インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　の製品・サービス一覧

『StrongIRFET2パワーMOSFET60V』は、 幅広いアプリケーションに対応するインフィニオンの MOSFET技術です。 低速および高速の両スイッチング周波数に好適。 当製品は、定評のあるStrongIRFET MOSFETを補完し、 より高性能な選択肢を提供します。 【特長】 ■販売パートナーからの幅広い供給 ■優れた価格性能比 ■高速/低速両方のスイッチングに好適 ■高い電流定格 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『CIPOS Mini IM523シリーズ』は、インフィニオンの新しい 600V TRENCHSTOP RC-Drive2とC5SOI ゲートドライバーを組み込んだ製品です。 低中電力アプリケーション向けに優れた電力損失と熱性能の両方を 達成可能。 当シリーズは、600V、6A～17Aの三相インバータ向けの ソリューションで、ファン、ポンプ、空調、MHA、産業用ドライブなど、 さまざまな用途に適しています。 【特長】 ■600V TRENCHSTOP RCD2 IGBT技術を使用 ■6Aから17Aまで、さまざまな電流定格をご用意 ■SOI技術による新しいゲートドライバーIC ■オープンエミッタの3相インバータ構成 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『2ED2410-EM』は、ロジックピンによる2出力制御や、統合された I-tワイヤー保護を含むスマートなハイサイドNチャンネルMOSFET ゲートドライバーです。 新しい自動車電源アーキテクチャ向けに設計。 また、昇圧コンバータを内蔵しているため、電源電圧が3Vまで 低下した場合でも外付けMOSFETを連続的にオンさせ、 動作させることが可能です。 【特長】 ■電源電圧の範囲を拡張：3V～58V ■2つのハイサイドゲートドライバ出力で、高速スイッチオフ/オンが可能 ■2つの双方向ハイサイドアナログ電流センスインターフェイス ■端子によるチャンネル制御/診断 ■外部温度測定用アナログインターフェイス ■ゲート低電圧ロックアウト(UVLO) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『CoolMOS S7』は、コンパクトなSMDパッケージの 高電圧SJ MOSFETに関して、低伝導損失と低いRDS(on)を 特長として最適化されている製品です。 RDS(on)×価格メリットの数字を搭載し、ソリッドステート回路 ブレーカーやリレー、PLC、バッテリー保護、ハイパワー電源の アクティブブリッジ整流に好適。 また、トップサイド冷却により伝導損失を小さく抑え、 電力密度を大きくする、効率的なSMD冷却を実現しました。 【特長】 ■低RDS(on) ■コンパクトな上面冷却型QDPAK＆TO-220パッケージ ■導通性能に最適化 ■耐熱性の向上 ■高パルス電流対応 ■ケルビンソース端子により、大電流でのスイッチング性能を改善 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『T1400N16H75』は、低電圧ソフトスターター、UPSバイパス、 低電圧ドライブ向けの費用対効果の高い完全統合ソリューションの パワーディスクです。 75mmパッケージで高い連続電流を実現し、新規および既存の設計に 使用することが可能。 また、Tjmaxを125℃から135℃まで10K高めた 「T1700N16H75」もご用意しております。 【特長】 ■直径75mm、高さ26mmのパワーディスク ■1600V ■セラミックパッケージ ■Advanced Medium Power Technology ■全温度範囲で50/60Hzの完全な耐圧特性 ■高いDC耐圧 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『CoolMOS SJ MOSFET』製品は、伝導損失、スイッチング損失、 駆動損失の点で優れた性能指数を誇ります。 非常に効率的でコンパクトなシステム設計が可能になり、より優れた性能の 製品に対する将来の需要に対応できます。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 　詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『CoolGaN IPSハーフブリッジ600V』は、低～中電力領域(30～500W)の コンパクトな家電製品の設計をサポートするのに好適な製品です。 2つのデジタルPWM入力を使用することにより、このデバイスは使いやすい デジタル入力から電源出力までのソリューションを実現します。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 　詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『CoolGaN 600V e-mode GaN HEMT』は、通信機器、データ通信、サーバSMPS に加え、ワイヤレス充電、充電器、アダプターなどに適している製品です。 表面実装パッケージによるGaNスイッチング性能の最適化が可能。 使いやすい強力なドライバICです。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 　詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『CoolMOS SJ MOSFET』の利点をご紹介いたします。 ハードスイッチングでは、力率改善回路に使用可能。また、 ソフトスイッチングでは、ZVS位相シルトフルブリッジや LLCハーフブリッジに好適です。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 　詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『CoolGaN 600V』は、魅力的なシステム全体のコストで堅牢で 信頼性の高いシステム設計を実現する製品です。 「GAN EiceDIVER IC」で「CoolGaN HEMT」を駆動すると、幅広いスイッチング 周波数とデューティサイクルにわたって設定可能な一定のGanスイッチング スルーレートにより、堅牢で効率的なGaN動作を実現します。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 　詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『LLC共振モードコントローラーIC』は、ZVSモードで動作するため、スイッチング 損失が低減され、コンバータのスイッチング周波数が高くなる製品です。 さらに、高い入力電圧でコンバータをさらに最適化。 このトポロジにより、2次フィルタのインダクタを排除し、より優れた 整流ダイオードを採用し、2次導通損失を低減することができます。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 　詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『連続導通モード PFC IC』は、BiCMOSテクノロジーを採用した第2世代の 連続伝導モード(CCM)PFCコントローラーです。 前世代と比較して、内部リファレンスが低く、3Vにトリミングされているほか、 より広いVCC動作範囲、改善された内部発振器、追加の直接バルクコンデンサ 過電圧保護などの利点があります。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 　詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『XDPP1100』は、インフィニオンの高度に統合されたプログラム可能な デジタル電源コントローラです。 絶縁トポロジを備えた48V DC-DC電源アプリケーション向けの高度な電源制御 ソリューションを提供します。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 　詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『BCR431U』は、小型SOT23-6パッケージに収められたリニアLEDドライバICです。 外部パワートランジスタなしでスタンドアロン動作でLED電流を調整。 最大37mAの電流の駆動に適しており、ICの電源電圧範囲は6V～42Vです。 LED電流レベルは、高抵抗抵抗RsetをピンRSに接続することで調整できます。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 　詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『ICL5102HVおよびICL5102』は、固定または可変スイッチング周波数制御を 備えた共振ハーフブリッジ(HB)コントローラーです。 統合された2段階の組み合わせコントローラー(PFC＋LLC/LCC)により、 部品表(BOM)とフォームファクターを最適化しながら、外部コンポーネントの 数を削減できます。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 　詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『BCR430U/BCR431U』は、小型SOT23-6パッケージに収められたリニア LEDドライバICです。 外部パワートランジスタを使用せずにスタンドアロン動作でLED電流を調整。 最大37mA/100mAの駆動電流に適しており、ICの電源電圧範囲は6V～42Vです。 LED電流レベルは、高オーム抵抗RsetをピンRSに接続することで調整できます。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 　詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『XDPL8210』は、高力率と高精度の一次側制御定電流出力を備えたデジタル 単段疑似共振フライバックコントローラーです。 このデバイスの制限電力モードにより機能安全性が向上し、洗練された アルゴリズムにより1％未満のちらつきのない調光が実現。 IEC61000-3-2クラスCデザインを完全にサポートしています。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 　詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『SmartRectifier』ファミリは、幅広いトポロジーにわたるすべての 動作モードに対して、シンプルで高効率の二次側同期整流を提供する製品です。 超低スリープモード電流を備えた「IR1163」や、ショットキーダイオード整流器の 動作をエミュレートできる「IR1166(2)」および「IR1167(2)」などの複数タイプが ございます。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 　詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『NLM0011』は、パルス幅変調(PWM)出力を備えたデュアルモード NFCワイヤレス構成ICです。 主にNFCプログラミングを可能にするLEDアプリケーション用に設計。 さらに、コンスタントルーメン出力(CLO)やオン/オフカウントなどの高度な機能が 統合されています。なお、「NLM0010」は、CLO機能を省いた軽量版です。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 　詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『ILD8150/ILD8150E』は、高出力LEDを駆動するように設計された80V DC-DC コンバータICです。 安全超低電圧(SELV)制限近くで動作するアプリケーションに対して、高い 安全電圧マージンを提供します。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 　詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『25V統合パワーステージ』は、業界水準の5×6フットプリントとさまざまな 電流定格で利用できる製品です。 プロセッサーの電力を管理するクラス最高水準の効率デバイスを提供。 サーバー、通信及びデータ通信アプリケーションにおけるCPUコアだけでなく GPUおよびDDRメモリの電力供給にも最適化されています。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 　詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『BCR601』は、外付けドライバトランジスタを使用してLED電流を制御する リニアLEDコントローラICです。 NPNバイポーラトランジスタまたはNチャネルMOSFETをサポートし、 最大数アンペアまでの広いLED電流と電力範囲をカバー。 LED電流は、外部電流検出抵抗の寸法を決定することで完全に拡張可能です。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 　詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『XDP LED-XDPL8105』は、定出力電流LEDドライバ用の力率補正(PFC)を備えた 高性能マイクロコントローラベースのデジタル1段フライバックコントローラです。 デジタルエンジンにより、動作パラメータと保護モードを構成可能。 設計フェーズが容易になり、ハードウェアのバリエーションの数を減らすことが できます。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 　詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『XDP デジタルパワーXDPL8219』は、高い力率の定電圧出力を提供する フライバックICです。 90VAC～305VACの広い電圧範囲と公称電力の許容範囲にわたって、優れた 電力品質で安定して動作。 IEC 61000-3-2 クラスC要件を満たしています。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 　詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社で取り扱っている「F3L600R10W4S7F_C22」についてご紹介いたします。 内部のANPCトポロジーは、DC1500Vのソーラーストリングインバーターに 好適で、1枚のモジュール構成で最大350kWを実現します。 他のEasyシリーズと同じ高さ12mmのパッケージのため、お客様の設計に 合わせたアップグレードが容易に行えます。また、ケーブルなどの部品が 少なくて済むため、システムコストを削減することができます。 【特長】 ■新しいEasy4Bパッケージ ■ANPCトポロジー ■950V TRENCHSTOP IGBT7と1200V CoolSiC ショットキーダイオード ■PressFITピン ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

「StrongIRFET 2 in 60VパワーMOSFET」は、幅広いアプリケーションに 対応する当社の先進世代のMOSFET技術で、低速および高速の 両スイッチング周波数に適しています。 この新ファミリーは、定評のあるStrongIRFET MOSFETを補完し、より高性能な 選択肢を提供します。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■販売パートナーからの幅広い供給 ■優れた価格性能比 ■高速/低速両方のスイッチングに好適 ■高い電流定格 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社の新しい600V TRENCHSTOP RC-Drive 2とC5SOIゲートドライバーを 組み込んだ「CIPOS Mini IM523シリーズ」は、低中電力アプリケーション向けに 優れた電力損失と熱性能の両方を達成可能です。 当製品は、600V、6A～17Aの三相インバータ向けのソリューションで、ファン、 ポンプ、空調、MHA、産業用ドライブなど、さまざまな用途に適しています。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■600V TRENCHSTOP RCD2 IGBT技術を使用 ■6Aから17Aまで、さまざまな電流定格をご用意 ■SOI技術による新しいゲートドライバーIC ■DIP 36 x 21パッケージをベースにしたオープンエミッタの 　3相インバータ構成 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

「600V CoolMOS S7 SJ MOSFETファミリー」は、コンパクトなSMDパッケージの 高電圧SJ MOSFETに関して、低伝導損失と市場で低いRDS(on)を特長として 最適化されています。 RDS(on)×価格メリットの数字を搭載し、ソリッドステート回路 ブレーカーやリレー、PLC、バッテリー保護、ハイパワー電源の アクティブブリッジ整流に好適。 トップサイド冷却により伝導損失を最小限に抑え、電力密度を 最大化する、効率的なSMD冷却を実現しました。 【特長】 ■低RDS(on) ■コンパクトな上面冷却型QDPAK＆TO-220パッケージ ■導通性能に最適化 ■耐熱性の向上 ■高パルス電流対応 ■ケルビンソース端子により、大電流でのスイッチング性能を改善 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当製品は、低電圧ソフトスターター、UPSバイパス、低電圧ドライブ向けの 費用対効果の高い完全統合ソリューションです。 直径75mm、高さ26mmの1600Vパワーディスクのラインアップが、 1400Aおよび1700Aに拡張。 T1400およびT1700はすでに定評のあるT1190およびT1500に代わる 費用対効果の高い製品です。 【特長】 ■直径75mm、高さ26mmのパワーディスク ■1600V ■セラミックパッケージ ■Advanced Medium Power Technology(AMPT) ■全温度範囲で50/60Hzの完全な耐圧特性 ■高いDC耐圧 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

「TDA38640/740/725」は、Intel SVIDおよびI2C/PMBusインターフェイスを 備えた、使いやすい完全統合型高効率DC-DCレギュレーターです。 このコントローラーは、インフィニオンの高速COTエンジンを 利用しているため、設計の手間が省け、より高速な過渡応答を実現。 5V〜17Vの単一アプリケーション、または3.0V〜17Vの 広い入力電圧範囲に外部VCCにより対応します。 【特長】 ■新しいEasy 4Bパッケージ ■出力電圧範囲：0.25V〜3.04V(外部フィードバック抵抗分割器使用) ■セラミックコンデンサと外部補償なしで安定する高い安定性のエンジン ■オプションの強制連続導通モードとダイオード エミュレーションにより、 　軽負荷時の効率を改善 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社の固定周波数AC-DC統合パワーステージの新しい製品ファミリーは、 800Vのブレークダウン電圧と最近追加された950Vのアバランシェ耐圧高電圧 スーパージャンクションMOSFETを統合し、広い入力電圧範囲に対応します。 これらの高集積コントローラーは、DIP-7パッケージに収納され、 フライバックやバックなどの絶縁型および非絶縁型トポロジーをサポートし、 100kHzおよび65kHzのスイッチング周波数範囲をカバーしています。 【特長】 ■800V、950Vアバランシェ耐圧超接合MOSFETと一体化 ■65kHz、100kHz、最大スイッチング周波数 ■連続伝導モード(CCM)、不連続伝導モード(DCM)対応 ■ダイレクトフィードバック対応エラーアンプ内蔵 ■自動再起動を備えた包括的な保護機能群 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『ICC80QSG』は、擬似共振モードやバレースイッチングDCMで動作する フライバックトポロジー用のPWMコントローラーで、広い動作範囲で 高効率の電力転送を実現します。 充電用途では、広い電力範囲と包括的な保護機能を提供。 ICの設計が容易で、必要な外付け部品も最小限で済みます。 【特長】 ■2次側レギュレーション(SSR) ■中/軽負荷時の連続伝導モード(CCM)防止と谷間切替型不連続伝導モード(DCM) 　による擬似共振モード(QRM)動作 ■バーストモード(微少負荷時) ■バーストモード時のゲートドライバー出力電圧の低減 ■谷間変化位置でのオンタイムマッピングを調整可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

「1ED44171N01B」は、EiceDRIVER 25V 1chローサイド非反転ゲート ドライバーICで、故障検出機能を搭載しています。 小型5ピンPG-SOT23パッケージで、ソース/シンク電流は標準値で2.6Aを提供。 当製品は、1つのPCBレイアウトで、ニーズのあるIRS44273Lの セカンドソースオプションとして併用することができます。柔軟性のある 供給を迅速に対応できる二社購買戦略を単一サプライヤーで実現します。 【特長】 ■最大25Vの広いVCC電源電圧範囲 ■フォールト出力およびイネーブル機能用1端子 ■プログラマブルなフォールトクリアタイム ■低電圧誤作動防止機能(UVLO)は、標準値のオン/オフ=11.9V/11.4V ■3kV ESD HBM ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

「EiceDRIVER APD 2ED2410-EM」は、ロジックピンによる2出力制御や、 統合されたI-tワイヤー保護を含むスマートなハイサイドNチャンネル MOSFETゲートドライバーであり、新しい自動車電源アーキテクチャ向けに 設計されています。 昇圧コンバータの効率により、アイドル時や通常時の消費電流は μAオーダーとなり、駐車中(キーオフモード)に負荷を供給する 必要がある場合に有用です。 【特長】 ■電源電圧の範囲を拡張：3V～58V ■2つのハイサイドゲートドライバ出力(3Ωプルダウン、50Ωプルアップ) 　により、高速スイッチオフ/オンが可能 ■2つの双方向ハイサイドアナログ電流センスインターフェイス 　(外部でゲイン調整可能) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

「EiceDRIVER 1EDN71x6U」は、インフィニオンCoolGaNショットキーゲート (SG)HEMT、およびその他のGaN SG HEMTとSi MOSFETの駆動用に最適化された 1チャネルゲートドライバーICです。 このゲートドライバーファミリーは、Truly differential logic input(TDI)、 4つの駆動強度オプション、アクティブミラークランプ、ブートストラップ電圧 クランプなど、高速スイッチングトランジスタを用いた高性能システム設計を 可能にするいくつかの主要な機能を備えています。 【特長】 ■Truly differential input (TDI) ■4レベルの駆動能力オプション ■アクティブ ミラークランプ ■ブートストラップ電圧クランピング ■GaNに最適化された超低インダクタンスフリップチップパッケージ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『EiceDRIVER X3 Compact (1ED31xx)』は、ミラークランプ機能などの オプションを備えたコンパクトで設計が容易な絶縁型ゲートドライバーです。 最大14A(typ)のピーク出力電流、優れた伝搬遅延マッチングを提供。 これによりIGBTやMOSFETからSiC MOSFETやIGBT7まで、様々なタイプの スイッチに好適です。 【特長】 ■(IGBT7を含む)IGBT、SiC、Si MOSFET用 ■標準出力電流14A、伝搬遅延時間マッチング7ns ■伝搬遅延90ns(入力フィルター30nsを含む) ■絶対最大出力電源電圧：40V ■ソース シンクが分離独立した出力またはミラークランプ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『1100V/30A パワーIGBT』は、シングルエンド共振トポロジーを使用する 誘導加熱アプリケーションの厳しい要件を満たすよう設計されています。 FE能力が向上し、R3世代の置き換えに適している製品。同製品クラスで 優れた導通損失とスイッチング損失がございます。 ソフトな整流向けに設計された低順方向電圧の強力な モノリシックボディダイオードです。 【特長】 ■ばらつきが非常に小さいパラメータ分布 ■高い堅牢性と安定した温度特性 ■非常に低いVCEsat ■VCEsatの正の温度係数により、容易にパラレルスイッチングが可能 ■低EMIノイズ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『TRENCHSTOP 5』は、太陽光発電に対するユーザーの要求を満たす 好適なIGBTパワーモジュールです。 DC1000Vの太陽光発電用単相NPC1モジュールで、優れた性能と完全な 無効電力制御(PVインバータ)という2つの利点を活かすことが可能。 150kVAまでの3相3レベルのNPC1モジュールを提供。 さらに、DC1000V用三相NPC1モジュールでは、40kVAまでの出力に対応します。 【特長】 ■650V TRENCHSTOP 5 ■PressFITピンを備えたEasy 3Bパッケージ ■cosφ＝0,8 ■T1/T4はS5チップ(400A)、T2/TT3はL5チップ(300A) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

「OptiMOS 6 100V」は、高スイッチング周波数アプリケーションの 新しい業界標準となる先進のパワーMOSFET技術です。 インフィニオンの先端の薄ウェーハテクノロジーは、OptiMOS 5 テクノロジーに比べて、大幅に性能を向上。 オン抵抗(RDS(on))と性能指数(FOM-RDS(on)x Qg and Qgd)の改善により 効率が向上し、熱設計が容易になり、並列数を減らすことで、 システムコストの削減につながります。 【特長】 ■RDS(on)を最大で20％低減 ■FOM Qgが30％向上、FOM Qgdが40％向上 ■Qrrを低減 ■高いスイッチング周波数に好適 ■175℃のジャンクション温度に対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『OptiMOS Pチャネル パワーMOSFET』は、コスパの良いパッケージと、 先進的で信頼性の高い成熟したシリコン技術を用いることで、 価格性能比が業界ですぐれた高性能製品を提供します。 中低電力アプリケーションにおける設計の複雑さを解消。 高速スイッチングと高いアバランシェ耐量のため、高品質で 要求の厳しいアプリケーションに適しています。 【特長】 ■異なる4種類のパッケージで提供 ■幅広いR DS(on) ■ノーマルレベルとロジックレベルに対応 ■様々なアプリケーション向けに最適化 ■販売パートナーからの幅広い供給 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

IPT008N06NM5LF(0.8mΩc、60V)とIPT013N08NM5LF(1.3mΩ、80V)は、 いずれも25℃で同クラス最高水準のRDS(on)と広い安全動作領域(SOA)を 実現しています。 TOLLパッケージと組み合わせることにより、ホットスワップ、e-fuse、 テレコムやバッテリー管理システム(BMS)で一般的に見られる保護アプリ ケーションなどの高突入電流アプリケーションをターゲットにしています。 【特長】 ■広い安全動作領域(SOA) ■低いRDS(on) ■高い最大パルス電流と連続パルス電流 ■TO-リードレス(TOLL)パッケージ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『TLE9185QX/TLE9185QXV33』は、BDLCモーター制御用ハーフブリッジ3個、 電流センスアンプ1個、32ビットSPIインターフェース1個などの機能を 備えています。 また、診断機能や監視機能も備えており、それぞれ5.0Vと3.3Vの マイコンで動作するように設計。 保護/診断のためのゲイン設定が可能なローサイド電流センスアンプ (CSA)を1つ搭載しています。 【特長】 ■外付けNch MOSFET用の、3つのハーフブリッジゲートドライバ ■設定/可能なウェイクアップソース ■最大25kHzのPWM周波数を持つ6つのPWM入力 ■ノーマルモード、ストップモード、スリープモードでの 　定期的なサイクリックウェイクアップ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社の「OptiMOS パワーMOSFET PQFN 3.3×3.3」をご紹介いたします。 PQFN パッケージ(3.3×3.3)に搭載された新製品のラインアップは、 25Vから100Vまで。 ソースダウン技術は、シリコンダイを部品内部で上下逆にすることで、 デバイスやシステムレベルでの利点を提供しています。 【特長】 ■既存技術に比べて、RDS(on)が最大で30％と大幅に削減 ■既存のPQFNパッケージ技術に比べて、RthJCも改善 ■スタンダートとセンターゲートと実装面積の異なる2種類で提供 ■最適化された新しいレイアウトの可能性 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社の「CoolMOS CFD7 650V パワーMOSFET 」をご紹介いたします。 高速ボディダイオードを内蔵したスーパージャンクションMOSFETで、 大電力の共振トポロジーに好適な製品。 スイッチング性能の向上と優れた熱特性により、LLCや位相シフトフル ブリッジ(ZVS)回路などの共振スイッチングトポロジーにおいて、 最高クラスの効率を実現します。 【特長】 ■超高速ボディダイオード＆超低Qrr ■絶縁破壊電圧650V ■最高クラスのRDS(on)とパッケージの組み合わせ ■著しく低減されたスイッチング損失 ■RDS(on)の温度依存性が低い ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社の「CoolMOS P7 パワーMOSFET ThinPAK 5×6」をご紹介いたします。 アダプターと充電器、照明、オーディオSMPS、スマートメーター、AUX、 産業用電源などのフライバックベースの低消費電力SMPSアプリケーション 向けに開発。 5×6mm2という非常に小さなフットプリントと、高さ1mmという非常に低い プロファイルが特長です。 【特長】 ■高性能技術 ・低いスイッチング損失(Eoss) ・高効率 ・優れた温度特性 ■高速スイッチングが可能 ■保護用ツェナーダイオード内蔵 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。