流は18A（typical）です。 当ドライバーICは、幅広い出力電源電圧で動作し、2300Vの電圧にも対応しているため、 従来のIGBTやSi MOSFETのほか、SiC MOSFETやIGBT7の用途にも適しています。 【特長】 ■2レベルのスルーレート制御機能（2L-SRC） ■650V/1200V/1700V/2300VのIGBT、SiおよびSiCのMOSFETに対応 ■最大出力電流18A ■出力間伝播遅延マッチング1ns ■絶対最大出力電源電圧40V ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『EiceDRIVER 1EDBファミリー』は、3kVrmsの入出力間絶縁を備えた 1チャネルのゲートドライバICです。 +4/- 6 nsの伝搬遅延精度を備え、システムレベルでの高効率が求められる 高速スイッチングアプリケーションに好適。 また、システムの省電力化に対応するため、コモンモード過渡耐性（CMTI）は 300V/nsを超えており、出力ステージのクランプ速度は20nsと高速で、出力段の 低電圧誤動作防止機能（UVLO）は、4V、8V、12V、15Vから選択できます。 【特長】 ■3 kVrmsのガルバニック絶縁 ■低インピーダンス、ソース出力とシンク出力が可能 ■伝搬遅延精度：+4/- 6ns ■コモンモード過渡耐性：300V/n ■4V、8V、12V、15VのUVLOオプション ■出力クランプ速度：20 ns ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『FZ1800R45HL4/FZ1800R45HL4_S7』は、IGBT4搭載IHV-B 4.5kV シングルスイッチモジュールです。 新しい4.5kVチップ世代の8インチ ウェハ技術を採用しており、 送配電や産業用ドライブに好適。 両モジュールとも同じサイズで出力が50%向上するため、 システム設計者にとってコスト削減につながります。 【特長】 ■新しい4.5kVチップを8インチウェハ技術で実現 ■トレンチ/フィールドストップ1GBT4、エミッタ制御4ダイオード ■高いTCおよびPC耐量と高い宇宙放射線耐性 ■_ST機能により、Vectsanを18%低減 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『TLE956012』は、ハーフブリッジゲートドライバと電源および 通信インターフェースを組み合わせているDCモーター(ブラシ付き)ICです。 2個または4個のハーフブリッジ プリドライバーを内蔵したマルチMOSFET ドライバーを搭載。 最大250mAの低ドロップアウト電圧レギュレーター、CAN FD(5 Mbit/s) およびLINトランシーバ、ハイサイドスイッチ(7Ω typ.)、ウェイク入力、 監視機能などを備えています。 【特長】 ■最大4つのPWM入力が可能な2x/4xハーフブリッジ ドライバー ■100mAゲート チャージ定電流 ■5V LDO Vcc1 最大250mA ■最大5つのHV ウェイク入力 ■最大4つの保護機能付きHSスイッチ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『EasyPACK 3Bパワーモジュール』は、DC1000Vの太陽光発電用単相NPC1 モジュールで、優れた性能と完全な無効電力制御（PVインバータ）という 2つの利点を活かすことができます。 150kVAまでの3相3レベルのNPC1モジュールを提供。DC1000V用三相NPC1 モジュールでは、40kVAまでの出力に対応します。 また、モジュールには650VのTRENCHSTOP 5 IGBTとPressFITピンが 搭載されており、組み立てが容易です。 【特長】 ■650V TRENCHSTOP 5 ■PressFITピンを備えたEasy 3Bパッケージ ■cos φ＝0.8 ■T1/T4はS5チップ（400A）、T2/TT3はL5チップ（300A） ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『OptiMOS 6 Power MOSFET』は、テレコム、サーバー、デスクトップPC、 ワイヤレス充電器、急速充電器などのスイッチモード電源（SMPS） アプリケーションに好適です。 オン抵抗と性能指数の改善により効率が向上。熱設計が容易になり、 並列数を減らすことで、システムコストの削減につながります。 また、「OptiMOS 5」に比べて、伝導損失やスイッチング損失が低減され 高い信頼性、高い電力密度を実現しています。 【特長】 ■RDS（on）を最大で20％低減 ■FOM Qgが30％向上、FOM Qgdが40％向上 ■Qrrを低減 ■175℃のジャンクション温度に対応 ■高いアバランシェエネルギー定格 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『OptiMOS Pチャネル MOSFET』は、中低電力アプリケーションにおける 設計の複雑さを解消します。 マイクロコントローラーユニット（MCU）とのインターフェースが容易。 コスパの良いパッケージと、先進的で信頼性の高い成熟したシリコン技術を 用いることで、価格性能比がすぐれた高性能製品を提供します。 【特長】 ■異なる4種類のパッケージで提供 ■幅広いR DS（on） ■ノーマルレベルとロジックレベルに対応 ■様々なアプリケーション向けに最適化 ■販売パートナーからの幅広い供給 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『IPT008N06NM5LF/IPT013N08NM5LF』は、TOLLパッケージと組み合わせる ことにより、ホットスワップ、e-fuse、テレコムやバッテリー管理システムで 一般的に見られる保護アプリケーションなどの高突入電流アプリケーションを ターゲットにしています。 高い突入電流により、迅速なスタートアップとダウンタイムの短縮を実現。 TOLLパッケージは、効率性、優れたEMI特性、熱性能、省スペース化が 求められる場合に好適なソリューションです。 【特長】 ■広い安全動作領域（SOA） ■低いRDS（on） ■高い最大パルス電流と連続パルス電流 ■TO-リードレス（TOLL）パッケージ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。