MoCVD法で製造したGaNテンプレート（GaN薄膜、GaN厚膜）をご提供いたします。Subはサファイア基板を使用しております。
弊社のGaNテンプレート（GaN薄膜、GaN厚膜）は沢山の販売実績を重ねております。転位密度やXRD値など品質面や価格パフォーマンスでも高い競争力を確保しております。1枚からの研究開発用から数千枚の量産用までご対応可能でございます。
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基本情報
サイズ：Φ2”、Φ3”、Φ4”、Φ6” GaNエピ膜厚み：3μm、4μm、指定可能 結晶構造：GaN膜・オン・サファイア基板 転位密度≦ 5x106/ cm2 XRD：（002）≦ 250arsec、（102）≦300arsec 導電タイプ：N-type、P-type、Semi-Insulating 抵抗率：<0.05 Ω・cm、>1E6 Ω・cm、他 その他：ご相談の上
価格帯
納期
~ 1ヶ月
※2～3週間など短納期対応も可能です。
用途／実績例
LED分野 LD分野 パワーデバイス分野 他
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企業情報
● 同人産業は、各種半導体材料及び精密加工をご提供しております。 シリコン、サファイア、単結晶SiC、GaN、GaAs、CVDダイヤモンド、水晶、石英、アルミナ、窒化ケイ素、多結晶SiC、AlN、ネオジム磁石、ワイヤソー装置などを取り扱っており、結晶成長からウェハー加工まで一貫生産できる体制を整備しております。Semi標準規格は勿論のこと、カスタム対応も可能であり、サイズや仕上げ、数量のご要望に対し柔軟に対応できることが強みでございます。 ● 同人産業は、素材調達から加工までグローバルに事業展開しております。 海外のグループ会社や提携会社、人脈からくる強力な支援は弊社調達能力の重要なバックボーンとなっております。20年以上に亘る日中韓台貿易の経験を生かして、強力な貿易ノウハウとネットワークを構築しております。 ●同人産業は、新商品、新しいルートの新規開拓にも力を入れております。 幅広い視野と柔軟な発想を持ち、次世代半導体材料の無限の可能性を追求し続けます。 新商品開発、新規分野への挑戦、グローバルな発展、我々は、変化をおそれず、進化を求め常に新しいことにチャレンジし成長し続けます。