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組込式4chフリースペース光アイソレータを小ロットからご提案します。 ・高アイソレーション ・低IL ・高再現性 ・コンパクトサイズ ・RoHS準拠 Siny Optic-com社は光アイソレーター及び光アイソレーターを含むファイバーコンポネントのワンストップサービスで提供する中国深センのサプライヤーです。同社の光アイソレーターは光通信関連製品への組込にて世界的に広く採用されています。 光アイソレータ、光ファイバーレセプタクル、精密金属部品、セラミック＆マグネット部品の生産から販売まで全て自社で行うことにより、小ロットからお客さまの要求仕様に合わせてご提案を可能にします。
波長可変光源用に最適化された光アイソレータをご提案します。 ［パラメーター：デュアルステージ］ 中心波長：1270-1610nm アイソレーション(λc 23℃)： ＞52dB 挿入損失(λc 23℃)： ＜0.90dB アパーチャー：0.4-3.0mm 入力パワー：500mW オペレーション温度：-40~85℃ 保管温度：-40~85℃
高アイソレーション性能 (シングル：>35dB, デュアル：>50dB) 低挿入損失（シングル：<0.3dB,デュアル：<0.6dB) シングル・デュアルステージ SMT 光アイソレータをご提案します。 標準ラインナップ：1270～1610nmとなっておりますが、その他の波長にもカスタム可能です。 製品は小ロットからご提案可能です。 ［中心波長 (nm)］ ［アイソレーション(dB)］ ［IL(挿入損失) (dB)］ ［クリアアパーチャ］ ●シングルステージ SMT フリースペース光アイソレータ 1270-1610 >35 <0.3 φ0.4-1.0 ●デュアルステージ SMT フリースペース光アイソレータ 1270-1610 >50 <0.6 φ0.4-1.0
Sheaumann社の2-Pinモジュールは電気的絶縁および密閉処理されたパッケージにて提供されます。 2-Pinモジュールは軽量・コンパクトな筐体で高出力を得られ、冷却も可能であることから、同社の主力製品の一つとなっております。 発振波長は780-1070nm、CW/PULSE駆動。 宇宙アプリケーション用に設計されており、厳格な試験の下に高信頼性を担保しております。 本2ピン式半導体レーザモジュールは、 宇宙用途として同社がTesat-Spacecom社と共同開発した製品です。 両社のレーザモジュール設計に関する深い知識とサブミクロン単位の調整を組み合わせ、 2015年〜3年もの開発期間を経てリリースされた、高信頼性レーザモジュールです。 宇宙環境において20年間のメンテナンスフリーを基に設計されており、 現在はTeast-Spacecom社の低軌道衛星および静止衛星にOEM採用されております。
シングルモード半導体レーザをTO-CANおよびSub-mountパッケージで提供します。 TO-Can：標準仕様として5.6mm,9mmパッケージを採用しております。 Sub-mount：InまたはAuSnボンドを使用したCuWやCuサブマウントをAINキャリアにマウントしております。 ・940nm シングルモード半導体レーザ：出力 50mW ～ 300mW ・915nm シングルモード半導体レーザ：出力 50mW ～ 300mW ・852nm シングルモード半導体レーザ：出力 50mW ～ 150mW ・830nm シングルモード半導体レーザ：出力 50mW ～ 150mW ・808nm シングルモード半導体レーザ：出力 50mW ～ 150mW ・785nm シングルモード半導体レーザ：出力 50mW 〜 450mW ・1064nm シングルモード半導体レーザ：出力 50mW ～ 300mW
マルチモード半導体レーザをTO-CANおよびSub-mountパッケージで提供します。 TO-Can：標準仕様として5.6mm,9mmパッケージを採用しております。 Sub-mount：InまたはAuSnボンドを使用したCuWやCuサブマウントをAINキャリアにマウントしております。 ・1064nm マルチモード半導体レーザ：出力 ～ 3W ・975/980nm マルチモード半導体レーザ：出力 ～ 3W ・940nm マルチモード半導体レーザ：出力 ～ 4W ・915nm マルチモード半導体レーザ：出力 ～ 2W ・852nm マルチモード半導体レーザ：出力 ～ 2W ・830nm マルチモード半導体レーザ：出力 ～ 2W ・808nm マルチモード半導体レーザ：出力 ～ 15W ・785nm マルチモード半導体レーザ：出力 ～ 2W
MirPacは手のひらサイズの筐体で CW Er:YAG 2.9μm TEM00ビームの出力を可能にしたDPSSレーザテクノロジーにおける革新的な製品です。 2940nmは最も水の吸水率の高い波長であり、水分を含む材料と組み合わせて使用するアプリケーションに最適です。 ・DPSS ・絶縁 (Electrically isolated) ・密閉 ・内部デュアルTEC搭載 ・赤 or 緑ガイド光 (オプション) ・低RMS ・ファイバカップル可能
TEC、サーミスタ、フォトダイオード内蔵。 高温耐性半導体レーザモジュールです。 パッケージは電気的絶縁および密閉処理が施されております。 発振波長は780nm-1080nm。 オプションにてFast axisコリメーション用オプティクスもご用意しております。 ・Fast axisコリメーション用オプティクス ・多様なファイバカップルオプション Sheaumann Laser Inc.は半導体パッケージ業界におけるパイオニアの一人、Jim Hsiehにより2005年に設立されました。多くの半導体レーザ関連企業が生産を海外に移していく中で、Sheauman社のビジョンは一貫しており、米国での製造を保ちつづけています。808/915/940/975/980nmの高出力シングルモード・マルチモード半導体レーザを標準ラインナップしております。絶縁・密閉パッケージ品なども提案しており、宇宙アプリケーションでも実績を持ちます。
●ローノイズ 一般的なLD光源とS+K社51NANOを比較(バンド幅 1MHz, 60minutes) SMF光源のピークノイズ値1%に対し、 51NANO：パワーノイズ<0.1%RMS(<1MHz) 一般的なLD光源：LDからのパワーノイズが発生、モードホップによりノイズが増加 ●モードホップフリー 独自のRFモジュレーション方式によりブロードかつモードホップフリーなスペクトルを生成。 51NANO：～1.5nm FWHM、0.3mmコヒーレンス長 一般的なLD光源：モードホップが発生、>1mコヒーレンス長 ●低スペックルノイズ <300μmコヒーレンス長とブロードな出力により、スペックルノイズを低減 51NANO：ラージスポットかつ低スペックルノイズ 一般的なLD光源：強度0のスポットが発生 ●低干渉 短コヒーレンス長とローノイズな設計により、一般的なLD光源をコリメータした際に発生するCCDカメラとガラス窓の干渉による干渉縞の発生を除去 51NANO：干渉縞のないスポットを生成 一般的なLD光源：ディテクタ上の保護ガラスとの干渉により干渉縞が発生
◆動作温度+5~+55℃ ◆保存温度-5~+75℃ ◆中心波長：1064nm or Specified ◆動作波長範囲：±5nm CPS(Cladding Power Stripper) を搭載した高出力1064nm用のファイバー入射、空間出力アイソレータです。出射ビーム径はφ1mm～8mmの範囲で調整可能です。50W(平均出力)、35kW(ピークパワー)まで挿入することが可能です。 Ruik社は光通信、ファイバレーザ、ファイバセンサ用途などに用いられるパッシブファイバコンポーネントを制作する中国のリーディングカンパニーです。 ファイバレーザ/ファイバーアンプ用の高出力用コンポーネントは、40W(average power), 10kW (peak power)まで対応しております。 また、偏波保持(PM)型は高品質かつリーズナブルにご提案しており、高い指示を集めております。1個～ご提案します。
高出力用の (6+1)x1 PMポンプ&シグナルコンバイナです。1ポート300Wまでのポンプパワーを挿入することができ高出力ファイバーレーザやファイバーアンプ用途に最適です。他、(2×1)x1 タイプも取りそろえております。 Ruik社は光通信、ファイバレーザ、ファイバセンサ用途などに用いられるパッシブファイバコンポーネントを制作する中国のリーディングカンパニーです。 ファイバレーザ/ファイバーアンプ用の高出力用コンポーネントは、40W(average power), 10kW (peak power)まで対応しております。 また、偏波保持(PM)型は高品質かつリーズナブルにご提案しており、高い指示を集めております。1個～ご提案します。
◆975nmなどの特定波長を透過させ1064nmや1550nmなどの特定波長をブロックするポンプレーザーを保護するためのデバイスです。 ■シングルモードポンプレーザープロテクタ 1.0μm帯 ファイバーレーザ用途 ■偏波保持ポンプレーザープロテクタ, 1.0μm帯 ファイバーレーザ用途 ■マルチモード ポンプレーザープロテクタ, 1.0μm帯 ファイバーレーザ用途
超小型PLDドライバ LDP-AV XLSB 1N50-250 は LiDAR用途に特化した高出力用パルスLDドライバです。 パルス幅は5ns固定で20～250A, 0.1%(max) duty cycle, 1Hz～200kHzにて動作させることができます。 ●仕様 型番：LDP-AV XLSB 1N50-250 電流出力：20～250A パルス幅：5ns (固定) 繰り返し周波数：1Hz～200kHz 最大デューティー比：0.1% トリガー入力：5V 50Ω 供給電圧：5.5～12V (8V typ.) サイズ：19x20mm 重さ：26g 駆動温度：0～55℃
ピコ秒、ナノ秒 短パルスLDドライバ (200ps～)
アクティブエリアに入射された時にフォトカレントを発生するGaAsを基にした半導体の光センサです。 一般的に400から850nmに感度があります。 【フォトダイオードアレイ】 FCI-GaAs-XXmは、高速ファイバーレシーバやアプリケーションモニタ用にデザインされた4 から 12素子のGaAs PINフォトディテクターアレイです。 ●仕様 ［モデル名：アクティブエリア・応答性・キャパシタンス・ダーク・カレント・最大逆電圧・最大フォワードカレント・バンド幅・ブレイクダウン・電圧・パッケージ］ ・FCI-GaAS-4M：70um・0.63 A/W 850nm・0.65 pF・0.03 nA・20 V max・5 mA・2 GHz 850 nm・50 V・FCI-GaAS-4M ・FCI-GaAS-12M：70um・0.63 A/W 850nm・0.65 pF・0.03 nA・20 V max・5 mA・2 GHz 850 nm・50 V・FCI-GaAS-12M
高速シリコンフォトダイオードは800nm波長域にピークを持ち、高ハンド幅応用(100Mbps~1.25GHzまで）仕様のディテクターです。100Mbpsから622Mbpsと1.25Gbpsフォトダイオードの２種類あります。 【100Mbps / 622Mbpフォトダイオード】 OSI オプトエレクトロニクス社の大有効径の高速シリコンディテクターシリーズは短距離データ通信用にデザインされた製品です。 【850nm, 1.25 Gbps フォトダイオード】 OSI オプトエレクトロニクス社の大有効径の高速シリコンピンフォトダイオードシリーズは850nmの短距離データ通信用にデザインされた製品です。
アクティブエリアサイズが1mm,1.5mm と 3mmのFCI-InGaAs-XXX-Xシリーズは、OSI Optoelectronics社の1100nm から1620nmで素晴らしい応答性があるIR感度ディテクター(弱いシグナル感度もあります。)の一部です。 OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち、30年以上に渡り、フォトディレクタのOEM供給を続けております。長年の経験を基に培われた、大量生産の要件を満たすための効率的な製造ノウハウを基に、信頼性とコストパフォーマンスに優れた製品を供給しております。
◆LCC, DIP チップキャリア, PCB, セラミック，モノリシックはんだ付け可能ベアチップ 【マルチ・エレメントアレー・シリーズ】 OSIオプトエレクトロニクスは、移動ビームの測定または多波長ビームに対するマルチチャンネルモノリシックアレイを提供しています。 【二次元フォトダイオードアレイ 4×4 フォトダイオードアレイ】 UDT-4X4Dは、スーパーブルー強化フォトダイオードの4×4アレイです。 独自のデザインで16素子すべての間で完全な隔離を提供します。
OSIオプトエレｌクトロニクス社の最新の製造ラインは非常に低い反射のフォトダイオードを含んでいます。 通信用に設計されたInGaAs/InPフォトダイオードは1520nmから1620nmまで0.6%以下の反射ロスです。 特徴 ・0.6%以下の低反射率 ・低ノイズ ・高速対応 ・波長レンジ：900nm～1700nm
◆測光と放射分析検出器はより頻繁に統合された光学フィルターを使用 光学フィルターは、シリコンフォトダイオードのスペクトル応答を調整するために、低コストで効果的なソリューションを提供しています。測光と放射分析検出器は、より頻繁に統合された光学フィルターを使用することによって設計されています。
・低暗電流 ・標準リード ・SMT ・モールドレンズ ・横向きあり ・チップ上にフィルター(700nmカットオフ） OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち30年以上の経験があります。当社は大量生産の要件を満たすための効率的な製造と優れたエンジニアリングソリューションを作り出し続けています。 OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち、30年以上に渡り、フォトディレクタのOEM供給を続けております。長年の経験を基に培われた、大量生産の要件を満たすための効率的な製造ノウハウを基に、信頼性とコストパフォーマンスに優れた製品を供給しております。
セグメント化され、1次元または2次元アクティブ領域に横効果PSDが利用できる。 幅広いアプリケーションに適合するように、アクティブ領域のサイズやパッケージングの対応可能。 横効果のPSDが広い横方向の変位を測定するのに最も適しているのでセグメント化された検出器は、典型的には、ビームヌルアプリケーションで使用される。 OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち、30年以上に渡り、フォトディレクタのOEM供給を続けております。長年の経験を基に培われた、大量生産の要件を満たすための効率的な製造ノウハウを基に、信頼性とコストパフォーマンスに優れた製品を供給しております。
FCI-InGaAs-QXXXシリーズは、アクティブエリアを大口径にしたInGaAsフォトダイオードです。 OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち、30年以上に渡り、フォトディレクタのOEM供給を続けております。長年の経験を基に培われた、大量生産の要件を満たすための効率的な製造ノウハウを基に、信頼性とコストパフォーマンスに優れた製品を供給しております。
【特徴】 ・コンパクト ・ハーメチックシール ・低ノイズ ・ワイド波長レンジ ・遠隔測定 ・TEC付 OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち、30年以上に渡り、フォトディレクタのOEM供給を続けております。長年の経験を基に培われた、大量生産の要件を満たすための効率的な製造ノウハウを基に、信頼性とコストパフォーマンスに優れた製品を供給しております。
◆波長感度は200nmから1100nm 石英又は紫外透過ガラス窓付でパッケージされた、それらのディテクターは200nmから1100nmの波長感度です。 それらは、低い暗電流、低い静電容量のための逆バイアスで高速時のパフォーマンスを上昇することができます。 OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち、30年以上に渡り、フォトディレクタのOEM供給を続けております。長年の経験を基に培われた、大量生産の要件を満たすための効率的な製造ノウハウを基に、信頼性とコストパフォーマンスに優れた製品を供給しております。
◆感度領域は、200nm ～ 0.07nm (6eV to 17.6keV) 【軟X線、遠紫外線強化フォトダイオード】 1990年に R＆D100賞を受賞したX-UV検出器シリーズは、任意のシンチレータ結晶またはスクリーンを使用せずに、電磁スペクトルのX線領域における付加的な感度のために設計されたシリコンフォトダイオードです。 【デプレイト（完全空乏）フォトダイオード】 レスポンス時間を短縮するために、可能な限りジャンクション静電容量を小さくしたフォトダイオードです。またこのフォトダイオードの特長はアクティブエリアが大きく作られていることもあります。 【マルチチャンネルのX線検出器 光導電性アレイ】 このシリーズは、16素子アレイで構成されています。 個々の要素を一緒にグループ化され、PCBに実装されています。
◆シングル＋3.3～5V電源 ◆波長レンジ：1100nm~1650nm FCI-XXX-InGaAs-75シリーズは、コンパクトで高速InGaAsフォトディテクタ(PD)に広範囲トランスインピーダンスアンプ(TIA)を統合した製品です。 OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち、30年以上に渡り、フォトディレクタのOEM供給を続けております。長年の経験を基に培われた、大量生産の要件を満たすための効率的な製造ノウハウを基に、信頼性とコストパフォーマンスに優れた製品を供給しております。
◆シリコンアバランシェフォトダイオード ◆フラットミラーまたはボールレンズで使用可能 シリコンアバランシェフォトダイオードは、インパクトイオン化利得を達成するために、内部の乗算を使用します。その結果、優れた感度を発揮する、高い応答デバイスの最適化されたシリーズです。 OSI社は、光ファイバアプリケーション用の平らなWindowsまたはボールレンズで使用可能な検出器のいくつかのサイズを提供しています。
◆YAGレーザー出力光の位置検出用 ◆1060nmで高感度に最適化されたフォトダイオード ◆高い逆バイアス電圧(200ボルト)で操作 OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち、30年以上に渡り、フォトディレクタのOEM供給を続けております。 長年の経験を基に培われた、大量生産の要件を満たすための効率的な製造ノウハウを基に、信頼性とコストパフォーマンスに優れた製品を供給しております。
FCI-InGaAs-XXMシリーズは、4, 8, 12,16チャンネルの高速IR感度フォトディテクターアレイの一部です。ARコート素子は、1100nm から 1620nmで高応答性で2.5Gbpsデータレート可能です。 OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち、30年以上に渡り、フォトディレクタのOEM供給を続けております。長年の経験を基に培われた、大量生産の要件を満たすための効率的な製造ノウハウを基に、信頼性とコストパフォーマンスに優れた製品を供給しております。
光トランシーバおよびオプティカルツールの製造メーカー、 Liverage社のオリジナルファイバチェッカをご紹介しております。 単四乾電池駆動。点灯点滅モード搭載。ポケットサイズ。安心の1年保証付です。
◆小型、堅牢かつリーズナブルな価格 校正波長：850/1300/1310/1490/1550nm パワーレンジ：＋5 ～ -40dBm
◆ポケットサイズの筐体に光源とパワーメータを搭載 ◆スマホアプリと連動した利便性の高いインターフェイス 光源、パワーメータ +、赤色光源モジュール有 USB給電
ポケットサイズの筐体に最大8ch光源モジュールをセット可能 光源出力の調整可能(+3/0/-3dBm)
Liverage社の10G/25G SFPチェッカは手のひらサイズのBER試験機です。 0.1～4Gbps, AOC, SFPのビットエラーレート(BER)試験をスピーディーに行うことができます。 DDM表示機能付
Liverage社の10G/25G SFPチェッカは手のひらサイズのBER試験機です。 10G/25G AOC, SFPのビットエラーレート(BER)試験をスピーディーに行うことができます。
◆ウォームアップ不要 ◆SFPモジュール式、LC/SCコネクタ ◆1270～1650nmの波長域を20nmステップで標準ラインナップ Liverage社のロングセラー品、ポケットサイズ式光源ユニットです。 SFPモジュール交換式となっており、動作中も自由に抜き差し可能です。 マルチモード光源： 850,1300nm / シングルモード光源： 1310/1490/1550nmのほか、 1270～1650nmの波長域を20nmステップで標準ラインナップしております。 ＊標準ラインナップ波長一覧 (1270/1290/1310/1330/1350/1370/1390/1410/1430/1450/1470/1490/1510/ 1530/1550/1570/1590/1610/1625/1650)
・シンプルでフレンドリーなGUI ・19インチ ラックマウント式、最大36ch ・光測定レンジ：＋5 ～ -70dBm ・光源出力の調整可能(+3/0/-3dBm) ・1270～1610nmの波長域を20nmステップで標準ラインナップ
◆光測定レンジ：＋5 ～ -70dBm ◆光源出力の調整可能(+3/0/-3dBm) ◆製造検査用として最もシンプルな操作性 ◆リモート動作に対応 OTH3100は19インチ ラックマウントサイズの筐体にMPO製造検査用光源とパワーメータを実装した、MPO製造検査用試験機です。 シンプルな操作性と設置場所を選ばないコンパクトな筐体は、製造検査の効率を高めます。
MPOファイバチェッカはダイヤル式で、1心づつMPOの導通チェックが可能です。 CW/Pulseモードを搭載。 MPO12心の他、24心・36心もカスタム対応しております。
◆20nmステップの校正波長を持つモジュールを任意で選択 8chの異なる波長の出力を同時に測定可能なパワーメータハブです。 必要な中心波長を持ったSFP型光パワーメータメータモジュールを挿入し使用します。 1270～1610nmで20nmステップで校正波長をご用意しております。
iBERT X1 Miniは光トランシーバモジュールの製造老舗メーカーであるLiverage社のBER試験機です。 AOC/光トランシーバのビットエラーレート試験を最もシンプルかつスピーディーに行うことができます。 ・0.1G ～ 4.25G/10G/25G SFP ・10G/25G SFP AOC ・40G/100G QFSP ・40G/100G QSFP AOC ・モジュール式 (40/100Gbps QSFP, 10/25Gbps SFP) ・ユーザフレンドリーなインターフェイス ・4chパワーメータ内蔵(光トランシーバ各レーンのパワーレベルを測定可能)
◆850nm Tx/Rx内蔵 MPO TypeA/B/C極性診断と挿入損失測定をシンプルスピーディーに行います。 測定結果は300データ内部保存可能です。
◆測定トランシーバに合わせた各バージョンをご用意 ◆HOTPET ProはMPO,LCいずれも直接接続可能(ブレイクアウトケーブル不要) 40～400Gbps対応、光トランシーバの各レーンの光パワーを個別に測定可能なハンドヘルド式光パワーメータです。 400G LR4,SR8,DR8,FR8,LR8/ER8に対応しております。 デモ機のお貸出しが可能です。 ☆モデル毎対応一覧☆ HOTPET(40～100G) ：40G/100G LR4,ER4,ZR4,CWDM4,SR4,PSM4 HOTPET Pro(40～400G) ：40G/100G/200G/400G DR4,FR4,LR4,ER4,ZR4,CWDM4,SR4,PSM4 HOTPET II(40～400G) ：40G/100G/200G/400G DR4,FR4,LR4,ER4,ZR4,CWDM4,SR4,PSM4,SR8,DR8,FR8,LR8,ER8 ＊詳細は弊社ホームページ資料欄の比較表をご確認下さい。
［型番：中心波長・FWHM・出力・ファイバ種］ PL-SLD-670-A-A81-SA：670nm・9nm・3mW・SM600 PL-SLD-670-A-A81-PA：670nm・9nm・3mW・PM630 PL-SLD-780-A-A81-SA：780nm・30-40nm・3mW・HI780 PL-SLD-780-A-A81-PA：780nm・30-40nm・3mW・PM850 PL-HP-SLD-780-B-A81-SA：780nm・30-40nm・30mW・HI780 PL-HP-SLD-780-B-A81-PA：780nm・30-40nm・30mW・PM850 PL-SLD-850-A-A81-SA：850nm・50-60nm・5mW・HI780 PL-SLD-850-A-A810PA：850nm・50-60nm・5mW・PM850 PL-HP-SLD-850-B-A81-SA：850nm・50-60nm・35mW・HI780 PL-HP-SLD-850-B-A81-PA：850nm・50-60nm・35mW・PM850 …etc
IoTデバイス開発・運用の課題を解決。各ポイント解説資料を進呈
