インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　の製品・サービス一覧

『EVAL-iSSI30R12H』は、インフィニオンのiSSIソリッドステート アイソレーターiSSI30R11Hの製品機能をアプリケーション回路で 評価することを目的としています。 ACスイッチ構成でiSSI30R11Hと2つのCoolMOS IPT60T022S7 MOSFETを 搭載した評価ボードです。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■iSSI30R12H＋IPT60T022S7 CoolMOS搭載 ■ACスイッチ構成 ■超高速過電流検出 ■直接CoolMOS温度測定 ■高速ターンオン/高速ターンオフ ■ダイナミックミラークランプ ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

『EVAL-XMC4800PSOC6M5』は、M5コネクター搭載MADKに対応した コントローラーボードです。 対応するMADKの評価や、ModusToolboxを介したカスタム ソフトウェア開発が 容易に行え、インバーターおよびモーター制御用のXMC4800と、Wi-Fiなど Web上での設定用にPSoC 6を搭載しています。 また、両MCU用のデバッガとプログラマー、電源、OPTIGA TrustMセキュリティ、 エンコーダ/EtherCAT用インターフェースを搭載しています。 【特長】 ■インバーターおよびモーター制御用XMC4800 ■2つのマイコン間の強化絶縁 ■ModusToolbox対応 ■両マイコン用のオンボードUSBデバッガ/プログラマー ■オンボード24 V/15 WフライバックDC/DC ■オンボードOPTIGA TrustMセキュリティソリューション ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

『スケーラブルパワーブロック』は、インフィニオンのパッケージ イノベーションであり、ローサイドとハイサイドの両方のMOSFETを、 さまざまなアプリケーションを対象としたコンパクトなリードレスSMD (6.3 x 6.0 mm2)パッケージに搭載しています。 リード製品には、先進のOptiMOS 6 40 VおよびOptiMOS 5 100 Vシリコン 技術があり、コンパクトな実装面積で優れた性能を発揮。 2つのディスクリートパッケージを置き換えることで、お客様は基板上の 電源部を少なくとも50％縮小することができます。 【主な特長】 ■高いチップ/パッケージ比 ■最適化されたリードフレームとCuクリップ設計 ■ローサイドとハイサイドを内部接続 ■両面放熱 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

『OptiMOS 6 135 V』は、小型電気自動車(LEV)、電子フォークリフト、 電動工具、園芸工具などの高出力モーター制御アプリケーションや、 主に72 Vや84 Vのバッテリーを使用するUPSを対象にしています。 本製品ファミリーは、120 Vと150 VのMOSFET間のギャップを効果的に埋め、 低いRDS(on)で高性能を実現し、効率的な電力処理、電力損失の低減を 実現します。 ご用命の際は当社へお気軽にご連絡ください。 【主な特長】 ■Vgs(th)のばらつきが少ない ■きわめて低い逆回復電流(Qrr) ■幅広いパッケージラインアップ ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

新しい『OptiMOS 6 200 V MOSFET』は、インフィニオンの先進トレンチ MOSFET技術を代表する製品です。 高電力密度、高効率、高信頼性のニーズに対応。本技術は、RDS(on)を 大幅に低減し、その結果、導通損失を低減しています。ゲート閾値電圧の ばらつきが少なく、トランスコンダクタンスが低減されているため、 並列接続に優れたデバイスです。 本製品は、穏やかなダイオード動作と低い逆回復電荷に加え、 出力キャパシタンスの直線性の改善により、スイッチング損失を最低限に抑え、 様々な動作条件においてシステム効率を向上させます。 【主な特長】 ■RDS(on)を42％低減 ■3倍ソフトなダイオードで、キャパシタンス直線性も向上 ■Qrrが89％低減 ■広い安全動作領域(SOA) ■鉛フリーめっき、RoHS対応 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

新しい『CoolSiC MOSFET 750 V G1』は、最高レベルのシステム性能と 信頼性を実現する堅牢性の高いSiC MOSFETです。 本製品は、インフィニオンの長年にわたるSiCの経験を活かし、性能、信頼性、 堅牢性、ゲート駆動の柔軟性における優位性を発揮し、高い効率と電力密度を 実現する簡素化されたコスト効率の高いシステム設計を実現します。 ご用命の際は当社へお気軽にご連絡ください。 【主な特長】 ■きわめて堅牢な750 Vテクノロジー ■最高クラスのRDS(on) x Qfr ■優れたRon x QossおよびRon x QG ■低 Crss/Cissと高 Vgsthを両立 ■100％アバランシェ耐量出荷テスト対応 ■最高クラスの熱特性を実現する.XTダイ接合技術 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

『CoolMOS 8 SJ 600V』は、高速ボディダイオードを内蔵しており、 幅広いアプリケーションに適しているMOSFETパワー半導体です。 P7、S7、CFD7、C7、G7、PFD7などの600V CoolMOS7 MOSFETファミリーの 後継製品であり、インフィニオンのワイドバンドギャップ(WBG)製品群を補完。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問い合わせください。 【主な特長】 ■世界最高クラスのRDS(on)A ■高速ボディダイオード内蔵 ■優れたハードコミュテーション耐性 ■先進の相互接合技術 ■7mΩから段階的に取り揃えた製品ラインアップ ■上面放熱パッケージ ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

Thin-TOLL 8x8パッケージ搭載の『CoolSiC Generation2 650V』は、 高性能技術を活用する8x8オプションとして適したMOSFETパワー半導体です。 標準的な8x8パッケージののサーマルサイクルにおける性能限界を克服し、 .XTインターコネクト技術により熱抵抗を低減。 その結果として、SiCの特性を最大限に活かしながら、小さなフット プリントを維持し、電力密度を次の次元へと引き上げることが可能です。 【主な特長】 ■優れた性能指数(FOM) ■同クラスで最低水準のRDS(on) ■高い堅牢性と総合的な品質 ■広い駆動電圧範囲 ■ユニポーラ駆動に対応 VGS(off)＝0 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

TOLTパッケージの『CoolSiC Generation2 650V』は、最高クラスの スイッチング性能を活かし、さらに上面放熱の様々な利点も備えている MOSFETパワー半導体です。 今回、CoolSiCおよびCoolMOSですでに利用可能なQDPAKを加えて、完全な ディスクリート上面放熱ソリューションが実装可能になったことにより、 さらに優れた放熱性を備え、システムコストの削減と簡素化、 アセンブリコストの低減を実現します。 【主な特長】 ■優れた性能指数(FOM) ■高い堅牢性と総合的な品質 ■広い駆動電圧範囲 ■ユニポーラ駆動に対応 VGS(off)＝0 ■すべての8x8FET製品とピン互換 ■.XT相互接合技術によるパッケージの改善 ■熱サイクル(TCoB)4倍向上 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

『CoolSiC M1H 1.2kV』は、高い電流密度と耐湿性がある MOSFETパワーモジュールです。 M1H技術により、VGS(th)および RDS(on)ドリフト、ゲート駆動電圧 ウィンドウに対するチップ性能を向上させており、2.9mΩで熱伝導材料 (TIM)塗布オプションを選択できます。 SiCによる成熟した62mmパッケージ技術の拡張により、高速スイッチングと 低損失ともに要求されるアプリケーションに対応します。 【主な特長】 ■堅牢なボディダイオードを内蔵し、適切な温度条件を実現 ■ゲート酸化膜の高い信頼性 ■宇宙線に対する高い堅牢性 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

『CoolSiC M1H 2kV』は、62mmハーフブリッジMOSFETパワーモジュールです。 本モジュールは熱伝導材料(TIM)塗布オプションを選択できます。 標準的なモジュール構造技術により、高い信頼性を確保。 また、62mmの量産ラインで生産します。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問い合わせください。 【主な特長】 ■ゲート酸化膜の高い信頼性 ■堅牢なボディダイオードを内蔵し、適切な温度条件を実現 ■宇宙線に対する高い堅牢性 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

『太陽光発電ハイブリッドインバーター向けパワーモジュール』は、 高周波動作が可能な製品です。 優れたモジュール効率があり、システム効率が向上し、システムコストの 優位性を実現。 また、冷却システムの小型化ができます。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問い合わせください。 【主な特長】 ■FS3L40R07W2H5F_B70 ・CoolSiC ショットキダイオード Gen5 ・耐圧650V ・AlN(窒化アルミニウム)DCB材料による熱伝導性の向上 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

『ヒートポンプ アプリケーション向けパワーモジュール』は、 システムコストの削減ができる製品です。 ヒートポンプ/HVACアプリケーション用の2チャンネルインターリーブ型 PFCステージとインバーターステージを備えたEasyPIM 2B統合モジュール。 オールインワンモジュール(整流器、PFC、インバーターステージ)。 PressFIT端子、ハンダ端子から選択可能です。 【主な特長】 ■整流器、PFC、インバーターステージを1モジュール化 ■低浮遊インダクタンス ■PFCステージ用高速H5テクノロジー ■PFCステージ用最大50kHz高スイッチング周波数 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

『高速ハーフブリッジ ゲートドライバー』は、DSO-8パッケージを採用し、 ソース電流は0.29A(typical)、シンク電流は0.7A(typical)です。 ブートストラップダイオード内蔵し、省スペース、BOMコストの削減、 よりシンプルな設計による低コストでのPCB小型化。 また、VSピンの負の過渡電圧耐性ノイズ耐性に優れます。 レベルシフト損失を50％低減します。 【主な特長】 ■最大動作電圧(VSノード) ＋650V ■100Vの負のVS過渡電圧耐量 ■超高速、低抵抗ブートストラップダイオード内蔵 ■伝播遅延90ns ■最大電源電圧25V ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

『MOSFETパワーディスクリート 1700V』は、ソーラーインバーター、 EV充電器、UPS、一般的なモーター制御など、高効率レベルのシングル エンドフライバック補助電源アプリケーションに適しています。 主な特長には、フライバックコントローラーを使った直接駆動、 ゲートドライバーICが不要、低損失な高電圧遮断、優れた熱性能を実現する .XT相互接合技術、信頼性を高める長い沿面距離と空間距離のパッケージ などが挙げられます。 【主な特長】 ■フライバックトポロジー向けに最適化 ■きわめて低いスイッチング損失 ■12V/0Vゲートソース電圧 ■フライバックコントローラーと互換性あり ■ゲート閾値、VGS(th)＝4.5V ■.XT接合技術 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

『EconoDUAL 3』は、オープン水冷ヒートシンクを使用する アプリケーション向けに最適化されており、高い電力密度と 長寿命を実現するIGBTパワーモジュールです。 インバータシステムの簡素化によるシステムコストを削減。 また、対象アプリケーションとして、商用車、建設機械、 農業用車両(CAV)などがございます。 【主な特長】 ■ベースプレートのウェーブ構造 ■きわめて高い電力密度 ■同クラスで最低水準のVCEsat ■過負荷時のTvj op＝175℃ ■NTC温度センサー搭載 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

『車載用 Nチャンネル パワーMOSFET 40V』は、インフィニオンの 新しい車載用MOSFETハイパワーMOSFETパッケージファミリー製品です。 また、従来のOptiMOS 6に比べて、Ronが25％向上。OptiMOS 7は、 業界最小クラスのオン抵抗で、パッケージ抵抗がきわめて低い高効率 sTOLL 7×8mm2リードレスパッケージで、最高クラスの電力密度と エネルギー効率を実現。 また、広い安全動作領域(SOA)で、リードレスパッケージ(銅クリップ) の 堅牢な車載用パッケージ設計です。 【主な特長】 ■7×8mm2というパッケージサイズに、0.39mΩのきわめて 　低いドレイン-ソース間オン抵抗 (RDS(on)) ■最大電流耐量280A ■高いアバランシェ耐量 ■広い安全動作領域(SOA) ■高速スイッチング(ターンオン/オフ) ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

『産機＆民生用 Nチャンネル パワーMOSFET 40V』には、当社の MOSFET技術が、超低寄生のコンパクトパッケージと組み合わされています。 これにより、さまざまな電源パッケージにおいて、業界で最小クラスの RDS(on)および最大クラスの電力密度を実現し、スイッチング/導通損失 および電流耐量を大幅に改善。 また、低パッケージ抵抗で高い電流処理能力を備えたMOSFETが求められる バッテリー駆動、バッテリー保護、およびバッテリーフォーメーションの アプリケーションの幅広い分野に対応し、低/高スイッチング周波数共に好適です。 【主な特長】 ■コンパクトなパッケージサイズ(8×6mm)で高い電流耐量を実現 ■業界でも低いRDS(on)とFOM ■超低パッケージ寄生容量(抵抗およびインダクタンス)の 　リードレスパッケージ ■PQFN 5×6とフットプリント互換 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

『車載用 Nチャンネル パワーMOFFET 100V』は、汎用性、堅牢性に優れた 高電流のSSO8 SMDパッケージ(5×6mm2)で提供いたします。 車載用途に必要な高性能、高品質、堅牢性を重視した設計となっています。 “IAUCN10S7N021"は、電力密度の分野において大きな前進を果たした製品。 最高クラスの従来品からRDS(on)を47％低減し、業界最小クラスのRDS(on)と FOM(RDS(on)×Qg)を実現しました。 【主な特長】 ■前世代品よりRDS(on)が47％低減 ■業界最小クラスのRDS(on) ■高速スイッチング(ターンオン/オフ) ■パッケージ抵抗が低く、低浮遊インダクタンス ■前世代品より75％高いID電流 ■高いアバランシェ耐量 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

『インテリジェント パワーモジュール』は、新しい1200V TRENCHSTOP IGBT7とラピッドダイオードEmcon 7技術を採用しています。 新しいマイクロパターントレンチ設計により、比類ない制御性と性能を提供。 これにより、損失が大幅に低減され、高い効率と電力密度を実現。 また、全チャネルでの低電圧ロックアウト機能、保護時に全スイッチをオフ、 上下同時導通防止、過電流保護、温度監視といった優れた保護機能を搭載 しています。 【主な特長】 ■DCB基盤を使用した樹脂封止型デュアルインライン(DIL) 　モールデッド モジュール ■1200 V TRENCHSTOP IGBT7 ■堅牢な1200 V SOIゲートドライバー技術 ■ブートストラップ機能搭載 ■過電流シャットダウン ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

『車載用スマート ハイサイドスイッチ』は、8ピンの小型リードレス パワーパッケージで、0.7mΩという非常に低いRDS(on)を実現しています。 当製品は、最大55Aの大電流負荷を駆動する能力、先端の保護機能および 診断機能を内蔵。 12 Vボードネットの電源配電システムやその他の大電流アプリケーションに おける電気機械式リレーやヒューズ、ディスクリート回路の置き換えに好適です。 【主な特長】 ■低抵抗スイッチ ■保護機能を搭載(過電流保護、過負荷保護、加熱保護、過電力保護) ■診断機能搭載 ■クランキングパルスに対応 ■低待機電流 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

『リニア電圧レギュレーター』は、PG-TO252-3およびPG-TSDSO-14 パッケージに搭載された、5.0 V出力の高性能、超低静止電流リニア 電圧レギュレーターです。 本デバイスは、入力電圧範囲3.2V～40000V、軽負荷時の静止電流が通常 4.3μAと超低消費電流であるため、車載用電源システムやバッテリーに 常時接続される電源システムに好適。 また、出力電流制限により、高い安全性、部品の保護、安定性の維持を 実現しています。 【主な特長】 ■出力電圧5 V ±2％ ■出力電流 ・TLS850A4TEV50は最大500 mA ・TLS830A4EPV50は最大300 mA ・軽負荷時4.3μA(typ.)の超低暗電流 ■100mA以下の出力電流で、190mV(typ.)の低いドロップアウト電圧 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

『シングルスイッチIGBTモジュール 4500V/1200A』は、TRENCHSTOP IGBT4 およびエミッターコントロールダイオード4を標準パッケージ(140×190mm2)に 搭載し、前モデル同様にS7独自の機能の有無が選択できる製品です。 MVD、T＆D、輸送など、産業アプリケーションの現状および将来的な要件に 対応するよう、当社の新しいチップ世代にアップグレードされました。 また、前モデルの“FZ1200R45HL3”とは機械的特性が同じで、電気特性も きわめて近いため、移行が簡単です。 【主な特長】 ■四角形の逆バイアス安全動作領域(RB-SOA) ■高い宇宙放射線耐性(100 FIT @ 2900 V) ■高いTC耐量(30,000 サイクル@ DTc ＝ 80 K)および 　PC耐量(2百万サイクル@ DTj ＝40 K) ■火災防護規格EN45545-2 R22, R23：HL3取得 ■高い出力実効電流で低い導通損失 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

当社が取り扱っている『MOSFETパワーモジュール 3.3kv』について ご紹介いたします。 当製品は、高い電力密度、高いエネルギー効率、高い堅牢性を持ち、 交通機関の脱炭素化を実現する製品です。 その比類なき性能は、ボディダイオードを内蔵したCoolSiC MOSFET 3.3 kV、XHP2パッケージ、.XT接合技術の独自の組み合わせによって 実現されています。 【主な特長】 ■高スイッチング周波数 ■コンパクトサイズ ■低損失 ■高Inom ■XT接合技術 ■I2tサージ電流耐量 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

『車載インバーター向け MOSFETパワーモジュール』は、トラクション インバータアプリケーション用途に最適化されたコンパクトなB6ブリッジ パワーモジュールです。 750Vおよび1200V耐圧クラスで300kWまでのスケーラブルな定格電力に対応。 異なる定格電流、耐圧クラス(750 Vおよび1200 V)に応じたインフィニオンの 新しいチップ技術EDT3(Si IGBT)とCoolSiC G2 MOSFETで提供されます。 さらに、HybridPACK Drive G2は、電流センサーの統合オプションなど、 システムコストを最適化する新たな機能を提供します。 【主な特長】 ■低スイッチング損失 ■低インダクタンス設計 ■時間限定の動作温度範囲拡張 ■長い沿面距離および空間距離 ■直接水冷PinFinベースプレート ■焼結接合によるダイアタッチ技術 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

『産業＆車載用温度センサー搭載 Nチャンネル パワーMOSFET』は、 接合部温度の検出精度と堅牢性を高めるとともに、容易な実装と 機能安全を実現する製品です。 ソリッドステートリレー、サーキットブレーカー設計、SMPSのライン 整流などの産業用アプリケーションや、バッテリーディスコネクト、 eFuse、オンボードチャージャーなどの車載アプリケーションに好適。 また、温度センサーにより、CoolMOS S7の機能が強化され、パワー トランジスタを最大限に活用できます。 【主な特長】 ■最適化された価格性能比 ■低周波スイッチングに好適 ■寄生ソースインダクタンスを低減 ■シームレスな診断 ■正確で迅速な長期モニタリング ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

『Nチャンネル パワーMOSFET 40 V』は、OptiMOS 7トレンチ技術を 採用した製品です。 既存のOptiMOS 6 40 V製品に比べ、RDS(on)は40％低減されており、 SuperSO8パッケージを使用することで、DirectFET(L)ソリューションに 比べてPCB面積を50％削減し、並列化の必要性をなくします。 RDS(on)を大幅に低減しているので、BMSアプリケーションにとって大きな 利点となります。これにより電力密度の向上、システム効率の改善、システム コストの削減を容易に実現します。 【主な特長】 ■最高クラスのSuperSO8パッケージ40VパワーMOSFET ■優れたRDS(on) ■業界標準のフットプリント ■広い安全動作領域(SOA) ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

『産業＆車載用 SiC MOSFETパワーディスクリート 750V』は、最高 クラスのシステム性能と信頼性を実現する堅牢性の高いSiC MOSFETです。 性能、信頼性、堅牢性、ゲート駆動の柔軟性における優位性を発揮し、 最高クラスの効率と電力密度を実現する簡素化されたコスト効率の高い システム設計を実現。 革新的な上面放熱パッケージは、当製品の強みをさらに強化し、 高密度化、最適化された電源ループ設計、システムおよびアセンブリ コストの削減を実現します。 【主な特長】 ■きわめて堅牢な750 Vテクノロジー ■最高クラスのRDS(on) x Qfr ■優れたRon x QossおよびRon x QG ■低Crss/Cissと高Vgsthを両立 ■100％アバランシェ耐量出荷テスト対応 ■最高クラスの熱特性を実現する.XTダイ接合技術 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

当社が取り扱っている『シングルスイッチIGBTモジュール 6500V/1000A』 についてご紹介いたします。 GBT4トレンチフィールドストップ技術を使用した製品となっており、 HVDC-VSC、トラクション、産業用アプリケーションに好適なソリューション。 また、標準パッケージ、低電力損失で小型インバーター設計が可能という 利点があります。 【主な特長】 ■低 V(CEsat) ■AlSiCベースプレート ■最小ストレージ温度：−55℃ ■CTI ＞ 600のパッケージ ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

『8ピン ソリッドステートリレー用評価ボード』は、CoolMOS、OptiMOS、 TRENCHSTOP IGBTなどのMOS制御パワートランジスタのゲート駆動用で、 ガルバニック絶縁バリアをまたいで強力なエネルギー伝送を実現します。 ソリッドステートアイソレーターの出力側では、パワートランジスタの ゲート駆動用の電圧供給が不要で、高速ターンオン/オフ、過電流保護、 過熱保護などの高度な制御機能を提供。 さまざまなアプリケーション向けにソリッドステートリレーを簡単かつ 安全に構築できます。 【主な特長】 ■ACスイッチ構成 ■高速ターンオン ■過電流/加熱検出後の高速ターンオフ ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。