インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　の製品・サービス一覧

『TLE9185QX/TLE9185QXV33』は、BDLCモーター制御用ハーフブリッジ3個、 電流センスアンプ1個、32ビットSPIインターフェース1個などの機能を備えた 三相モータードライバーICです。 MOSFETのスイッチングを最適化することで、スイッチング損失の低減と EMCの最適化を実現。 診断機能や監視機能も備えており、それぞれ5.0Vと3.3Vのマイコンで 動作するように設計されています。 【特長】 ■外付けNch MOSFET用の、3つのハーフブリッジゲートドライバ ■アダプティブMOSFETゲート制御 ■保護/診断のためのゲイン設定が可能なローサイド電流センスアンプを1つ搭載 ■設定/可能なウェイクアップソース ■最大25kHzのPWM周波数を持つ6つのPWM入力 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

iMOTION IMC300ファミリーは、iMC100ファミリーの高効率モーター制御機能 に加え、マイクロコントローラーを組み合わせて、アプリケーションにおける 柔軟性を最大限に高めています。 2つ目のマイクロコントローラーは完全に独立して作動し、またモーション コントロールエンジンの制御インターフェースに接続されているため、 機能を追加することが可能。 IMC300シリーズに、新たなパッケージ (QFP-48) が加わりました。 『QFP-48パッケージ』は、ピン数が少ないため、スペースに制約のある 設計でも使用できます。 【特長】 ■柔軟なアプリケーション要求に応える多ピンパッケージ ■BOMコスト削減 ・外付けのオペアンプやコンパレータが不要 ・シングルシャントのセンサーレスFOC動作 (レッグシャント／ホール 　センサーも対応可能) ■お客様のアプリケーションに柔軟に対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

インフィニオンの、革新的なソースダウン技術コンセプトを使用した 製品ラインアップが拡張されました。 PQFNパッケージ(3.3 x 3.3)に搭載された新製品のラインアップは、 25Vから100Vまでとなります。 ソースダウン技術は、シリコンダイを部品内部で上下逆にすることで、 デバイスやシステムレベルでの利点を提供しています。 【特長】 ■高い電力密度と性能 ■優れた熱性能 ■レイアウトの可能性を最大限に引き出し、基板専有面積を有効活用 ■センターゲート構造により複数のMOSFETの並列構成を簡素化 ■低いPCB損失 ■PCB寄生容量の低減 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『650V CoolMOS CFD7』は、高速ボディダイオードを内蔵し、大電力の 共振トポロジーに好適なスーパージャンクションMOSFETです。 スイッチング性能の向上と優れた熱特性により、LLCや位相シフトフルブリッジ (ZVS) 回路などの共振スイッチングトポロジーにおいて、高い効率を実現。 産業用SMPSアプリケーションにおける優れた光負荷効率と全負荷効率の向上、 また転流本格使用に備えた優れた堅牢性といった利点があります。 【特長】 ■転流本格使用に備えた優れた堅牢性 ■バス電圧が上昇した設計のための安全マージンの追加 ■パワー密度の向上が可能 ■産業用SMPSアプリケーションにおける優れた光負荷効率 ■産業用SMPSアプリケーションにおける全負荷効率の向上 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

700Vおよび800Vの『CoolMOS P7』パワーMOSFET製品ファミリーは、 フライバックベースの低消費電力SMPSアプリケーション向けに 開発されています。 保護用ツェナーダイオード内蔵。磁性体サイズ及びBOMコストの削減が 可能なほか、HBMクラス2レベルの高いESD耐久性を実現しています。 また、小型で高い電力密度の設計が可能で、幅の広い製品ラインアップから 適切な製品をお選びいただけます。 【特長】 ■コスト競争力のある技術 ■スイッチング速度の高速化による効率性の向上 ■磁性体サイズ及びBOMコストの削減が可能 ■HBMクラス2レベルの高いESD耐久性を実現 ■駆動しやすく、優れたデザイン性 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

SOT-223パッケージ搭載600V TRENCHSTOP『600 V RC-D2』をご紹介します。 ハードスイッチング低電力ドライブアプリケーション向けの第2世代 TRENCHSTOP RC技術は、幅広い低電力ドライブアプリケーション用に 手ごろな価格でプラグアンドプレイソリューションを提供。 向上した耐湿性をはじめ、20kHzまでの動作範囲、優れた制御性、新価格・ 性能基準といった特長を持つ製品です。 【特長】 ■競争力のある価格で低スイッチング損失 ■コントロール性の向上 ■耐湿性の向上 ■製品の設計が容易：SMDのDPAKおよびSOT-223パッケージへドロップイン交換 ■SOT-223でSMAのインバータ化が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『EiceDRIVER 1EDN71x6G』は、インフィニオン CoolGaN ショットキーゲート (SG)HEMTや、その他のGaN SG HEMTやSi MOSFETの駆動に最適化された、 シングルチャネルのゲートドライバーICです。 高速スイッチングトランジスタを用いた高性能なシステムを設計できる、 重要な機能がいくつか搭載。 これらの機能には、Truly Dif-ferential Input (TDI)、4つの駆動強度 オプション、アクティブミラークランプなどがあります。 【特長】 ■ハイサイド駆動とローサイドのグランドバウンス耐性 ■外付けゲート抵抗なしでスイッチング速度を最適化 ■アクティブミラークランプで誘導ターンオンを回避 ■オプションのチャージポンプにより、必要に応じて誘発される 　ターンオンイミュニティを追加することが可能 ■デッドタイム中のブートストラップコンデンサーの過充電を回避 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『MOTIX BTN9970LV』は、1つのパッケージにpチャンネルのハイサイド MOSFETとnチャンネルのローサイドMOSFETを1つずつと、ドライバーICを 搭載している製品です。 pチャネルのハイサイドスイッチによりチャージポンプが不要となり、 EMIを最小限に抑えることが可能。 ディスクリートソリューションに比べて、PCB面積とBOMを削減できるほか、 マイクロコントローラとの接続が容易です。 【特長】 ■大電流PMOS、NMOS、ドライバーICを1つの小型パッケージに集積 ■保護・診断機能 ■低い電流パス抵抗値 ■高い電流制限値 ■診断、電流検出、保護機能の統合によるシステムの信頼性向上 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『2ED4820-EM』は、SPIで制御される2出力のスマートハイサイドNチャネル MOSFETゲートドライバーです。 ドライバーのターンオンおよびターンオフの性能が強化されているため、 MOSFETの数を簡単に増やすことが可能。高速スイッチオン/オフ能力を 確保しながら、数百アンペア単位の大電流を制御することができます。 また、内蔵の電流センスアンプは、ハイサイドおよびローサイドの電流測定に 対応し、専用のモニター出力を備えています。 【特長】 ■幅広い動作電圧範囲：20V～70V ■2つの独立したハイサイドゲートドライバ出力(1Aプルダウン、 　0.3Aプルアップ)による高速スイッチオフ/オン ■電流検出 ■SPIによるデバイスの制御、設定、および診断 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『MOTIX 6EDL7141』は、BLDCモーターやPMSMモータを使用した 高性能なバッテリー駆動製品の開発を可能にする三相モーター制御 ゲートドライバーICです。 コードレス電動工具、園芸用品、無人搬送車などの用途に好適。 内蔵のデジタルSPIインターフェースを用いて50以上のパラメーターを 設定できるため、幅広い種類のMOSFETを駆動することが可能です。 【特長】 ■内蔵電源 ■ゲートドライブのパラメーターを調整し、スルーレートとEMIを最適化 ■電流シャントアンプ x 3 ■完全な専用モーター制御保護スイート ■外付け部品数とPCB面積の削減 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『IAUZ40N06S5L050/IAUC41N06S5N102』は、低いRDS(on)、QG、ゲート容量で 先端の性能を提供する車載60VMOSFETファミリーのOptiMOS 5新製品です。 既存の製品ファミリーに加えて、業界標準の小型パッケージのS3O8(3x3mm2)と SingleSS08(5x6mm2)の2つが加わりました。 異なるボードネットに対して統一されたプラットフォーム コンセプトを 目指す場合、お客様の開発コストを削減することができます。 【特長】 ■スイッチング動作の最適化 ■高負荷対応の銅製クリップ ■最大41Aまでの電流負荷 ■コンパクトでありながら優れた熱性能 ■EMC性能の改善 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

インフィニオンは、150VのOptiMOS 5パワーMOSFETの製品ラインアップを TO-Leadlessパッケージを採用した製品に拡大しています。 大電流設計、高電力密度、低EMIが可能。小型電気自動車、eスクーター、 ホットスワップ、バッテリー管理システムなどのアプリケーションに好適。 接触面積の増加によりエレクトロマイグレーションが大幅に減少します。 【特長】 ■最大300Aまでの高電流に対応 ■接触面積の増加によりエレクトロマイグレーションが大幅に減少 ■非常に低いパッケージ寄生容量 ■リードレスパッケージ ■並列接続数や冷却の必要性を低減 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

本製品ファミリーは、高速COTエンジンを搭載しており、Vout制限を 向上させコンデンサーを節約し、より高いfsw(最大2MHz)を可能にして 集積度を高めています。 インフィニオンOptiMOS 5 MOSFETは、小さなフットプリントでベンチマーク となる効率性を実現。 主電源電圧が3.3Vおよび5V、コア電圧が1V、エアフローなしでTamb≧85℃ といった熱的制約のあるアプリケーションにおいて、電力損失を低減します。 【特長】 ■インフィニオンのFASTコンスタントオンタイムエンジンとフロアコントロール ■新しいインフィニオン製MOSFET(OptiMOS 5)を搭載し、効率性を向上 ■4mm x 5mmの小さなフットプリントで30Aの熱伝導性を実現 ■高いスイッチング周波数(fmax 2 MHz)による高密度化 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『EiceDRIVER F3 Enhanced(1ED332x)』は、絶縁型ゲート短絡保護(DESAT)、 ソフトターンオフ、アクティブミラークランプなどの保護機能を備えた ドライバーファミリーです。 本ゲートドライバーファミリーは最大出力電流8.5 Aを備えています。 また搭載する短絡保護機能は、IGBTおよびSiC MOSFETの双方に好適。 アクティブミラークランプは、SiCMOSFETやTRENCHSTOP IGBT7を使用した 高速スイッチングアプリケーションに適しており、寄生ターンオンを防ぎます。 【特長】 ■最大耐圧2300VのIGBT、SiCおよびSi MOSFETに使用可能 ■+6 A / -8.5 Aの代表的なシンクおよびソースピーク出力電流 ■フォールト出力による高精度VCEsat検出(DESAT) ■非飽和検出後のソフトターン オフ ■アクティブ ミラー クランプ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『OptiMOS 5 MOSFET 25V/30V』は、高性能アプリケーション向けに最適化された 製品です。 小型な外形、オン抵抗〔RDS(on)〕、スイッチング性能において、素晴らしい 新基準を打ち立てました。 PQFN 2x2パッケージのきわめて低い熱抵抗。基板の配線設計の自由度が 高い小型パッケージです。 【特長】 ■高性能アプリケーション向けに最適化 ■高い効率と電力密度を実現するために最適化済み ■大幅な省スペース化を実現 ■システムコスト削減 ■きわめて低い電圧オーバーシュート ■並列化の必要性を低減 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『OptiMOS 5 60V パワーMOSFET』は、25℃と175℃での低いオン抵抗RDS(on)と 高い連続電流(最大330A)を実現した製品です。 インフィニオンのSuperSO8パッケージのOptiMOS MOSFETは、OptiMOS 3および5の 製品ラインアップを拡張し、堅牢性の向上に加えてさらに高い電力密度を実現。 システムコストの低減と性能向上の必要性に対応します。 逆回復電荷(Qrr)が低いため電圧オーバーシュートを大幅に減少、スナバ回路を 最小限に低減、エンジニアリングコストと労力を軽減など、システムの信頼性が 向上します。 【特長】 ■導通損失を低減し、電力密度と効率を向上 ■並列接続数を低減し、システムコスト削減を実現 ■オーバーシュート低減 ■優れた熱挙動 ■最大175℃の高い動作温度定格 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『MERUS MA5332MS』は、ヒートシンクなしでモノリシックな代替品以上の 出力を提供し、実装面積を50％削減したマルチチップモジュールです。 当製品ソリューションは、デュアルチャネルPWMコントローラー、 高電圧ゲートドライバー、および低RDS(ON)MOSFETを4つ集積。 また、様々な環境条件下で信頼性の高い動作を実現するために、クラスDの 保護機能を標準搭載しています。 【特長】 ■インフィニオンの業界最高レベルの低RDS(ON)中電圧MOSFETを搭載 ■高耐圧100V ■過電流保護、過熱保護、低電圧保護(セルフリセット機能付) ■同じ電力レベルのモノリシック方式に比べ、ヒートシンクレス 　ソリューションが可能 ■低電圧BTL方式からバスコンデンサや出力フィルタを削減した 　ハイパワーSE(シングルエンド)設計が可能 ■D級設計を簡素化し、外付け保護回路が不要 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『EasyPACK 2B パワー モジュール』は、UPSアプリケーションのより高い 電力要件に対応するよう設計された製品です。 今回、ポートフォリオによって、UPSシステム全体での定格電力を30kWから 40kWまで拡張。 3レベルおよびブースター ソリューションのラインアップにより、 インバータ設計において高い自由度を提供します。 【特長】 ■Easy 2Bパッケージ ■650V ■IGBT Highspeed 3 ■PressFITピン ■幅広いラインアップ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『TLE92464EDHP』は、オートマチックトランスミッション、エレクトロニック スタビリティコントロールなどのアプリケーションにおける 4つのリニアソレノイドの制御用に設計された高精度でフレキシブルな モノリシック4チャンネルソレノイドドライバーICです。 振幅、周波数、波形をプログラム可能なディザジェネレータを内蔵。 システムレベルでASIL Dを実現可能です。 【特長】 ■高い電流制御精度 ■内蔵MOSFETによる4つの独立したローサイドチャネル ■0mAから1.5Aまでプログラム可能なセットポイント ■ディザを含む負荷電流1.8A ■パラレルチャネルモード時の電流2.7A ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『TLF35584QVHS1/2』は、広い入力電圧範囲の効率的で柔軟なプリ/ポストレギュレーター コンセプトにより、マイコン、トランシーバ、センサーに3.3V/5V電源を 供給する、過酷な環境、および安全関連アプリケーション向けの 多出力システム電源です。 過酷な使用環境に好適。ドライブ プロファイルと製品ライフサイクルの延長を 実現します。 効率性と柔軟性があり、システムレベルでASIL-Dが実現可能です。 【特長】 ■AEC-Q100グレード0認定 ■ISO 26262-ASIL-Dまでの機能安全要求に対応 ■プリ/ポストアーキテクチャによるマルチレール電源 ■電圧監視 ■柔軟な安全状態制御 ■ウィンドウ＆機能ウォッチドッグ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

CoolSiC MOSFET技術は、炭化ケイ素(SiC)の強力な物理的特性を活用し、 デバイスの性能、堅牢性、使いやすさを向上させる独自の機能を追加しています。 コンパクトなSMD 7ピン パッケージのCoolSiC MOSFET 650Vは、 高電力アプリケーションをターゲットとするインフィニオンSiCトレンチ技術を 使用して構築されています。 これは、最大クラスのシステム性能、小型化、信頼性を実現するよう 最適化されています。 【特長】 ■低いQrrとQoss ■低スイッチング損失 ■堅牢な転流ボディダイオード ■優れたゲート酸化膜信頼性の優れたトレンチ技術 ■アバランチ性能の向上 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『EiceDRIVER 2EDN』は、標準/スーパージャンクションMOSFETや ワイドバンドギャップパワースイッチングデバイスの駆動に好適な 高速デュアルチャネル 4A/5Aゲートドライバーです。 アクティブ出力クランプにより、ブートストラップ設計の起動時間を短縮。 大出力電流能力、厳しいタイミング仕様、出力のスタートアップと シャットダウン時間の短縮により、2EDNファミリは多くの高速スイッチング アプリケーションにとって第一の選択肢となります。 【特長】 ■最大±5Aのソース/シンク電流 ■伝搬遅延19ns typ. ■伝搬遅延精度 +6/-4ns ■出力立ち上げ時間1.8μs ■出力シャットダウン時間500ns ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『AIKQ120N75CP2/AIKQ200N75CP2』は、xEV トラクション インバーター用に 設計されたインフィニオン車載用750V EDT2 ディスクリートIGBT、 To247PLUSパッケージです。 並列化により、異なる電力クラスのインバーターを同一製品で対応でき、 電力の拡張性とコストの最適化が可能。 470Vdcシステム対応のベンチマーク品質とスイッチング性能があります。 【特長】 ■コレクターエミッター間耐圧750V ■スムーズなスイッチング特性 ■きわめて低いVCE(sat)、IC(nom)=200Aで1.30V ■高い短絡耐量 ■きわめて緻密なパラメータ分布 ■低ゲート電荷QG ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『MOTIX BTN9990LV』は、pチャネルハイサイドMOSFETと、nチャネルローサイド MOSFET、ドライバーICチップを1パッケージ化した製品です。 ディスクリートソリューションと比較して、PCB面積とBOMが少なく、 診断、電流検出、保護機能を統合し、システムの信頼性を向上。 大電力のPMOS、NMOS、ドライバーICを統合し、設計と製造の工数を 最小限に抑えます。 【特長】 ■pチャネルハイサイドMOSFETと、nチャネルローサイドMOSFET、 　ドライバーICを小型のHSOF-7パッケージに搭載 ■AEC-Q100/Q006認証(グレード1) ■パス抵抗 typ.5.3mΩ@25℃(最大9.6mΩ@150℃) ■電源電圧範囲8V～18V(最大40Vまで) ■低暗電流(最大3.3μA@85℃) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『CIPOS Tiny 600V/15A』は、最大1.5HPのインバーター電力定格に、 最適化された性能とコンパクトなサイズで構成された三相IGBTベースの インテリジェントパワーモジュールです。 新しいスイッチおよびゲートドライバー技術で最高クラスのパフォーマンスを実現。 実績があり、堅牢性が強化されたパッケージで高信頼性を提供いたします。 ご用命の際はお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■TRENCHSTOP RC-D2 ■C5SOI 三相シングルゲートドライバー ■動作範囲：1～20kHz ■RC-D2の最大ジャンクション温度175℃ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

TO247パッケージの『CoolSiC 1200V SiC MOSFET』に新たに登場した 「低オン抵抗領域7mΩ/14mΩ/20mΩ」は、最適化された先端のトレンチ 半導体プロセスに基づいて構築され、性能と信頼性を両立した製品です。 放熱性能15％向上し、単一デバイスで最高レベルの出力密度を実現。 実績済みの強化パッケージによる堅牢性で高信頼性を提供します。 また、設計が容易で、市場投入までの時間を短縮できます。 【特長】 ■TO247パッケージできわめて低いRDS(on) ■.XT技術で最高クラスの放熱性を実現 ■ゲート負電圧の定格を-10Vまで低下 ■-5V～0Vまでゲートオフ電圧の柔軟な選択 ■アバランシェおよび負荷短絡耐量 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社で取り扱う『FS3L200R10W3S7F_B94』は、Easy 3Bパッケージ搭載の 3レベルブーストモジュールです。 500W以上の出力に対応する両面発電PVモジュールに対応。 EasyPACKの高さが12mmで統一されているため、設計の際はMPPT段と インバーター段にEasy 1B、2B、3Bを簡単かつ柔軟に組み合わせることが 可能です。 【特長】 ■CoolSiC ショットキーダイオード ■950V Trenchstop IGBT7 ■高耐久性バイパスダイオード ■出力500W以上の二面PVモジュールに対応 ■デュアルブーストトポロジー ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『ダイオード ブリッジ整流器モジュール』は、サーボドライブ、 特にAC-ACパワーステージに適した製品です。 Easy1BパッケージにTRENCHSTOP(TM)IGBT 7を搭載し、チョッパー構成に なっており、ユーザーに優れた選択肢を提供。 新しいマイクロパターントレンチ技術に基づく1600V整流ダイオード、 IGBT、ブレーキチョッパー ダイオードは、ドライブアプリケーション 向けに最適化されています。 【特長】 ■Easy1Bパッケージ ■1600V/50A ■PressFITピン、またははんだピンソリューション ■熱伝導材料(TIM)塗布の選択が可能 ■高さ12mmの完全なポートフォリオ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『電圧レギュレーター モジュール』は、設計が容易な完全集積型の 3A降圧型コンバータです。 コンパクトな設計で、広い入力電源範囲において高効率の負荷および ラインレギュレーションを実現。インダクタとコンデンサーを内蔵 しているため、外付け部品が少なくて済み、基板面積を80％削減。 そのため、寄生パラメータを最小限に抑えながら、 より高い電力密度を実現します。 【特長】 ■シャットダウン時の消費電流10μA ■強制連続導通モードオプション ■熱補正済み内部過電流保護機能 ■高精度基準電圧(0.5V±1.0％) ■鉛フリー、ハロゲンフリー、RoHS 6に準拠 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社の『車載向けLEDライト用DC-DCコントローラー』は、自動車の 外部/内部照明用の診断/保護機能を内蔵した、デュアルチャネル構成です。 PMOSを用いたハイサイド負荷遮断で確実な保護を実現。 チャンネルごとにブースト、バック、バックブースト、SEPIC、 フライバックトポロジーが設定可能で、出力電流/電圧は一定です。 【特長】 ■デュアルチャンネルピーク電流モードコントローラー ■PWM調光および出力遮断用の高集積PMOSゲートドライバー ■逆位相のチャネル ■広い入力電圧範囲：4.5V～60V ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『1200V MOSFETパワー モジュール』は、第1世代 CoolSiC MOSFETから 進化したM1Hテクノロジーを搭載したリードタイプの製品です。 推奨VGS(on)15V～18VおよびVGS(off)0V～5Vと、ゲート駆動電圧範囲を 大幅に拡大。また、オーバーシュートとアンダーシュートをカバーする ために最大ゲートソース電圧を+23Vと-10Vに拡大しています。 VGS(th)の安定性向上により、スイッチング時のドリフトを大幅に低減し、 同時にRDSon性能を125℃で約12％向上しました。なお、デバイスの 基本コンセプトは変わらず、セルレイアウトやサイズにも変更はありません。 【特長】 ■Easy 1B、2B、3Bパッケージ ■1200V CoolSiC MOSFETM1H(強化型第1世代) ■最大ゲートソース間電圧+23V～-10Vに拡大 ■6パック、3レベルまたはハーフブリッジ構成 ■PressFITピン ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『1700V IGBTパワー モジュール』は、一般的なIGBT世代に比べて、 同じフレームサイズでインバータ出力電流が最大40％向上します。 大型ダイオード(1200A)を搭載し、風力発電や静止型VAR発電機(SVG)用途に 最適化。モジュールの電力密度が高いため、IGBTモジュールの並列配置を 避けることができ、インバータ設計の簡素化とコスト低減につながります。 ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■225A、750A、900A ■ハーフブリッジ構成 ■TRENCHSTOP IGBT7 ■改良型EconoDUAL 3パッケージ ■過負荷時最大温度175°C ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当製品は、IGBTパワー半導体を使用した大電力システムの現在 から将来までのさまざまな要件を満たすよう設計されています。 外気に対する堅牢性、幅広いクランプ力を実現。 この新しいプレスパックIGBTは、フリーホイーリングダイオード 内蔵品は定格2000A品、非内蔵品で定格3000A品をご用意しており、 対象アプリケーションに併せて好適設計されています。 【特長】 ■4.5kV Trench IGBTチップ ■長期にわたる故障時短絡特性 ■圧接設計 ■密封パッケージ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『MOTIX IMD700A/IMD701A』は、XMC1404マイクロコントローラーと MOTIX 6EDL7141 3相ゲート ドライバーICを1パッケージ化した フルプログラマブル モーター コントローラーです。 プロ用コードレス電動工具、ガーデニング製品、電子自転車、 自動搬送車などのアプリケーションに好適。 高精度電源と電流シャントアンプを内蔵しているため、多くの周辺回路が 不要になり、PCBスペースの削減、電力密度の向上、システムパッケージング の可能性の向上を実現します。 【特長】 ■数値演算コプロセッサー搭載 XMC1404 ■内蔵電源 ■調整可能なスルーレート ■プログラマブル ゲート ドライブ パラメーター ■電流シャントアンプ×3 ■完全な専用モーター制御保護スイート ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『EconoDUAL3Waveパワーモジュール』は、裏面にリボンボンディングを 追加し、直接水冷による高度な冷却コンセプトを採用した製品です。 リボンボンド ソリューションは、トラック、バス、ドライブ、 風力発電などのアプリケーションで、全体温度とリプルを低減。 温度を約25K下げることができ、最大で6倍の寿命延長が可能です。 また、同じ寿命レベルであれば、電流を最大30％増加させることができ、 加えて熱伝導グリスが不要なため、インバータ製造の簡素化にもつながります。 【特長】 ■EconoDUAL3パッケージ ■1200V、600Aおよび900A ■TRENCHSTOP IGBT7チップ(FF900のみ) ■リボンボンド構造のベースプレートによる直水液冷ヒートシンク ■PressFITコントロールピンとねじ式電源端子 ■コンパクトで堅牢なデザインのモールド端子 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『EconoPIM/EconoPACK2/EconoPACK3』は、TRENCHSTOP IGBT7チップを搭載 した製品です。 6パック構成の「EconoPACKモジュール」に、50、75、100、200Aのバージョン が追加。また「EconoPIMファミリー」には、適用済みの熱伝導材料(TIM)、 はんだピン、PressFITオプションなど、お客様が選択可能なオプションを追加。 IGBT7は電力密度が高く、スイッチング周波数が向上しているため、 冷却を簡素化可能です。 【特長】 ■1200V、50A～200A ■Econo2およびEcono3パッケージ ■PIMおよび6パックトポロジー ■新しいTRENCHSTOPIGBT7チップ ■はんだピン、PressFITピンおよびTIM(熱伝導材料)塗布のオプションを選択可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『TLD6098-1EP』は、自動車の外部/内部照明用の診断/保護機能を内蔵した、 シングルチャネル構成のDC-DCブーストコントローラーです。 スペクトラム拡散変調により、100kHz～500kHzの柔軟なスイッチング 周波数範囲を実現。 アナログ調光およびPWM調光機能(内蔵または外付け)により、 LEDの平均電流を調整可能です。 【特長】 ■ピークカレントモードコントローラー ■ブースト、バック、バックブースト、SEPIC、フライバックトポロジーにて 　定電流、定電圧が設定可能 ■内蔵5Vレギュレーターからローサイドの外付けnチャネル スイッチング 　MOSFETを駆動 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『OptiMOS(TM)6 sTOLL』は、様々な車載アプリケーション、特に CO2フレンドリ車のEPS、DC/DC、BLDC向けのパワーMOSFETです。 250Aの大電流に対応し、最高クラスの電力密度および電力効率を実現。 堅牢な車載用パッケージとして知られるインフィニオンの 品質レベルで提供します。 【主な特長】 ■先端MOSテクノロジーを使用したリードレスパッケージ ■7×8mm2の小さなフットプリント ■250Aの大電流容量 ■パッケージ抵抗が低く、浮遊インダクタンスが最小限に抑えられている ■自動光学検査(AOI)対応パッケージ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『PrimeBlock DD170N36K』は、耐圧3600V、連続電流170Aの 34mmパッケージの整流ダイオードモジュールです。 本パッケージは、絶縁銅ベースプレートを使用した圧接を特長としています。 中電圧ドライブを設計しているお客様は、50mmの代わりに34mmパッケージで 耐圧3600Vという、小型フットプリントのメリットを享受できます。 【主な特長】 ■圧接技術による高い信頼性 ■工業規格パッケージ ■電気絶縁ベースプレート ■耐障害性 ■高い堅牢性と信頼性 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『TLD5191ES』は、保護機能を内蔵した同期整流方式4スイッチ 昇降圧型DC/DCコントローラーです。 本製品のコンセプトは、高出力LEDを駆動する車載用外装照明において、 最大限のシステム効率と最小限の外付け部品数に有効。 高効率によるコンパクトな設計が可能なほか、EMIの放射ノイズの発生を 低減します。また、信頼性の高い保護機能により、負荷の診断が容易です。 【主な特長】 ■広いVIN範囲(4.5V～40V) ■広いLED順方向電圧範囲(Vout：2V～55V) ■スイッチング周波数範囲：200kHz～700kHz ■EMCに最適化されたデバイス：スペクトラム拡散が常に有効 ■過電圧、LED短絡、過熱診断を出力 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『EasyPACK 4B 950Vパワーモジュール』はTRENCHSTOP IGBT7および 1200V CoolSiC ショットキーダイオードを搭載した製品です。 内部のANPCトポロジーは、DC1500Vのソーラーストリング インバーターに好適で、1枚のモジュール構成で最大350kWを実現。 また、12mmのパッケージのため、お客様の設計に合わせた アップグレードが容易に行えます。 【特長】 ■新しいEasy4Bパッケージ ■ANPCトポロジー ■PressFITピン ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『TDA38640/740/725』は、Intel SVIDおよび I2C/PMBusインターフェイスを備えた、使いやすい 完全統合型高効率DC-DCレギュレーターです。 40A/25A OptiMOS IPOLデジタルインターフェイス搭載。 また、インフィニオンの高速COTエンジンを利用しているため、 設計の手間が省け、より高速な過渡応答を実現できます。 【特長】 ■新しいEasy 4Bパッケージ ■出力電圧範囲：0.25V〜3.04V ■高い安定性のエンジン ■軽負荷時の効率を改善 ■プログラム可能なスイッチング周波数 ・200kHz間隔で400kHz～2MHz(1600kHzを除く) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『800V/950V CoolSET』は、800Vのブレークダウン 電圧と追加された950Vのアバランシェ耐圧高電圧 スーパージャンクションMOSFETを統合し、広い入力電圧範囲に 対応する固定周波数AC-DC統合電源です。 DIP-7パッケージに収納され、フライバックやバックなどの 絶縁型および非絶縁型トポロジーをサポート。 また、100kHzおよび65kHzのスイッチング周波数範囲を カバーしています。 【特長】 ■800V、950Vアバランシェ耐圧超接合MOSFETと一体化 ■連続伝導モード(CCM)、不連続伝導モード(DCM)対応 ■ダイレクトフィードバック対応エラーアンプ内蔵 ■自動再起動を備えた包括的な保護機能群 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『ICC80QSG』は、擬似共振モードやバレースイッチングDCMで 動作するフライバックトポロジー用のPWMコントローラーで、 広い動作範囲で高効率の電力転送を実現します。 充電用途では、広い電力範囲と包括的な保護機能を提供。 また、ICの設計が容易で、必要な外付け部品も小さく済みます。 【特長】 ■2次側レギュレーション(SSR) ■擬似共振モード(QRM)動作 ■バーストモード(微少負荷時) ■バーストモード時のゲートドライバー出力電圧の低減 ■谷間変化位置でのオンタイムマッピングを調整可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『1ED44171N01B』は、故障検出機能を搭載したEiceDRIVER 25V 1ch ローサイド非反転ゲートドライバーICです。 小型5ピンPG-SOT23パッケージで、ソース/シンク電流は 標準値で2.6 Aを提供。 また、1つのPCBレイアウトで、ニーズのあるIRS44273Lの セカンドソースオプションとして併用することができ、 柔軟性のある供給を迅速に対応できる二社購買戦略を 単一サプライヤーで実現します。 【特長】 ■最大25Vの広いVCC電源電圧範囲 ■フォールト出力およびイネーブル機能用1端子 ■プログラマブルなフォールトクリアタイム ■低電圧誤作動防止機能は、標準値のオン/オフ＝11.9V/11.4V ■3kV ESD HBM ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。