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<SPEC> 直径:Φ300±0.2mm 厚み:775±25um Type:P(Boron) 抵抗率:1-100Ω・cm 結晶方位:<100> Notch方位:<110> GBIR≦10um BOW≦±30um LPD:≧0.2um, ≦30/Wafer Metal Contamination:Al,Ca,Cr,Fe,K,Na,Ni,Zn,Cu :≦1E10atoms/cm2
同人産業は半導体材料の素材から加工まで一貫して提供できる専門企業です。サファイア、シリコン、炭化ケイ素(SiC)、GaN、LN、LTを始めとしたその他結晶材料を加工も含めて提供しております。 同人産業では「半導体材料」という特化した専門分野で、長年の経験や専門知識を蓄積しており、長期間に亘って検証されたメーカーの商品のみを厳選して、ユーザー様に提供致しております。迅速対応、高品質、低価格、短納期、安定供給、信頼性等は常に当社が実践を心掛けているキーワードです。 同人産業は素材調達から加工までグローバルに事業展開しております。 長年に亘る国際貿易の経験を通じて、独自の貿易専門知識やネットワーク及び信頼性を構築しております。高度な国際貿易能力は当社製品の品質と納期確保に欠かせぬバックボーンとなっており、国内外のお客様から高い評価を戴いております。今後益々ビジネス環境の変化が激しくなる日本を始めとして中国、韓国、ASEANに於いて、品質、価格、納期、サービスの各分野で最適なソリューションを提供すべく邁進致します。
<GaAs単結晶> 製法:VGF サイズ:Φ2”~Φ4” タイプ:N 結晶方位:(100)、他 Mobility:≧2000cm2/v.s(アンドープ型は、≧4000cm2/v.sなど) 厚み:295μm(ご指定可能です) 表面仕上げ:エピーレディー研磨 ※インゴットもご提供可能です。 ー・-・-・-・-・-・-・-・-・-・-・-・-・-・- <GaAsポリ> 製法:HB 純度:6N タイプ:N型 Mobility(cm2/v.s)≧4500 キャリア濃度(/cm-3):1E15~1E16 形状:D型 サイズ:60x45x400mmL(ご指定可能です) http://www.doujinsangyo.jp/products/GaAs.html
素材:単結晶シリコン(半導体用、ソーラー用) 製法:CZ、FZ サイズ:Φ2”、Φ2.5”、Φ3”、Φ4”、Φ5”、Φ6”、Φ8”、Φ12”、Φ16”、Φ18” ※ソーラー向け:□125x125mm、□156x156mm タイプ:P型(ボロンドープ)、N型(リン、アンチモン、ヒ素ドープ) 抵抗:0.01~100Ω(指定可能) ※FZ、高抵抗の場合:1000~10000Ω(指定可能) 結晶方位:<100>、<111> 数量:1本~(お気軽にご相談ください) 納期:2週間~(お気軽にご相談ください) 価格:業界最安値No.1を目指しております。
■ 素材:単結晶サファイア ■ 製法:キロプロス(Kyropoulos) ■ 原料:アルミナ99.996% ■ 用途:基板用/LED基板、SOS基板、光学窓材、各種部品類 ■ 直径:Φ1″、Φ1.5″、Φ2″、Φ2.5”、Φ3″、Φ4″、Φ4.5”、Φ6″、Φ8″、Φ10”、Φ12”、特別指定可能 ※四角インゴットもご提供可能です。 ■ 長さ:40~200mm、特別指定可能 ■ 欠陥ゾーン:15%以下、特別指定可能 ■ 結晶方位:C面、A面、R面、M面 ■ 方位公差:±0.1° ■ 数量:1本~数千本(お気軽にご相談ください。) ■ 価格:業界最安値を目指しております。
サイズ:Φ2”、Φ3”、Φ4”、Φ6” GaNエピ膜厚み:3μm、4μm、指定可能 結晶構造:GaN膜・オン・サファイア基板 転位密度≦ 5x106/ cm2 XRD:(002)≦ 250arsec、(102)≦300arsec 導電タイプ:N-type、P-type、Semi-Insulating 抵抗率:<0.05 Ω・cm、>1E6 Ω・cm、他 その他:ご相談の上
■ 素材:単結晶サファイア ■ 製法:キロプロス(Kyropoulos) ■ 用途:GaNエピー基板、PSS基板、SOS基板、光学窓、時計窓、スマートフォンカバー、カメラ保護窓、スマートウォッチ窓、他 ■ 直径:Φ1”、Φ2"、Φ2.5”、Φ3″、Φ4″、Φ4.5"、Φ6″、Φ8”、特殊サイズ指定可能 ※スマートフォンカバーガラス等の四角形状もご提供可能です。 ■ 厚み:150µm~3mm、特別指定可能 ■ 研磨面粗さ:Ra≦0.2nm ■ 結晶方位:C面、A面、R面、M面 ■ 方位公差:±0.1°、オフ角指定可能 ■ 数量:1枚~数万枚(お気軽にご相談ください。) ■ 価格:業界最安値を目指しております。
素材:単結晶シリコン(半導体用、ソーラー用) 製法:CZ、FZ サイズ:Φ2”、Φ2.5”、Φ3”、Φ4”、Φ5”、Φ6”、Φ8”、Φ12”、Φ14”、Φ16”、Φ18” ※ソーラー向け:□125x125mm、□156x156mm タイプ:P型(ボロンドープ)、N型(リン、アンチモン、ヒ素ドープ) 抵抗:0.01~100Ω(指定可能) ※FZ、高抵抗の場合:1000~10000Ω(指定可能) 結晶方位:<100>、<111>、<110>、<511> 数量:1本~(お気軽にご相談ください) 納期:2週間~(お気軽にご相談ください) 価格:業界最安値No.1を目指しております。
■ 品名:単結晶SiC基板(シリコンカーバイド、炭化ケイ素) ■ ポリタイプ:4H ■ タイプ:N-type(窒素ドープ)、半絶縁(Semi-insulating) ■ サイズ:Φ2"、Φ3"、Φ4"、Φ6"、Φ8” ■ 厚さ:330μm、350μm、500μm(特殊厚み指定可能) ※ 5~30mm厚のプレートも有ります。 ■ MPD:≦0.5/cm2、≦15/cm2 ■ 面仕上げ:CMP研磨(Ra≦0.3nm)/ Polished ■ 受注数量:1枚から~
各種光学ガラス材料と精密加工をご提供いたします。
■ 商品名:FTOガラス / TCOガラス / 導電性ガラス ■ サイズ:50x50mm、100x100mm、300x300mm、300x350mm、特殊サイズ指定可 ■ 厚さ:1.8mm ■ 導電膜:FTO膜 ■ 導電抵抗率:~10ohm/square ■ 透過率:80%以上
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