技術情報誌The TRC News「最先端SIMS分析装置「NanoSIMS 50L」を用いた微小領域の高感度イメージング分析」
【要旨】
最先端の二次イオン質量分析(SIMS)装置であるNanoSIMS 50Lは、プローブ径約50 nmのイオンビームと、透過率の高い質量分析系の併用により、従来のSIMSに比べて約2桁高い空間分解能でイメージング測定を行うことが可能である。本稿では、NanoSIMS 50Lの装置の特徴と分析事例を紹介する。
【目次】(全4ページ)
1.はじめに
2.分析装置の概要
3.毛髪断面の分析事例
4.SiC半導体デバイスの分析事例
5.まとめ
【図表】
図1 NanoSIMS 50Lの装置外観写真
表1 NanoSIMS 50Lの特徴
図2 毛髪の断面構造
図3 NanoSIMS 50Lによる毛髪断面のイオウ(S)のイメージング
図4 SiC中のアルミニウム(Al)、シリコン(Si)、リン(P)の三次元イメージング
図5 SiCデバイスのリン(P)、酸素(O)の二次元イメージングと抽出領域、二次元イメージングから抽出したPのデプスプロファイル

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