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この4チャンバーシステムは、使用時点での混合化学物質を特許取得済みのリテーナーコーム処理システムと組み合わせて優れたプロセス結果を実現することを特徴としています。過酸化物や硫酸の代わりにSicOzoneを使用して洗浄やレジスト剥離のようなサステナブルなプロセスを行うことで、ケミカルや脱イオン水の消費を最大90%節減することができます。常に新しいケミカルをチャンバに供給するため、浴液劣化によるロットの処理ばらつきをなくし、高精度のプロセスを安定的に行うことが可能です。 【特長】 ■ウェットエッチング・レジスト剝離・洗浄プロセス向け ■最大600wphのスループット ■4つのプロセスチャンバー ■設置面積12m2未満 ■ケミカルを低濃度で使い切り ■硫酸や過酸化物は必要なし ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
この2チャンバーシステムは、優れたエッチングの均一性を提供するだけでなく、化学物質を節減します。そして、すべてのタイプのウェットエッチングプロセスに対応しています。 高い精度のタンク内における化学物質の混合、終点検出（EPD）、特許取得済みのリテイナーコーム処理システムが含まれています。さらに、SicOzoneレジスト剥離を同じチャンバーに適用でき、これにより柔軟性が向上し、処理ステップを減らすこともできます。 【特長】 ■最大300wphのスループット ■ウェットエッチング・レジスト剝離・洗浄プロセス向け ■2つのプロセスチャンバー ■ばらつきが1％未満の均一性 ■設置面積12m2未満 ■タンクシステムによるケミカルの循環再利用 ■SiC/GaNでプロセス実行可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
この2チャンバーシステムは、ポリマー残渣やレジスト剝離向けの有機溶剤系ケミカルに対応しています。 高い精度のタンク内における化学物質の混合、特許取得済みのリテイナーコーム処理システムが含まれています。 有機溶剤中の水分濃度の自動管理が可能です。 【特長】 ■最大300wphのスループット ■2つのプロセスチャンバー ■ばらつきが1％未満の均一性 ■設置面積12m2未満 ■タンクシステムによる化学物質の再循環 ■SiC/GaNでプロセス実行可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
この2チャンバーシステムは、優れたエッチングの均一性を提供するだけでなく、化学物質を節減します。またすべてのタイプのウェットエッチングプロセスに対応しています。 高い精度のタンク内における化学物質の混合、エンドポイント検出（EPD）、特許取得済みのリテイナーコーム処理システムが含まれています。さらに、SicOzoneレジストストリップを同じチャンバーに適用でき、これにより柔軟性が向上するだけでなく、処理ステップを減らすこともできます。 【特長】 ■最大300wphのスループット ■2つのプロセスチャンバー ■ばらつきが1％未満の均一性 ■設置面積12m2未満 ■タンクシステムによる化学物質の再循環 ■sic/GaNでプロセス実行可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
この3チャンバーシステムは、特許取得済みのリテイナーコーム処理システムを使用することで、あらゆるタイプのウェットエッチングプロセスと洗浄アプリケーションに対応しています。酸/洗浄の組み合わせにより、高いプロセスの柔軟性と高いスループットを達成できます。過酸化物や硫酸の代わりにSicOzoneを使用して洗浄やレジストストリッピングのようなサステナブルなプロセスを行うことで、化学物質や脱イオン水の消費を最大90%節減することができます。 【特長】 ■最大400wphのスループット ■2つの洗浄プロセスチャンバー ■ばらつきが1％未満の均一性 ■設置面積12m2未満 ■タンクシステムによる化学物質の再循環 ■EPD-End Point Detection ※詳細はカタログをダウンロードいただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当社の半自動装置は、高性能、効率的な化学物質の再循環、設置面積の最小化、スペース効率の最適化で際立っています。 【特長】 ■最大150wphのスループット ■設置面積2m2未満 ■タンクシステムによる化学物質の再循環 ■SiC/GaNでプロセス実行可能 ■25枚または50枚ウェーハのチャンバーを使用可能 ■抽出可能なプロセスチャンバー ■ATEX安全規格 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ドライエッチング後に側壁（サイドウォール）に残ったポリマー残渣は従来、有機溶剤系のケミカルで除去されてきましたが、環境・安全など、サステナビリティの観点から調達が困難になりつつあります。Siconnexでは、半導体ファブで一般的に使用される無機ケミカルを使用してドライエッチング後のポリマー残渣を除去する『perc（Post Etch Residue Clean)』プロセスを開発しました。 【特長】 ■無機ケミカルにてポリマー残渣を除去 ■ケミカルコスト・産廃コストの削減が可能 ■設置面積2m2未満 ■タンクシステムと組み合わせてエッチングやレジスト剝離も一台で可能 ■25枚または50枚ウェーハを1バッチで処理可能なチャンバー ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当社の半自動装置は、高性能、効率的な化学物質の再循環、設置面積の最小化、スペース効率の最適化で際立っています。 【特長】 ■従来のRCA洗浄につき、過酸化水素の代わりにオゾンを使用することでケミカルコストを低減 ■高濃度オゾン水ではないため、特殊な仕様は不要 ■エッチングやレジスト剥離など他のウェットプロセスと統合し、ウエハを移動させずに複数の処理工程を実施できる ■オゾンは分解しやすいため、産廃コストも低減 ■設置面積2m2未満 ■25枚または50枚ウェーハのチャンバーを使用可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
オゾンでのレジスト剝離は既に20年以上研究開発がなされてきましたが、分解・拡散しやすいオゾンをプロセスで使用するハードルが高く、現在実用化されている方式は専用のオゾンプロセス装置が必要です。 Siconnexでは独自のBATCHSPRAY技術により、エッチングや洗浄等の他のウェットプロセスと同じ装置でオゾンレジスト剝離プロセスが可能です。そのため一台で複数プロセスを実施でき、省スペースかつプロセスインテグレーション可能なソリューションを提供できます。 【特長】 ■オゾンと水のみでレジスト剝離が可能 ■高濃度オゾン水ではないため、特殊な仕様は不要 ■エッチングなど他のウェットプロセスと統合し、ウエハを移動させずに複数の処理工程を実施できる ■オゾン以外のケミカルを使用せずランニングコスト低減 ■オゾンは分解しやすいため、産廃コストも低減 ■レジスト変質により除去が難しい場合には無機ケミカルの添加により強化可能 ■設置面積2m2未満 ■25枚または50枚ウェーハのチャンバーを使用可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当社の半自動装置は、高性能、効率的な化学物質の再循環、設置面積の最小化、スペース効率の最適化で際立っています。 【特長】 ■最大150wphのスループット ■ばらつきが1％未満の均一性 ■設置面積2m2未満 ■タンクシステムによる化学物質の再循環 ■sic/GaNでプロセス実行可能 ■25枚または50枚ウェーハのチャンバーを使用可能 ■抽出可能なプロセスチャンバー ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当社は、半導体チップ製造プロセス（ウェットエッチング・レジスト剝離・洗浄）装置の製造メーカーです。 スループット最大600wphの「BATCHSPRAY Clean Autoload」や タンクシステムによるケミカル循環方式を採用した「BATCHSPRAY Solvent Autoload」 など様々な製品を取り扱っております。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問い合わせください。 【Siconnex(サイコネックス)が選ばれる理由】 ■BATCHSPRAY技術に100％フォーカス ■水・排気・化学品を大幅に削減 ■コスト効率が高く、環境保全に対応したプロセス ■充実したサポート体制(サービス、パーツ、プロセス) ■無償の年次装置点検、トレーニング、電話サポート、及び初年度定期 メンテナンス等のパートナーシップアプローチ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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