【その他の特長】 ■62mmの標準パッケージで高い電力密度を実現 ■20nHの低浮遊インダクタンスと左右対称の内部構造 ■IGBT3と比較して、寿命が2倍に向上 ■パワーサイクル性能がIGBT3と比較して4倍向上 ■沿面距離とクリアランス距離を最適化した設計 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

【主な利点】 ■高性能 ■高いシステム信頼性 ■高効率及び低EMI ■高い電力密度 ■優れたTCoB（Thermal Cycling on Board Perfor-mance:基板実装時の熱サイクル試験） ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

【主な利点】 ■伝導損失の低減 ■高電流対応 ■優れた熱性能 ■ヒートシンクへの熱抵抗の最小化 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

【主な利点】 ■供給の高い安全性 ■多種多様なアプリケーションに対応 ■製品の高い耐久性 ■優れた価格/性能比 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

【その他の特長】 ■VDE 0884-11、VIORM = 1767V（ピーク、強化絶縁）および UL 1577、 　絶縁耐圧（VISO）=6kV（rms）（1分間）、5.7 kV（rms）（1分間） ■フィルタを内蔵しているので外部フィルタが不要 ■IC間の優れたターンオン伝播遅延マッチング（最大7ns）によるシステム効率の向上、 　アプリケーションの堅牢性の改善 ■高速スイッチングアプリケーションでの動作に好適 ■VDE 0884-11およびUL 1577に基づく優れたアプリケーションの安全性 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

【その他の特長】 ■すべてのACライン入力および負荷条件において、電圧および電流のスイッチングが 　ゼロとなり、低スイッチング損失を実現 ■国際的な効率規制基準を満たす93%以上の高い効率と低い待機電力 ■超高電力密度 ■高集積コントローラーによる低BOMコストと部品数 ■広い出力電圧範囲に対応するシンプルなトランス設計 ■GUIツールによる容易な設計の実現 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

【ラインアップ】 ■FZ2400R33HE4 ・1800Aの競合デバイスに比べ、同じパッケージで、45%の性能向上を実現 ■FZ825R33HE4D ・ダイオード容量が増え、インフィニオンや競合メーカーの1000Aデバイスと同じ性能 ■FZ1600R33HE4 ・1500Aの競合デバイスと比較して、30%の小型化と10%の性能向上を実現 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

【その他の特長】 ■効率改善 ■高周波化の実現 ■電力密度の向上 ■冷却処理を減らすことが可能 ■システムの複雑性とコストの削減 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

【その他の特長】 ■完全に絶縁された、DCB基板を含むデュアルインラインモールドモジュール ■1200V TRENCHSTOP IGBT4 ■堅牢な1200V SOIゲートドライバ技術 ■ブートストラップ機能内蔵 ■過電流シャットダウン ■全チャネルで低電圧ロックアウト ■保護時は全6スイッチをオフ ■上下短絡防止 ■VBS=15Vでの信号伝送時、VS負電圧は-11Vまで許容可能 ■ローサイドはオープンエミッタ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

【対象アプリケーション】 ■抵抗溶接 ■大電流・定電圧整流器 ■ソリッドステートデカップリング ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

【利点】 ■短いリードタイム ■迅速な見積もり回答 ■高い効率と電力密度の設計 ■小型・軽量で環境に配慮した製品 ■優れた価格性能比 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

【主な利点】 ■幅広いインバータファミリーに対応 ■導通損失とスイッチング損失の低減 ■同一フレームサイズでインバータ出力電流を最大30%向上 ■IGBT4（600Aバージョン）に比べて、出力電流が16%増加 ■インバータシステムの簡素化 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

【主な利点】 ■コスト重視のアプリケーション向けに好適な価格性能比 ■複雑さの軽減 ■実装が簡単 ■市場投入までの時間を短縮 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

【主な利点】 ■PCBレイアウトの最適化による省面積化 ■オーバーシュートの改善 ■48Vの入力システムやコンバーターに好適 ■サーマルビアをMOSFETチップの直下に配置することで、RthJAを低下 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

【主な利点】 ■転流本格使用に備えた優れた堅牢性 ■バス電圧が上昇した設計のための安全マージンの追加 ■パワー密度の向上が可能 ■産業用SMPSアプリケーションにおける優れた光負荷効率 ■産業用SMPSアプリケーションにおける全負荷効率の向上 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

【主な利点】 ■逆電流保護 ■高速なレギュレーションループ ■優れた温度特性 ■安定した過渡応答 ■電圧監視機能（パワーグッド） ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

【主な利点】 ■広い入力電圧範囲 ■高速電圧レギュレーションループ ■受動部品のBOM削減 ■電圧監視機能（RESET） ■クランキング条件に好適 ■低消費電力 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

【主な利点】 ■使いやすい製品（プログラミング不要） ■様々なパワー技術（IGBT、SiC）の高い再利用率 ■ASIL C/Dに準拠したシステムの実装が容易 ■BoMの削減 ■基板面積の削減 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい

【主な利点】 ■BSVI/OBDII規格に対応した新しい排出ガス規制への対応 ■OBDII対応のための向上された診断機能 ■既存のEFI-ECUソリューションを使用したスケーラブルなアプローチにより、 　ソフトウェア開発の手間を軽減 ■ディスクリートソリューションの代わりにデュアルチップセットソリューション採用 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

【利点】 ■容易なシステム組み立て(PressFITによるはんだレス実装) ■容易な設計(熱管理に最適化された統合モジュールソリューション) ■高い信頼性(高い短絡耐久性、遮断電圧、パワー サイクル受容、沿面距離およびクリアランス距離) ■柔軟性(インバーター設計、モーター統合) ■車載用に完全に適合し、検証されている(AQG 324) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

【主な利点】 ■デュアルステージトポロジーとPFC機能を備えた幅広いアプリケーションに対応する低BOM ■プラットフォーム設計とウィンドウドライバーが可能 ■光の質を落とさず、低BOMで好適な効率と低EMIを実現 ■ICL8810は、マイクロコントローラに接続されたスマートライティング機能も搭載 ■ICL8820は、さらにDC動作でのEMI規制対応を低コスト、少ない手間で実現 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

【主な利点】 ■XHPモジュールの並列化による優れた拡張性 ■メカニカルデザインの簡略化によるデザインインプロセスの迅速化 ■クリーンなスイッチング ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

【主な利点】 ■システムレベルでのASIL Dの実現可能 ■175°Cまでの全温度範囲 ■+/-1% ライフタイムにおける電流精度 (-40°C～150°C) ■ステップ応答に対する優れたレギュレーション性能 ■優れたバッテリーリップル除去性能 ■4CH TLE9246xEDデバイスのファミリーコンセプトによる使いやすさ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

【主な利点】 ■プログラミング不要 ■モーターのパラメーター設定とチューニングが容易 ■外付けのオペアンプやコンパレータが不要 ■シングルシャントのセンサーレスFOC動作 (3シャント/ホールセンサーも対応可能) ■パワー ステージとモーターの完全保護 ■ゲート ドライバーとパワーステージ選択の高い自由度 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

【主な利点】 ■最高クラスのシステム効率 ■並列接続の必要性を低減 ■高電力密度 ■超低電圧オーバーシュート ■システムのコスト削減 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

【利点】 ■高い信頼性によりメンテナンスの手間を最小限にし、ダウンタイムを低減 ■並列接続用の特別な設計により、システムパワーを容易に拡張可能 ■短絡故障モードによりヒューズレス設計が可能 ■市場で高い電流耐量 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

【利点】 ■コレクタエミッタ間の飽和電圧VCE（sat）は、IGBT4に比べ20％低減し、 　かつターンオフ時の損失は同レベルを維持 ■過負荷時のTvjopは最大175℃で、ドライブアプリケーション向けに最適化 ■FS150R12N2T7では出力密度が最大37kW、FP200R12N3T7では最大45kWで、高い出力密度を実現 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

【利点】 ■価格性能比の向上 ■力率改善（PFC）、溶接アプリケーション向けに最適化されたダイオード ■スイッチング損失の低減 ■パッケージの汚染に対する信頼性の向上 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

【その他特長】 ■広範囲なdv／dt制御が可能 ■HV-H3TRB対応、宇宙線耐性の向上 ■より高いパルス電流3×Icnom対応 ■パラレル化が容易 ■より高い電力密度 ■ブロッキング電圧1200V ■TO247 3pinパッケージ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

【その他の特長】 ■ゲート酸化膜の高い信頼性 ■高電力密度とコンパクトな設計 ■高速DC充電向けに最適化された性能 ■双方向のエネルギーフローを実現 ■インバーター設計者向けの容易な設計と、高い自由度 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

【その他の特長】 ■設定可能なモーターブレーキモード、スリープモードでも低消費電流を実現 ■デュアルステージチャージポンプを内蔵し、Nch-MOSFETによるバッ テリー逆接を 　防止するとともに、通常レベルのMOSFETをモータ制御に使用可能 ■Adaptive MOSFET Controlは、消費電力とEMC性能のバランスをとり、 　MOSFETの種類やロットごとのばらつきを調整する ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

【ラインアップ】 ■TLE94112ES ■TLE94110ES ■TLE94108ES ■TLE94112ES_RPI_HAT ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

【その他の特長】 ■RDS（on）により、高い電力密度と効率を実現 ■最大175°Cの高い動作温度の高い信頼性 ■低いRthJC による優れた熱挙動 ■低い逆回復電荷（Qrr） ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

【対象となるアプリケーション】 ■電源分配 ■ボディーコントロールモジュール（BCM） ■ヒーター負荷 ■高エネルギー負荷 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

【機械的特長】 ■絶縁4.2kV/DC/秒 ■長い沿面距離とクリアランス距離 ■コンパクトなデザイン ■高い電力密度 ■直接冷却PinFinベースプレート ■高性能Si3N4セラミック ■UL94VOモジュールフレーム ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

【特長（Power、Primeモジュール）】 ■最高クラスの電力密度で、ピン互換の60mmパッケージ。モジュールの並列接続を回避 ■標準の60mmパッケージで最大のサージ電流耐量 ■短絡故障モードを備えた、定評ある圧接技術 ■最高クラスのDCブロッキング耐量 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

【主な利点】 ■特許取得済み回路構成 ■三相ドライバ、電源、通信インターフェースを統合 ■双方向の電流センスアンプCSAは、FOCを使用する場合、ホールセンサーの使用を冗長化可能 ■LINとCAN FDの互換性により、設計工数を軽減 ■ソフトウェア開発工数の削減 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

【その他の特長】 ■オンザフライ（無中断）でゲート抵抗の切り替えができるため、 　システム効率の最適化とEMI動作の改善を実現 ■入力フィルター内蔵のため、外付けのフィルターが不要 ■電圧クラス2300Vまでに対応 ■VDE 0884-11、VIORM = 1767V（ピーク、強化絶縁）およびUL 1577、 　絶縁耐圧（VISO）=6kV（rms）（1分間）、5.7 kV（rms）（1分間） ■高精度のしきい値とタイミング、およびUL 1577認証により優れた安全性を実現 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

【その他の特長】 ■低MOSFETスイッチング損失 ■低デッドタイム損失 ■優れたスイッチングノイズ耐性 ■ハードウェアベースの保護機能で安全な動作領域を確保 ■スタートアップ時のシュートスルー保護 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

【その他の特長】 ■高出力電流（実効値）により電力損失を削減 ■アプリケーションに依存するRBSOおよびSOAの仕様を拡張 ■競合製品に比べ10%以上低減、_STタイプではさらに損失を低減 ■過負荷や故障に対する比類ない堅牢性 ■システムコストを最大50%削減 ■標準パッケージのため、設計やメンテナンスが簡単 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

【主な利点】 ■特許取得済み回路構成 ■MOSFETのスイッチングを最適化することで、スイッチング損失の低減とEMCの最適化を実現 ■ハーフブリッジドライバ、電源、通信インターフェースを統合 ■(BL)DCモーターシステムICファミリー製品内における独自なハーフブリッジの 　スケーラビリティにより、市場投入までの時間を短縮 ■手動でアプリケーションを開閉する際、インテリジェントな 　モーターブレーキ機能によりECUレベルの損傷を防止 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

【主な利点】 ■優れた性能 ■PVインバータの完全な無効電力制御能力 ■最大効率99％ ■単相NPC1モジュールで100kVA以上の出力電力、三相NPC1モジュールで40kVA以上の出力電力 ■極めて低いスイッチング損失およびソフトターンオフに最適化されたS5チップと、 　極めて低いVce、satに最適化されたL5チップ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

【主な利点】 ■低導通損失 ■低スイッチング損失 ■高速ターンオン、ターンオフ ■並列接続の低減 ■堅牢で信頼性の高い性能 ■環境配慮型製品 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

【主な利点】 ■業界標準のパッケージ ■高いスイッチング周波数と低いスイッチング周波数に好適 ■アバランシェ耐量 ■MCUとのインターフェースが容易 ■Qfが低いため、低負荷時の効率が向上 ■設計の複雑さを軽減 ■エネルギー効率 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

【主な利点】 ■堅牢なリニアモード動作 ■低い伝導損失 ■高い突入電流により、迅速なスタートアップとダウンタイムの短縮を実現 ■互換性のあるフットプリントにより、ドロップイン交換が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。