インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　の製品・サービス一覧

当社の「TRENCHSTOP RC-D2 600V パワーIGBT」をご紹介いたします。 ハードスイッチング低電力ドライブアプリケーション向けの第2世代 TRENCHSTOP RC技術。 低電力ドライブアプリケーション用に手ごろな費用でプラグアンド プレイソリューションを提供します。 【特長】 ■向上した耐湿性 ■高コレクタエミッタ電圧600V、3μS SCWT定格 ■20kHzまでの動作範囲 ■優れた制御性 ■新コスト・性能基準 ■SOT-223パッケージ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社の「EiceDRIVER 1EDN71×6G」をご紹介いたします。 高速スイッチングトランジスタを用いた高性能なシステムを設計できる、 重要な機能がいくつか搭載されています。 これらの機能には、Truly Dif-ferential Input(TDI)、4つの駆動強度オプション、 アクティブミラークランプ、ブートストラップ電圧クランプ、調整可能な チャージポンプなどがあります。 【特長】 ■Truly differential logic input(TDI) ■4つの駆動力 ■アクティブ ミラー クランプ ■オプションの負の充電ポンプ ■アクティブ ブートストラップ クランプ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社の「MOTIX BTN9970LV ドライバー」をご紹介いたします。 1つのパッケージにpチャンネルのハイサイドMOSFETとnチャンネルの ローサイドMOSFETを1つずつと、ドライバーICを搭載。 pチャネルのハイサイドスイッチによりチャージポンプが不要となり、 EMIを最小限に抑えることができます。 【特長】 ■AEC-Q100/Q006準拠(グレード1) ■電源電圧範囲：8V～18V(最大40V) ■低消費電流：最大3.3μA@85℃ ■過電流検出レベル60A min ■保護機能：過電流保護、低電圧検出、過熱保護 ■放射ノイズを最適化する8種類の選択可能な出力スルーレート ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『FS3L400R10W3S7F_B11』は、EasyPACK パワーモジュール製品 ラインアップに新たに加わった製品です。 ブースター回路で、950V TRENCHSTOP IGBT7および 1200V CoolSiC ショットキーダイオードを搭載。 SiCダイオードとの組み合わせにより、IGBTのスイッチング損失を 低減します。 【特長】 ■950V TRENCHSTOP IGBT7 ■1200 V CoolSiC ショットキーダイオード ■PressFITピン ■3つの最大電力点追従制御(MPPT)を搭載した3レベルブーストトポロジー ■モジュールの高さ：12mm ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

「EasyPACK 2B IGBTモジュール」は、IGBT4とEmitter-controlled 4ダイオードを搭載している製品です。 「EasyBRIDGE 2200V 整流器モジュール」は、2.2 kV整流 ダイオードを搭載し、Easy 1Bパッケージに収められています。 どちらのモジュールも、熱伝導材料(TIM)があらかじめ塗布されており、 お客様は生産工程でサーマルグリスを扱う必要がなくなり、高い自動化 レベルを実現可能です。 【特長】 ＜EasyPACK 2Bパッケージ＞ ■IGBT4 チップ世代 ■Emitter-controlled 4ダイオード ■1700V、75A ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『MOTIX 6ED2742S01Q』は、三相BLDCモーター駆動アプリケーション 向けに設計された160V SOIを使用したゲートドライバーです。 内蔵ブートストラップダイオードで3つの外部ハイサイドブートストラップ コンデンサーに電源供給し、トリクルチャージポンプで100％のデューティ サイクル動作をサポートします。 保護機能には、低電圧保護、閾値設定可能な過電流保護、フォールト通信、 自動フォールトクリアを備えています。 【特長】 ■広い入力電圧範囲：6V～140V ■駆動電流：Io＋/Io-1A/2A(最大-Typ.) ■電源管理ユニット(PMU)を内蔵 ■広い入力VIN範囲を可能にするリニア プリ レギュレータ ■内蔵充電ポンプにより安定したVCCが可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『iMOTION IMI111T』は、出力電流50W/70W、DCブロッキング電圧が 最大600Vのファンアプリケーションにおけるモーター制御に対応している 製品です。 システムセットアップによっては、さらに高い電力定格が可能。 また、センサーレス モーター インバーターに高効率の磁界方向制御(FOC)を 実装しています。 【特長】 ■コントローラー、ゲートドライバー、パワーステージを1パッケージ化 ■ヒートシンク無しで70W(typ.)出力 ■DSO-22パッケージ、単層レイアウトオプション ■完全な自立型モーションコントロールエンジン(MCE) ■IEC 60335-1(Class B)取得をサポート ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社の、水素パワーディスク『T3841N18TOF/T2481N28TOF』を ご紹介いたします。 水電解プロセスの大電流整流器などのアプリケーションに特化して 最適化されています。 また、標準的なヒューズ設計で保護することが可能です。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■全温度範囲で50/60Hzの完全なブロッキング耐量 ■高いDC電圧耐量 ■高いターンオンdi/dt耐量 ■高いdV/dt耐量 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『産業&車載用 4チャネル デジタル アイソレーター』は、最大40Mbpsの データレートに対応し、広い周囲動作温度範囲(-40℃～＋125℃)と製品ばらつき 含め、シグナルインテグリティを保証します。 DSO-16ワイドボディパッケージに4つのデータチャンネルを搭載することで、 簡素化された高電力密度設計が可能になり、低消費電流でシステム効率を 向上させられます。 4＋0のチャンネル構成も加わりました。 【特長】 ■最大40Mbpsのデータレートに対応 ■電源電圧：2.7V～6.5V ■絶縁電圧(VISO)：5700VRMS ■低消費電力：6.4mA @ 1Mbps ■コモンモード過渡耐性(CMTI)(100kV/μs) ■動作温度範囲：-40℃～125℃ ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

『SiC MOSFET 2000 V』は、O-247PLUS-4-HCCパッケージ 12～100mΩのラインアップで提供しています。 10～80Aのダイオード製品と組み合わせることで、過酷な高電圧および 高スイッチング周波数条件下でもシステムの信頼性を損なうことなく 電力密度を向上させるよう設計されています。 CoolSiC技術の低い電力損失は、2000V用に最適化されたパッケージの .XT相互接合技術によって信頼性を向上させ、グリーンで効率的な エネルギーアプリケーション向けに、高効率を実現します。 【特長】 ■VDSS ＝ 2000V：DCリンク1500Vまでのシステム用 ■きわめて低いスイッチング損失 ■革新的なHDCパッケージ ■沿面距離 14mm ■空間距離 5.4mm ■業界標準となるゲート閾値電圧：VGS(th) ＝ 4.5V ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

『OptiMOS 6 40 V SSO10T』は、高い放熱性とコンパクト設計により、 高い電力効率と低システムコストを実現する車載用MOSFETパッケージです。 インフィニオンの新しいSSO10 TSC(5mm×7mm)パッケージは、標準的なSSO8 (5mm×6mm)パッケージに比べて20％から50％高い電力容量を実現しており、 インフィニオンの優れたOptiMOSパワーMOS技術と組み合わせることで、 インフィニオンの高い車載品質基準において高い電力効率を実現。 ご用命の際は当社へお気軽にご連絡ください。 【特長】 ■ECUパッケージへ冷却用の直接放熱パス ■Zthを20％から最大50％低減 ■Rthを20％から最大50％低減 ■両面PCB設計が可能 ■高い供給電流 ■SSO10T TSCは、オープンマーケットおよびセカンドソース向けに 　JEDECに登録済み ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

『車載用SiC TO263-7パッケージ』は、高速スイッチングの車載充電器において 優れたコストパフォーマンスで性能向上を実現します。 インフィニオンの革新的なSi/SiC技術の組み合わせにより、 コストパフォーマンスが高く、市場で最高クラスのスイッチング 性能を備えたIGBTを実現。 車載充電器、PFC、DC/DCコンバーター等のアプリケーションが対象です。 【特長】 ■市場最高クラスの高速スイッチングIGBT技術のTrenchstopテクノロジー ■改良されたダイアタッチにより熱性能を向上させた第5世代CoolSiC 　ショットキーダイオード ■ケルビンエミッタ接続でスイッチング性能を最適化 ■車載用途の要件を満たす沿面距離 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

『CoolSiC MOSFET EasyPACK』は、CoolSiC MOSFETM1Hを搭載した さまざまなトポロジーです。 1200Vアプリケーションに適しており、PressFITピンおよびNTCを 搭載しています。 また、AlN/Al2O3基板の製品やサーマルインターフェース材料(TIM) 塗布済みの製品もあります。 【特長】 ■先端WBG素材 ■きわめて低い浮遊インダクタンス ■ゲート駆動電圧ウィンドウを拡大 ■PressFITピン ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

電気的に絶縁された『EiceDRIVER 1EDI305xAS』製品は、最大1200Vの IGBTおよびSiCのパワーデバイス向けに最適化された、車載認定のシングル チャネル高耐圧ゲートドライバーICです。 EiceDRIVER 1EDI305xAS製品はISO 26262準拠で、システムレベルでASIL-Dの 対応が可能。 内蔵SPI機能により幅広いプラットフォームの開発を可能とし、 内蔵された高精度フライバックコントローラーにより電源構成が 最適化され、パワーデバイスの導通損失を低減します。 【特長】 ■内蔵フライバックコントローラー(2％ acc.) ■SPI内蔵、高出力駆動段(最大20Aピーク)、12ビットADC ■6.8kV強化絶縁(DIN VDE) ■冗長化されたDESATおよびOCP保護、パワーデバイスのゲートおよび 　ドライバーの出力段の監視 ■ISO 26262 SEooC ASIL Bまでの機能安全対応 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

『650 Vエミッタソフト制御Siダイオード』は、TO247-2パッケージを 搭載している産業用シリコンダイオードです。 ストリングインバーター、マイクロインバーター、データセンターUPS、 オフラインUPS/住宅用UPS、オンラインUPS/産業用UPS、住宅用エアコン および溶接機などのアプリケーション向けに、高い信頼性を実現。 産業用および家庭用電化製品アプリケーションの信頼性を向上させます。 【特長】 ■最大150Aの高い電流定格デバイス ■きわめてソフトで高速なリカバリー動作 ■HV-H3TRB(高温高湿バイアス試験)でJEDEC規格に準拠 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

『EVAL-COOLSIC-2KVHCC』は、TO-247PLUS-4-HCCパッケージに搭載された CoolSiC 2000V/24mΩのユニークな機能の表示用に開発された評価ボードです。 さまざまなCoolSiC 2000V SiC MOSFETディスクリートデバイスとEiceDRIVER Compactシングルチャンネル絶縁ゲートドライバー1ED31xxファミリーを ダブルパルスまたは連続PWM動作で評価するための、正確なユニバーサル テストプラットフォームとして使用可能。 本ボードの柔軟な設計により、太陽光発電システムや蓄電システム、 EV充電などのアプリケーションを中心に、さまざまな試験条件での 測定が行えます。 【特長】 ■ダブルパルスまたは連続PWM動作 ■最大耐圧1500VDC ■TO-247PLUS-4-HCCおよびTO-247-2パッケージと互換性 ■調節可能なゲート電圧レベル ■外部XMC4400 controller、KIT_XMC4400_DC_V1に対応 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

当製品は、高いシステム性能と信頼性を実現する堅牢性の高い SiC MOSFETです。 「CoolSiC MOSFET 750 V」は、インフィニオンの長年にわたるSiCの経験を 活かし、性能、信頼性、堅牢性、ゲート駆動の柔軟性における優位性を発揮し、 高い効率と電力密度を実現する簡素化されたコスト効率の高いシステム設計を 実現します。 革新的な上面放熱パッケージは、「CoolSiC 750 V」の強みをさらに強化し、 より高い集積度、最適化された電源ループ設計、およびシステムコストと アセンブリコストの削減を実現します。 【特長】 ■きわめて堅牢な750 Vテクノロジー ■最高クラスのRDS(on) x Qfr ■優れたRon x QossおよびRon x QG ■低 Crss/Cissと高Vgsthを両立 ■100％アバランシェ耐量出荷テスト対応 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

D2PAK-7L(TO-263-7)パッケージの当製品は、第1世代の技術がもつ強みを 活かして、よりコスト最適化された、効率的でコンパクト、高信頼性の ソリューションのシステム設計を加速させられます。 第2世代は、AC-DC、DC-DC、DC-ACステージのすべての一般的な組み合わせに 適したハードスイッチング動作とソフトスイッチングトポロジーの両方で、 主要な特性値が大幅に改善されています。 ご用命の際は当社へお気軽にご連絡ください。 【特長】 ■きわめて低いスイッチング損失 ■過負荷時の最大温度 Tvj ＝ 200℃ ■短絡耐量 2 μs ■業界標準となる閾値電圧、VGS(th)＝4.2V ■寄生ターンオンに対する堅牢性、0 Vターンオフゲート電圧を印加可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

当製品は、先進の車載E/Eアーキテクチャの電源分配システムにおける ワイヤ保護用に設計されているハイサイドパワースイッチです。 I^2tワイヤ保護機能が内蔵されており、診断機能が強化されています。 また、調整可能な過電流保護しきい値により、電源に対する迅速な 故障分離が保証され、自動IDLEモードにより、パーキング中の消費電流が 最大で50μA(typ)まで低減されます。 【主な特長】 ■選択可能な内蔵されたI^2tワイヤ保護機能 ■シーケンシャルに読み出し可能な診断機能 ■パーキング時の動作電流は最大60 μA ■IDLピンからマイクロコントローラーへのウェイクアップ信号の送信 ■調整可能な過電流制限値 ■容量性負荷スイッチングモード ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

IGBT5と.XTを搭載した当製品は、要求されるシステムの可用性と長期耐久性に 加えて、高い信頼性と堅牢性に応えます。 より高い電力密度を可能にし、.XT相互接合技術はサーマルサイクルおよび パワーサイクル能力の向上により寿命を延ばします。 ご用命の際は当社へお気軽にご連絡ください。 【主な特長】 ■低インダクタンスの設計向けに最適化 ■動作時の最大ジャンクション温度を拡張 ■Tvjop ＝ 175℃ ■IGBT4に比べて出力電流を25％以上増加 ■銅ボンディング接合による高い通電能力 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

インフィニオンは、TO247-4パッケージのSiC 1200Vディスクリートにより、 「車載用CoolSiC MOSFET」のラインアップを拡充しました。 ケルビンソースピンを追加したことで、最高クラスのスイッチング性能、 寄生ターンオンに対する堅牢性、RDSonおよびRth(j-c)の向上を実現し、 OBCおよびDCDCアプリケーション向けの理想的な選択肢となっています。 ご用命の際は当社へお気軽にご連絡ください。 【特長】 ■高いターンオン電圧 VGS(on)＝ 20 V ■0 Vターンオフ ゲート電圧 ■低いCrss/Ciss比、高いゲートソース間閾値電圧(VGS(th)) ■ゲート電荷(QGtot)を低減 ■高電圧沿面距離要求に好適 ■はんだブリッジのリスクを低減する薄型リード ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

TOLL(HSOF-8)パッケージの当製品は、インフィニオンのCoolSiC技術の 長所を活用しています。 TOリードレス(TOLL)パッケージの小型フォームファクタと低寄生 インダクタンスにより、PCB面積を効率的かつ効果的に利用できるようになり、 MOSFETの高い周波数での駆動や、高電力密度を実現します。 D2PAKパッケージに比べて熱インピーダンスが低減され、革新的な .XT相互接続技術とともに、高～中電力システムに適しており、 価格性能比を最適化します。 【特長】 ■業界標準パッケージ - JEDEC産業用アプリケーション認定 　(J-STD20 および JESD22) ■小型サイズ ■熱インピーダンスの低減 ■.XT相互接続 ■低寄生インダクタンス ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

インフィニオンの「OptiMOSリニアFETファミリー」に、3つの新しいPQFN (5 x 6mm)(SuperSO8)製品と1つの新しいPQFN(3.3 x 3.3 mm)(S3O8)製品が 加わりました。 いずれの製品もきわめて低いRDS(on)、25℃および125℃での広い安全動作領域 (SOA)を実現しています。OptiMOS Linear FETは、オン抵抗とリニアモード性能 のトレードオフを解決する画期的なアプローチです。 ご用命の際は当社へお気軽にご連絡ください。 【特長】 ■広い安全動作領域(SOA) ■低RDS(on) ■高い最大パルス電流と連続パルス電流 ■小型、低背パッケージ ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

TO247-4パッケージ搭載1200 V/30 mΩの当製品は、先端のトレンチ半導体 プロセスで製造されており、低ゲート電荷およびデバイス容量レベル、内部整流 ボディダイオードの逆回復損失ゼロ、低スイッチング損失、スレッショルド フリーのオン特性などの利点をもたらし、性能と信頼性を両立するよう 最適化されています。 DC-DCコンバーターまたはDC-ACインバーターなどのハードおよび共振 スイッチングトポロジー、双方向トポロジーに好適です。 「TO-247 4ピン パッケージ」は、ゲート回路の寄生ソースインダクタンス 効果を低減し、より高速なスイッチングと効率の向上を実現します。 【特長】 ■最高クラスの低スイッチング損失および導通損失 ■高閾値電圧、Vth ＞ 4V ■0 Vのターンオフゲート電圧による簡単でシンプルなゲート駆動 ■幅広いゲートソース電圧範囲 ■転流用に本格使用可能な定格の堅牢で低損失のボディダイオード ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

当製品は、PressFITコンタクト技術、内蔵NTC温度センサー搭載、 熱伝導材料(TIM)塗布済みの1200 Vアプリケーション向けEasyDUAL 2B CoolSiC MOSFETハーフブリッジモジュールです。 既存のフットプリントで定格電力を拡大。EV充電、無停電電源装置(UPS)、 燃料電池などのアプリケーションが対象です。 ご用命の際は当社へお気軽にご連絡ください。 【特長】 ■高さ12 mmに統一された最高クラスのパッケージ ■先端WBG材料とEasyPACK モジュールパッケージの組合せ ■きわめて低い浮遊インダクタンス ■進化したCoolSiC MOSFET MH1技術 ■推奨ゲート駆動電圧範囲を15～18 Vおよび 0～-5 Vに拡大 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

当製品は、EconoDUAL3パッケージの新しいTRENCHSTOP IGBT7 モジュールです。 シャント、Emitter Controlled 7ダイオード、NTC、PressFIT コンタクト技術を搭載。 ご用命の際は当社へお気軽にご連絡ください。 【主な特長】 ■電流計測用シャント抵抗を内蔵したEconoDUAL 3 ■IGBT4または先進のIGBT7テクノロジーを搭載 ■最大電流750Aまで対応可能(IGBT 7) ■過負荷時のTvjopは最大175℃(TRENCHSTOP IGBT7) ■PressFITコントロールピンとねじ止めパワー端子 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

20V/5W　フルブリッジトランスドライバー「2EP1xxR」は、 コンパクトなTSSOP 8ピンパッケージに搭載されたフルブリッジ トランス ドライバーICの製品ファミリーで、 絶縁ゲートドライバーに供給する正負電源を生成することが可能な製品です。 独自のデューティサイクル設定機能によりゲートドライバー向け正負電源に最適化されています。 【特長】 ■加熱、短絡、低電圧ロックアウト (UVLO) に対する統合保護機能を搭載 ■絶縁ゲートドライバー電源 ■最大20 Vまでの広い電源電圧範囲 ■周波数設定: 50 kHz～695 kHz ■デューティサイクル設定: 10%～50% ※詳細はPDFをダウンロード頂くか直接お問い合わせ下さい。

当社で取り扱う「Nチャンネル パワーMOSFET 600V-温度センサー搭載」 について、ご紹介いたします。 温度センサーを搭載した当製品は、容易な実装と共にジャンクション 温度の検出精度とロバスト性を向上。 ソリッドステートリレー、サーキットブレーカー設計、SMPSの ライン整流に好適です。 【特長】 ■高パルス電流対応 ■最適化された価格性能 ■低周波スイッチングアプリケーション向けに最適化 ■ソースの寄生インダクタンスを低減 ■シームレスな診断機能 ■大電流対応 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

当社で取り扱う「Nチャンネル パワーMOSFET OptiMOS 6 200V」について、 ご紹介いたします。 高電力密度、高効率、高信頼性のニーズに対応。本技術は、RDS(on)を 大幅に低減し、その結果、導通損失を低減します。 ゲート閾値電圧のばらつきが少なく、トランスコンダクタンスが低減されて いるため、並列接続に優れたデバイスです。 【特長】 ■広い安全動作領域(SOA) ■鉛フリーめっき、RoHS対応 ■200Vでクラス最高レベルの性能 ■ソフトダイオード、低Qrr、高リニア容量の組み合わせ ■並列接続時の電流共有の改善 ■豊富なパッケージ展開 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

当社で取り扱う「ソリッドステートアイソレーター(SSI)」について、 ご紹介いたします。 CoolMOS、OptiMOS、TRENCHSTOP IGBT、CoolSiCなどのMOS制御 パワートランジスタのゲート駆動用で、ガルバニック絶縁バリアを またいでエネルギー伝送を実現。 さまざまなアプリケーション向けにソリッドステートリレーを簡単かつ 安全に構築できます。 【特長】 ■ゲート駆動用絶縁ゲートバイアス電源内蔵 ■高インピーダンス、CMOS入力 ■高出力電圧 最大18V-強力なゲート駆動用の直列/並列構成は不要 ■185μA(ダイレクトドライブタイプ)または400mA(バッファタイプ)の 　高出力ピーク電流 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

当社で取り扱う「Nチャネル パワーMOSFET 150V」について、 ご紹介いたします。 OptiMOS 5 150V同様の優れた性能に加え、わずか4.5VのVGSで動作する 性能を搭載。 小型で軽量なUSB-PD EPR充電器およびアダプタアプリケーションで 好適な熱管理を実現します。 【特長】 ■競争力のあるRDS(on)レベル ■きわめて低いスイッチング損失 ■VGS＝4.5Vに完全に最適化 ■5V供給の同期整流器(SR)に対応 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

当社で取り扱う「デュアルIGBTモジュール 1200V/1600A」について、 ご紹介いたします。 TRENCHSTOP IGBT7技術を搭載したドライブおよびCAVアプリケーションが ターゲット。 PrimePACK2 1600Aは、同一パッケージで電流出力が77％向上し、 PrimePACK3よりもフレームサイズを縮小できます。 【特長】 ■先進TRENCHSTOP IGBT7チップ技術 ■スイッチング周波数1kHz～2.5kHzでクラス最高レベル ■パッケージ絶縁VISOL 4kV ■高い耐湿性と耐硫化水素(H2S) ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

当社で取り扱う「Nチャンネル パワーMOSFET OptiMOS 6 120V」について、 ご紹介いたします。 ハードスイッチとソフトスイッチの両アプリケーション、また、 高スイッチング周波数および低スイッチング周波数に適しており、 ノーマルレベルとロジックレベルが利用可能。 産業用電源、ソーラーなどさまざまなアプリケーションで使用できます。 【特長】 ■スイッチング損失、導通損失において好適なバランスを実現 ■150V耐圧不要時にRDS(on)やFOMを低減 ■パッケージの幅広い選択肢 ・FR4基板およびIMS基板向け面実装 ・上面冷却 ・スルーホール ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

当社で取り扱う「車載向けパワーMOSFET OptiMOS 7 40V」について、 ご紹介いたします。 従来のOptiMOS 6に比べ、Ronが25％向上し、業界最小レベルのオン抵抗で 最高レベルの電力密度とエネルギー効率を提供。 当社の堅牢で定評あるパッケージラインアップで製品展開し、非常に 効率的な車載設計を実現する上面放熱パッケージにまで拡張されています。 【特長】 ■きわめて低いドレイン-ソース間オン抵抗(＝RDS(on)) ■高いアバランシェ耐量 ■高い安全動作範囲(SOA)耐性 ■高速スイッチング(ターンオン/オフ) ■リードレスパッケージ(Cuクリップ) ■先進の薄型ウェハーCuテクノロジー、および先進の内製300mmウェハー ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

当社で取り扱う「車載向け OPTIREG リニア電圧レギュレーター」について、 ご紹介いたします。 400mAまでの負荷を供給できるモノリシック集積型低ドロップアウト 電圧レギュレーター。 厳しい電流制限と診断が必要な重要アプリケーションへの供給に好適な、 監視/保護機能とハイサイド電源スイッチを備えています。 【特長】 ■電流モニター内蔵 ■過電圧、過温度、過電流検出 ■調整可能な出力電圧 ■最大400mAの出力電流 ■調整可能な出力電流制限 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

『XDP700-002』は、通信インフラに好適なプログラマブル デジタルSOA制御を 備えた、広い入力電圧に対応した-48Vホットスワップ コントローラーです。 正確なリアルタイムシステム測定、AFEにより単体で測定精度0.75％を実現。 単一または複数のNチャンネルFETを駆動します。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■VIN：-6.5V～-80V(500ms以内-100V過渡耐性) ■専用12ビットV/I ADC ■内蔵ゲートドライバー：0～250μA ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

当社で取り扱う、ホットスワップコントローラー『XDP710-002』 をご紹介いたします。 AIサーバーに好適なプログラマブル デジタルSOA制御を備え、 広い入力電圧に対応。 AFEにより単体で測定精度0.75％を実現します。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■VIN：＋5.5V～＋80V(500ms以内-100V過渡耐性) ■専用12ビットV/I ADC ■内蔵ゲートドライバー：0～250μA ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

『MOTIX TLE9140EQW』は、8Vから72V電源のさまざまなアプリケーションを 対象とした3相モーターゲートドライバーです。 内蔵のアダプティブMOSFET制御機能は、EME(電磁放射)の改善と電力損失の 低減に役立つだけでなく、アプリケーションに必要な外部部品数を低減できます。 また、最大ジャンクション温度175℃で、厳しいミッションプロファイルにも 対応可能です。 【特長】 ■高耐圧/最大110V ■ゲート駆動能力：～230nC/MOSFET最大20kHz ■ゲートドライバーに内蔵されたアダプティブMOSFET制御機能 ■VSM OV中はアクティブLSフリーホイール状態 ■包括的な保護および診断機能 ■小型パッケージTS-DSO-32(8.65×3.9mm2) ■車載グレード0デバイスおよびASIL B準拠 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

本モジュールは、熱抵抗の最適化と、より高い動作温度への対応によって、 電流の限界を超えた性能を実現しました。 これにより、同じフットプリントで最高レベルの電力密度と、定評のある 信頼性、製品の長寿命化を実現。 また、インフィニオンの圧接モジュールは、一般的に最高クラスの電圧耐量を 実現し、高い硫化水素耐性(H2S)を備えています。 【特長】 ■標準パッケージで最高クラスの電力密度 ■故障時の短絡モード ■銅表面の露出なし ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

超高速ソフトリカバリーの『1200V EC7ダイオード』は、産業用および 家庭用電化製品アプリケーション、ソーラーMPPTブースト、EV充電用 三相整流回路 (Vienna Rectifierトポロジー)の信頼性を向上させます。 さらに、TO247-2パッケージの採用により、放電に関連する故障モードが 低減。独自の高電流定格(最大140A)により、ディスクリートパッケージでの 電力密度が向上し、小型で軽量な設計が可能になります。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■低い順方向電圧(VF) ■低い逆回復電流 ■超高速な逆回復時間 ■JEDEC規格 HV-H3TRB(高温高湿バイアス試験)に準拠 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

『T2200N16H100』は、先進の圧接技術を用いた1600V、100mm径の サイリスタディスクです。 生産労力とクランプ力の観点から最適化されており、小さなクランプ システムで同じオンステート損失を可能にします。 その結果、同じフットプリントでコスト効率の高い製品への置き換えが 可能になると共に、インフィニオンの定評ある高信頼性により、製品の 長寿命化を実現します。 【特長】 ■故障時の短絡モード ■最高クラスのパッシベイション ■銅表面の露出なし ■高度に自動化された生産工程 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

本製品は、汎用性、堅牢性に優れた高電流のSSO8 SMDパッケージ(5×6mm2) での提供です。 車載用途に必要な高性能、高品質、堅牢性を重視した設計となっています。 また、電力密度の分野において大きな前進を果たした製品です。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■業界最小クラスのRDS(on) ■高速スイッチング(ターンオン/オフ) ■パッケージ抵抗が低く、低浮遊インダクタンス ■高いアバランシェ耐量 ■高い(安全動作領域(SOA))耐久性 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

当社で取り扱う、「車載用スマートハイサイドスイッチ 12V」について ご紹介いたします。 本製品は、シートヒーター アプリケーションの電磁波の仕様に対応するため、 スルーレートが遅くなっており、保護機能に電流トリップを使用します。 さらに、ISO 26262-readyドキュメントにより、安全関連アプリケーションへの 実装をサポートします。 【特長】 ■低電圧リカバリー時に遅延時間なし ■絶対温度および動的温度制限によるリスタート制御 ■インテリジェントリスタート制御による過電流保護機能(電流トリップ) ■低電圧シャットダウン ■外付け部品による過電圧保護 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

評価ボード『EVAL-FFXMR20KM1HDR』を使用すれば、きわめて迅速に 初期特性測定を開始できます。 本評価ボードは、EiceDRIVER 1ED38x0Mc12Mを使用し、I2C-BUS経由で 柔軟なパラメータ設定を行えるオプションを備えているため、ハードウェアを 変更することなく、異なるアプリケーションに迅速に適合させることが可能。 I2C経由でアクセス可能な27個のコンフィギュレーション レジスタで、 柔軟にパラメータを設定できます。 【特長】 ■CoolSiC Trench MOSFET技術を使用した62mm、2kVモジュール用 　ハーフブリッジドライバー ■ソースシンクが分離独立した出力によりゲート駆動を最適化 ■パラメータ調整用I2Cバス搭載ドライバーIC 1ED3890MC12Mまたは 　1ED3890MU12M (X3デジタル) ■ハードウェア低電圧ロックアウト(UVLO)保護 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

『EVAL-iSSI30R11H』は、ACスイッチ構成でiSSI30R11Hと2つのCoolMOS IPQC60R010S7 MOSFETを搭載した評価ボードです。 インフィニオンのiSSIソリッドステートアイソレーターiSSI30R11Hの 製品機能をアプリケーション回路で評価することを目的としています。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■iSSI30R12H＋IPT60T022S7 CoolMOS搭載 ■ACスイッチ構成 ■超高速過電流検出 ■直接CoolMOS温度測定 ■高速ターンオン/高速ターンオフ ■ダイナミックミラークランプ ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。