『Ag-Diamond』は、銀とダイヤモンドの複合材料です。 「Cu-Diamond」よりも高い熱伝導率(600W/(m･K))を有しており、 50×50mm2の大面積の用途へも適用可能です。 表面にNiまたはNi/Auめっきが可能なほか、高温(800℃)の 銀ロウ付けに対応いたします。 【特長】 ■安定した600W/(m・K)以上の高熱伝導率 ■表面にNiまたはNi/Auめっきが可能 ■高温(800℃)の銀ロウ付けに対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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当社では、『CPCヒートシンク(Cu、Cu-Mo、Cu 複合材)』を 取り扱っております。 半導体デバイスの性能を生かす高い放熱性を有し、 圧延や打ち抜き加工による大量安定供給が可能です。 当製品は、携帯電話基地局の無線通信に応用いただけます。 【特長】 ■半導体デバイスの性能を生かす高い放熱性 ■圧延や打ち抜き加工による大量安定供給が可能 ■様々な熱伝導率・熱膨張率の材料をラインアップ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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当社では、『ウエハーボンディング用支持基板』を取り扱っております。 高出力・高信頼性を要求されるパワー関係に好適な「純Mo」をはじめ、 圧延・プレス加工が容易な「Cu-Mo」やWの低熱膨張性とCuの高熱伝導性を 兼ね備えた「Cu-W」をラインアップ。 半導体材料の熱膨張係数に近く、高熱伝導率を誇ります。 【特長】 ■ウエハーボンディング用 ■高熱伝導率 ■半導体材料の熱膨張係数に近い ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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当社では、放熱基板材料『Cu-Diamond/Cu-W サブマウント』を 取り扱っております。 シャープエッジ加工、AuSn蒸着が可能。 様々な熱膨張率と熱伝導率の材料をラインアップしています。 「W-10T」は、独自の溶浸技術により、従来材と同等の低熱膨張を 維持しつつ高熱伝導のCu-Wサブマウントを実現しました。 【特長】 ■高熱伝導 ■Cu-Diamondサブマウント>500W/(m･K) ■高熱伝導のCu-Wサブマウントを実現(W-10T) ■様々な熱膨張率と熱伝導率の材料をラインアップ ■シャープエッジ加工、AuSn蒸着が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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基板研削用ダイヤモンドホイール 「ナノメイトプレミアム」での2軸(粗､仕上げ)研削はラッピング加工に対して数百倍の生産性を向上します。 #2000(平均粒径9μm)粗研削による連続加工では、送り速度120um/minでの連続加工を達成。 #8000(平均粒径0.5μm)仕上げ研削による連続加工では、低負荷加工と低砥石摩耗の両立を実現します。 【特徴】 ○優れた砥粒保持力（濡れ性の良いボンド） ○優れた砥粒分散性 ○ドレッシング不要 ○ラップ加工面並みの加工面品位 ○極薄ウェーハによるデバイス特性の向上 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。

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