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インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社

住所東京都渋谷区渋谷3-25-18NBF渋谷ガーデンフロント
電話03-5745-7100
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最終更新日:2024/06/06
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開発キット 開発キット
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その他 その他
パワー

パワー

高い信頼性を誇るIGBT、パワーMOSFET、GaNエンハンスメント・モードHEMT、パワーディスクリート、保護スイッチ、Siドライバー、GaNドライバー、IGBTモジュール、インテリジェントパワーモジュール(IPM)、リニアレギュレータ、モータ制御ソリューション、LEDドライバー、様々な種類のAC/DCコンバータ、DC/DCコンバータ、デジタルパワーコンバータなど

ソリッドステートアイソレーターiSSI30R12H評価用ボード

iSSI30R12H+IPT60T022S7 CoolMOS搭載!高速iSSI評価および設計

『EVAL-iSSI30R12H』は、インフィニオンのiSSIソリッドステート アイソレーターiSSI30R11Hの製品機能をアプリケーション回路で 評価することを目的としています。 ACスイッチ構成でiSSI30R11Hと2つのCoolMOS IPT60T022S7 MOSFETを 搭載した評価ボードです。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■iSSI30R12H+IPT60T022S7 CoolMOS搭載 ■ACスイッチ構成 ■超高速過電流検出 ■直接CoolMOS温度測定 ■高速ターンオン/高速ターンオフ ■ダイナミックミラークランプ ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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M5コネクター付きMADK用コントローラーボード

PSoCTM 62 MCU+村田製作所製1LVモジュール!M5コネクター付きMADKへのインターフェース

『EVAL-XMC4800PSOC6M5』は、M5コネクター搭載MADKに対応した コントローラーボードです。 対応するMADKの評価や、ModusToolboxを介したカスタム ソフトウェア開発が 容易に行え、インバーターおよびモーター制御用のXMC4800と、Wi-Fiなど Web上での設定用にPSoC 6を搭載しています。 また、両MCU用のデバッガとプログラマー、電源、OPTIGA TrustMセキュリティ、 エンコーダ/EtherCAT用インターフェースを搭載しています。 【特長】 ■インバーターおよびモーター制御用XMC4800 ■2つのマイコン間の強化絶縁 ■ModusToolbox対応 ■両マイコン用のオンボードUSBデバッガ/プログラマー ■オンボード24 V/15 WフライバックDC/DC ■オンボードOPTIGA TrustMセキュリティソリューション ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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パワーブロック パッケージのパワーMOSFET

2つのディスクリートパッケージを置き換えることで、基板上の電源部を少なくとも50%縮小することが可能!

『スケーラブルパワーブロック』は、インフィニオンのパッケージ イノベーションであり、ローサイドとハイサイドの両方のMOSFETを、 さまざまなアプリケーションを対象としたコンパクトなリードレスSMD (6.3 x 6.0 mm2)パッケージに搭載しています。 リード製品には、先進のOptiMOS 6 40 VおよびOptiMOS 5 100 Vシリコン 技術があり、コンパクトな実装面積で優れた性能を発揮。 2つのディスクリートパッケージを置き換えることで、お客様は基板上の 電源部を少なくとも50%縮小することができます。 【主な特長】 ■高いチップ/パッケージ比 ■最適化されたリードフレームとCuクリップ設計 ■ローサイドとハイサイドを内部接続 ■両面放熱 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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パワーMOSFET OptiMOS 6 135 V

Vgs(th)のばらつきを抑え、並列接続能力を向上させることにより、スケーリングが容易になり、電力出力が向上!

『OptiMOS 6 135 V』は、小型電気自動車(LEV)、電子フォークリフト、 電動工具、園芸工具などの高出力モーター制御アプリケーションや、 主に72 Vや84 Vのバッテリーを使用するUPSを対象にしています。 本製品ファミリーは、120 Vと150 VのMOSFET間のギャップを効果的に埋め、 低いRDS(on)で高性能を実現し、効率的な電力処理、電力損失の低減を 実現します。 ご用命の際は当社へお気軽にご連絡ください。 【主な特長】 ■Vgs(th)のばらつきが少ない ■きわめて低い逆回復電流(Qrr) ■幅広いパッケージラインアップ ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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パワーMOSFET OptiMOS 6 200 V

ソフトダイオード、低Qrr、高リニア容量の組み合わせを実現!

新しい『OptiMOS 6 200 V MOSFET』は、インフィニオンの先進トレンチ MOSFET技術を代表する製品です。 高電力密度、高効率、高信頼性のニーズに対応。本技術は、RDS(on)を 大幅に低減し、その結果、導通損失を低減しています。ゲート閾値電圧の ばらつきが少なく、トランスコンダクタンスが低減されているため、 並列接続に優れたデバイスです。 本製品は、穏やかなダイオード動作と低い逆回復電荷に加え、 出力キャパシタンスの直線性の改善により、スイッチング損失を最低限に抑え、 様々な動作条件においてシステム効率を向上させます。 【主な特長】 ■RDS(on)を42%低減 ■3倍ソフトなダイオードで、キャパシタンス直線性も向上 ■Qrrが89%低減 ■広い安全動作領域(SOA) ■鉛フリーめっき、RoHS対応 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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パワーMOSFET CoolSiC G1 750 V

使いやすさ、スイッチング効率、優れた熱性能を備えた、バランスの取れた技術です!

新しい『CoolSiC MOSFET 750 V G1』は、最高レベルのシステム性能と 信頼性を実現する堅牢性の高いSiC MOSFETです。 本製品は、インフィニオンの長年にわたるSiCの経験を活かし、性能、信頼性、 堅牢性、ゲート駆動の柔軟性における優位性を発揮し、高い効率と電力密度を 実現する簡素化されたコスト効率の高いシステム設計を実現します。 ご用命の際は当社へお気軽にご連絡ください。 【主な特長】 ■きわめて堅牢な750 Vテクノロジー ■最高クラスのRDS(on) x Qfr ■優れたRon x QossおよびRon x QG ■低 Crss/Cissと高 Vgsthを両立 ■100%アバランシェ耐量出荷テスト対応 ■最高クラスの熱特性を実現する.XTダイ接合技術 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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