【『MB85RDP16LX』仕様】 容量（メモリ構成）：16Kビット（2K×8ビット） インターフェース：SPI / Dual SPI 動作周波数：最大15MHz(SPI) / 最大7.5MHz(Dual SPI) 動作電源電圧：1.65V～1.95V乗 動作温度範囲：-40℃～＋105℃ 書込み/読出し保証回数：10兆回（10の13乗回） パッケージ：8ピンSON 消費電力：動作電流（最大）0.7mA、スタンバイ電流（最大）11μA

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【採用実例】 ■車載 ■産業機械 ■民生機器 ■ICカード ■医療機器（X線装置、CTスキャンなど） ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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当社のシステムメモリ ■FeRAM​ （Ferroelectric RAM： 強誘電体メモリ） 　https://www.fujitsu.com/jp/group/fsm/products/FeRAM​/ ■ReRAM（Resistive Random Access Memory： 抵抗変化型メモリ） 　https://www.fujitsu.com/jp/group/fsm/products/reram/ ■NRAM 　http://www.fujitsu.com/jp/group/fsl/resources/news/press-releases/2016/0831.html

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バッテリーレスソリューションとは 当社のバッテリーレスソリューションとは、当社不揮発性メモリFeRAM​製品を 搭載したRFIDの給電の仕組みを利用し、タグ側に付加したデバイスを バッテリーなしで動作させる技術のことをいいます。 ・詳細はこちら 　https://www.fujitsu.com/jp/group/fsm/solutions/batteryless/

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■用途例 超小型パッケージのWL-CSPでの提供も可能のため、補聴器、 スマートウォッチ、スマートバンドなど小型のウェアラブルデバイスに 最適なメモリです。

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本製品は、SRAM互換のパラレルインターフェースをもち、1.8V～3.6Vのワイドレンジで動作します。パッケージは、お客様からの小型化の要求に応えて8mm x 6mmの小型サイズである48ピンFBGAパッケージを採用しています。お客様が44ピンTSOPパッケージのSRAMをご使用の場合は、本FeRAM​に置き換えることで、バッテリーの実装面積を含めると約90％の実装面積の削減になります。

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本製品は、周辺の電子部品が5V対応の場合でも、電圧を降圧する回路を 追加せずに接続することができるため、お客様での設計の負担を軽減する ことができます。 本FeRAM​の使用例として、動作中にモーター機構の発熱によって作動部分の 高温化が予想される自動車や産業機械では、動作温度をモニタリングする 温度センサーが使用されることがあります。温度センサーの中には 5V動作品が多く存在しており、それらのセンサーにつなげるメモリには 本FeRAM​製品が有効です。

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「MB85RS64TU」の主な仕様は、動作電圧範囲は1.8V～3.6Vのワイドレンジ、最大10MHzで動作可能なSPIインターフェース、そして動作温度範囲は-55℃～+85℃です。パッケージは、EEPROMと置き換え可能な8ピンSOPに加えて、リード無しの小型パッケージ8ピンSON(Small Outline Non-lead package)があります。SON品はSOP品と比較して、面積比で約30%、実装体積比で約13%と小さく、実装基板の小型化にも貢献できます。

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■バッテリーレスソリューションの特長 ・高速データ書き込みを実現 　FeRAM​の高速書き込みによる、処理速度の向上 ・安定した通信距離 　低消費電力によりWriteの通信距離は、Read処理と同等 　（EEPROMをメモリとするRFIDではWriteの通信距離はReadの1/2程度） ・大容量メモリ搭載 　書き込み処理の高速化により､大容量64Kバイトメモリ搭載を実現 ・多頻度書き換えが可能 　1兆回を超える読出し/書込みを保証。タグの長期利用､リユースを促進

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本製品は、2Mビットのメモリ容量をもち、1.8V～3.6Vのワイドレンジの 電源電圧で動作するSPIインターフェースのメモリです。 -40℃～+125℃の温度範囲において、EEPROMの約1、000万倍となる 10兆回の書換え回数を保証しています。 動作周波数は、従来品の1.5倍となる最大50MHzに高速化されています。 くわえて、本製品の信頼性試験は車載グレードと呼ばれる高品質規格である AEC-Q100グレード1に準拠しています。 パッケージは、EEPROMと置き換え可能な8ピンSOPに加えて、リード無しの8ピンDFN(Dual Flatpack No-leaded package)も揃えています。

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当社は、125℃動作のFeRAM​ファミリーのラインナップに、1.8Vの低電圧で動作する2MビットFeRAM​「MB85RS2MLY」を追加しました。本製品は、1.7V～1.95Vの低電源電圧で動作するSPIインターフェースのメモリです。現在、評価サンプルと量産品の提供をしています。 この新製品は、先進運転支援システム（ADAS）などの先端車載市場において低電圧動作が要求される電子制御ユニットに好適です。

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【FeRAM​について】 電源がオフになってもデータが消えない不揮発性メモリでありながら、 高書き換え耐性・高速書き込みといった揮発性メモリの長所も備えています。 強誘電体にデータを記憶するという構造により、最大10兆回のデータ書き換え回数を実現。 また、書き込み時間が短いため消費電力が少なく、データ保持用の電流は不要です。 EEPROM、SRAMからの置き換えにより、様々な課題解決が期待できます。 ※詳しくは資料をご覧ください。お問い合わせもお気軽にどうぞ。

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1MビットFeRAM​「MB85RS1MT」製品の8ピンのウェハーレベル・チップサイズパッケージ（以下、WL-CSP）は、従来の8ピン SOPパッケージ（以下、SOP）と比べ、実装面積が約23%、薄さが約5分の1とSPIインタフェースの1MビットFeRAM​としては業界最小クラスとなる小型サイズです。 WL-CSPのFeRAM​は、ウェアラブルデバイス向けに最適なメモリです。アプリケーション本体のボディサイズの小型・薄型化に寄与するとともに、書込み時の消費電力量が極めて少ないFeRAM​は、バッテリー寿命の延長に貢献します。

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本製品は、汎用SRAMと互換性のある44ピンTSOPのパッケージを採用したことで、産業機械、業務機器、医用機器などデータ記録用に高速アクセスが必要なSRAMを使用しているアプリケーションにおいて、基板設計を大幅に変更することなく、SRAMを本製品に置き換えることが可能です。さらに、データ保持用のバッテリが不要になるため、最終製品の基板実装面積の削減、省電力化、トータルコストの削減に貢献できます。

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不揮発性RAMのインターフェースに対する高速化の要求の高まりに応えて、当社のFeRAM​製品群では最速のデータ転送速度をもつ4MビットFeRAM​「MB85RQ4ML」

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本製品の動作電圧は1.8Vから3.6Vまでのワイドレンジのため、お客様製品に内蔵されているメモリ周辺の電子部品が1.8V、または3.6V動作品のどちらでも対応することができます。動作電流は、1MHz動作時が最大250μＡ、スタンバイ電流は最大50μＡと非常に少なく、低消費電力化を実現しています。 パッケージは、既存のEEPROMと置き換え可能な8ピンSOPのため、お客様製品の設計を大幅に変更することなく本新製品に切り替えることができます。

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I2Cインタフェースでは4Kビット～1Mビットまで、SPIインタフェースでは16Kビット～2MビットまでのFeRAM​製品をラインナップに揃えました。 これらの製品は、業界標準の8ピンSOPパッケージで提供しているので、FA制御機器、計測メータ、産業機械などEEPROMやシリアルフラッシュメモリなどの不揮発性メモリが使用されている用途においては、設計基板の大幅な変更をせずに、FeRAM​製品への置き換えが可能になります。

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※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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【その他商談事例（抜粋）】 ＜産業向け（工場系）＞ ■メモリへの要求 ・リアルタイムでの位置情報、回転情報の記録／停電時、瞬断時での書込み中のデータ保護 ■必要とされる特長 ・高書換え耐性／不揮発性／高速書込み ＜インフラ向け＞ ■メモリへの要求 ・使用量、利用状況、位置データの記録／アクシデント発生時でのデータの保護 ■必要とされる特長 ・高書換え耐性／不揮発性／高速書込み ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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【その他の特長】 ■1.8V～3.6Vのワイドレンジ電源電圧で動作 ■100兆回のデータ書換え回数を保証 ■アクセススピードは、高速のページモードを使用することにより最大25nsで動作 ■連続したデータ転送をする場合にはSRAMと同等の高速アクセスが可能 ■高速化を実現しながら動作時の低消費電力化も実現 ■動作電流は最大18mA（従来品よりも10％削減） ■スタンバイ電流は最大150µA（同50％削減） ■48ピンFBGAに加えて、従来の4Mビット品からの置き換えが容易な44ピンTSOPの2種類 ■SRAMをご使用中のお客様が新製品の8MビットFeRAM​を採用することで、バッテリーを 　削減できるメリットがある ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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【その他の特長】 ■インターフェース 　・SPI(Serial Peripheral Interface)/Dual SPI/Quad SPI 　・SPI モード0(0,0)とモード3(1,1)に対応 ■スタンバイ電流：180μA ■動作周辺温度：-40℃～+105℃ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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システムのエッジ端末側から電力配線やバッテリーを取り除くという当社の「バッテリーレスソリューション」は、 端末への電力を無線給電（UHF帯電波を使用）することで実現が可能です。ただし、そのためには端末側の電子部品は 微弱な電力で動作する必要があります。 その微弱な電力で動作できるLSIとして、当社の無線LSI「MB97R8110」があります。 本製品は、メモリに低消費電力のFeRAMを搭載し、無線で外部とのデータ入出力をコントロールできます。 さらに外部デバイスへの給電もできます。 このMB97R8110を端末に採用することで、電池（バッテリー）が要らない先端的なシステムの構築ができるのです。 この「バッテリーレスソリューション」は、既存の製品を販売するものではありません。 それぞれのお客様の使用環境や使用条件が異なりますのでご要望を伺ったうえで、 パートナー会社と適切なソリューションをご提案いたします。 「いきなり相談するのは、ハードルが高いなぁ…」というお客様も多いと思います。 その場合は、資料請求のお問い合わせをいただけますようお願いいたします。

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【最適なアプリケーション】 ■車載向け：　ドライブレコーダ(VTDR)、車両緊急通報システム(eCall)、タイヤ空気圧監視システム(TPMS)、 　　　　　　　バッテリー監視システム(BMS) ■産業機械向け：　産業ロボット、工作機械(CNC)、モーター、ロータリーエンコーダ 【お客様の課題と解決案】 自動車や産業機械のメモリにEEPROMや低消費電力SRAMをご使用中のお客様の課題解決例 ■現状：EEPROMをご使用の場合 　課題：データをもっと頻繁に記録したいが、最大100万回の書換え制限があるため難しい 　解決案：10兆回の書換えを保証するFeRAMを使用 ■現状：EEPROMをご使用の場合 　課題：事故や停電のときに、書込み中のデータを保護する対策が必要 　解決案：高速書込みにより、停電が起きてもデータ書換えが完了できるFeRAMを使用 ■現状：SRAMをご使用の場合 　課題：メンテナンスが面倒なSRAM用のバッテリーを無くしたい 　解決案：不揮発性のFeRAMを使用

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【『MB85RC512LY』仕様】 容量（メモリ構成）：512Kビット（64K×8ビット） インターフェース：I2C 動作周波数：最大3.4MHz 動作電源電圧：1.7V～1.95V 動作温度範囲：-40℃～＋125℃ 書込み/読出し保証回数：10兆回（10の13乗回） パッケージ：8ピンDFN、8ピンSOP 消費電力：動作電流（最大）0.4mA、スタンバイ電流（最大）150μA ※詳しくは資料をご覧ください。お問い合わせもお気軽にどうぞ。

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