SEMICON Japan 2024へ出展いたします

加熱効率向上で省エネルギー化！高速応答性でサーマルバジェット低減を実現

『LEDアニール装置』は、ハロゲンヒータ、フラッシュランプに次ぐ 第三の光加熱源です。 加熱効率向上で省エネルギー化、高速応答性でサーマルバジェット低減を実現。 放射温度計によるリアルタイム温度計測が可能です。 また、基板表面の加熱ができ、金属材料に優れた加熱効率を発揮します。 【特長】 ■加熱効率向上 ■高速応答性 ■高精度温度計測 ■高均一性 ■基板表面の加熱が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• 加熱装置

ワークサイズに応じて、フラッシュランプを複数本配置！大面積で一括照射、高照射が可能！

『SUS980シリーズ』は、結晶化、剥離、酸化膜形成などの用途にお使いいただける フラッシュランプアニール装置です。 ランプに流れる電流を半導体スイッチでON／OFF制御することで、 ランプ電流パルス幅の調整が出来、加熱深度をコントロール(0.1～60msec)。 ワークサイズに応じて、フラッシュランプを複数本配置し大面積で一括照射、 高照射が可能です。 【特長】 ■深さコントロール(バルス制御) ■ランプに流れる電流を半導体スイッチでON／OFF制御 ■ランプ電流パルス幅の調整が出来、加熱深度をコントロール(0.1～60msec) ■複数パルスの照射も可能 ■高出力・大面積一括処理(タクト短縮、高均一度) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• 加熱装置

フライヤなどの食品加熱用の熱源にも好適！気密性を高めた二重管ヒーターランプ

『直管形二重管ハロゲンヒータランプQIRT』は、二重管構造で密閉性を 高めたことにより、水や薬液、油などの液体につけて、直接加熱することが できるランプです。 また、二重管構造は、ランプ破損時の飛散を防ぐなど、安全性を高められることから、 フライヤなどの食品加熱用の熱源にも好適。 オーダーメイドシステムでは、任意の寸法、波長、設置条件、特性に合わせて 設計できます。 【ラインアップ】 ■QIRT100V500W ■QIRT100V700W ■QIRT200V2000W ■QIRT200V2000WL ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• 加熱装置

加熱対象物の形状、照射範囲などから選択可能！ヒータユニットのご紹介

『ラインヒータユニット』は、ヒータランプとミラーを組み合わせ、 ライン状の加熱や大面積への加熱に威力を発揮する製品です。 寸法、特性を絞り込んで規格化したことで、コストパフォーマンスが高く、 試作検証や実験などに導入しやすくなっています。 また、必要な特性に合わせたオーダーメイドにも対応。 ご用命の際はお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■ヒータランプとミラーを組み合わせ、ライン状の加熱や大面積への加熱に威力を発揮 ■寸法、特性を絞り込んで規格化 ■コストパフォーマンスが高い ■試作検証や実験などに導入しやすい ■必要な特性に合わせたオーダーメイドにも対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• 加熱装置

ユーザが求める温度、出力、寸法など！特性に合わせたランプ、ミラー形状、冷却方式を選定

『高出力ラインヒータユニット（オーダーメイド）』は、500℃を超える高温域での 光コントロールを可能にする高出力な製品です。 ユーザが求める温度、出力、寸法など、特性に合わせたランプ、ミラー形状、 冷却方式を選定し、完全オーダメイドで対応。 ミラー形状は、フォーカスタイプをはじめ、パラボラタイプ P、 パラボラタイプ N（コンパクト型・金メッキミラー仕様）をご用意しております。 【特長】 ■500℃を超える高温域での光コントロールを可能にする高出力なラインヒータユニット ■特性に合わせたランプ、ミラー形状、冷却方式を選定し、完全オーダメイドで対応 ■フォーカスタイプをはじめ、パラボラタイプ P、パラボラタイプ Nをご用意 ■パラボラタイプは広い面積を均一に照射可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• 加熱装置

高効率なエネルギー源！赤外線ハロゲンヒータなどの光加熱製品をご紹介

当カタログでは、赤外線ハロゲンヒータを中心に光加熱製品を 掲載しております。 広い範囲を平面加熱することができる直管形ハロゲンヒータランプ「QIR」、 シリコンウェハの高温加熱装置等に適したサークル形ハロゲンヒータランプ 「QIR Circle」などをラインアップ。 その他にも「フラッシュランプアニール装置　SUS980 シリーズ」と 「LED アニール装置」についてもご紹介しています。 【掲載内容(一部)】 ■光加熱とは ■赤外線ハロゲンヒータ ■赤外線ハロゲンヒータの用途 ■赤外線ハロゲンヒータの種類と特殊加工 ■直管形ハロゲンヒータランプ　QIR ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• その他エネルギー機器

大面積で一括照射・高照度での照射が可能！複数パルスの照射もできる加熱装置

『フラッシュランプアニール装置』は、1秒以内で瞬時に対象物を アニールする光応用加熱装置です。 UVから可視・赤外域までの連続波長を有したクセノンフラッシュランプの 光により、0.1～60msecの範囲を任意に可変可能。 焼成、剥離、表面改質など幅広いスペクトルを利用した様々な用途に お使いいただけます。 【特長】 ■スペクトル ・紫外から可視・赤外領域まで幅広い波長特性 ■高出力・大面積一括処理(タクト短縮、高均一度) ・ワークサイズに応じて、フラッシュランプを複数本配置し、 　大面積で一括照射、高照度(Max70J/cm2)での照射が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• 加熱装置

真空対応などの加工が可能！円形状または、円形範囲への加熱が必要な場合に活用できます！

『サークル形ハロゲンヒータランプQIR Circle』は、シリコンウェハの 高温加熱装置などに好適なサークル状のランプです。 円形状または、円形範囲への加熱が必要な場合に活用できます。希望のサイズ、 特性に応じた設計ができ、真空対応などの加工も可能。 オーダーメイドシステムでは、最大サークル径500mmまで任意の寸法、波長、 設置条件、特性に合わせて設計できます。 【特長】 ■シリコンウェハの高温加熱装置などに好適なサークル状のランプ ■円形状または、円形範囲への加熱が必要な場合に活用できる ■希望のサイズ、特性に応じた設計でき、真空対応などの加工も可能 ■最大サークル径500mmまで任意の寸法、波長、設置条件、特性に合わせて設計可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• 加熱装置

【事例紹介】液体の保温・加熱

伝統と豊富な実績を持つウシオ社の 光加熱用光源による、液体の保温・過熱の事例紹介です 【特徴】 ○半導体製造ラインにおけるシリコンウェハの洗浄 　液晶製造ラインにおけるガラス基板の洗浄などに使用される 　純水や薬液を保温・加湿することが可能 ○高品質の石英ガラスで2重に覆われた 　ハロゲンランプで構成されているため、不純物汚染が少なく 　加熱効率95％以上と高効率に加熱することが可能 ●その他機能や詳細については、お問合わせ下さい。

• その他

【事例紹介】成膜装置のプレヒート

統と豊富な実績を持つウシオ社の 光加熱用光源による、成膜装置のプレヒートの事例紹介です。 真空環境下においても非接触・高速昇温性を持った ハロゲンランプヒータを使用することにより 半導体・FPD・太陽電池などの成膜工程において タクトタイム短縮に貢献することができる ●その他機能や詳細については、お問合わせ下さい。

• その他

【事例紹介】RTP（ラピッドサーマルプロセス）

伝統と豊富な実績を持つウシオ社の 光加熱用光源によるRTPの事例紹介です。 かつての半導体熱処理は、ファーネス（断熱）が一般的だったが ナノオーダーのデバイスの場合、薄い膜形成や浅い接合が必要となり アイソサーマルの代名詞ともなっているRTPがキーテクノロジーとなっています。 また、次世代半導体においては、熱流束技術として フラッシュランプアニールが主流となっています。 ●その他機能や詳細については、お問合わせ下さい。

• その他

ウシオの光で出来ること　熱する『接合』

伝統と豊富な実績を持つウシオ社の 光加熱用光源の実用例（接合）のご紹介です 【特徴】 ○使用光源：ハロゲンランプヒータ ○各種ヒートシンクの配管溶接にハロゲンヒータが採用 ○ハロゲンヒータの光は輻射熱として 　照射されるため、温風タイプとは異なり 　周囲環境に左右されにくく 　短時間で所定温度まで昇温が可能 ○ガスバーナなどの加熱とは異なりCO2の環境負荷に適している ●その他機能や詳細については、お問合わせ下さい。

• その他

ウシオの光で出来ること『不純物拡散』

統と豊富な実績を持つウシオ社の 光加熱用光源の実用例（不純物拡散）のご紹介です 【特徴】 ○使用光源：クセノンフラッシュランプ・ハロゲンヒータランプ ○半導体工程において、ソースドレインにインプラントを行い 　その後、アニール工程によってドーピングした不純物を活性化 ○クセノンフラッシュランプの特性を活かし 　ミリ秒単位という短時間で今までの活性層の深さに比較して 　極めて浅い部分（nmオーダー）を高温アニールし 　不純物の拡散を防ぐことが可能 ●その他機能や詳細については、お問合わせ下さい。

• その他

ウシオの光で出来ること『加熱/成膜』

伝統と豊富な実績を持つウシオ社の 光加熱用光源の実用例（加熱/成膜）のご紹介です 【特徴】 ○使用光源：ハロゲンランプヒータ ○半導体・FPD・太陽電池などの製造プロセスにおける 　金属膜、絶縁膜の形成に用いられる 　CVDやスパッタリング装置の熱源として最適 ○さらに成膜前の、水分除去や予備加熱にハロゲンランプヒータを 　用いることで、スループット向上と高品質な膜形成を実現 ●その他機能や詳細については、お問合わせ下さい。

• その他

3次元反射光シミュレーションを経て設計！優れた加熱均一性と昇温性能

『サークルヒータユニット』は、主にシリコンウェハの急速加熱や ガラスレンズの成形前加熱などに好適な製品です。 3次元反射光シミュレーションを経て設計された反射鏡とランプを 適切に配置。優れた加熱均一性と昇温性能を持っています。 ご用命の際はお気軽にお問い合わせください。 【UL-HU-CH36KW/STD 仕様（抜粋）】 ■定格電圧：200V ■消費電力：36kW ■ユニット外径：470mm ■ユニット奥行：235.5mm ■重量：30kg ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• 加熱装置

2026年3月24日（火）から27日（金）まで、福岡にて開催される ISLFDに、RheaVita社はライフィクスアナリティカル社と共に学会スポンサーとして出展いたします。 ISLFDは、凍結乾燥および関連技術に携わる研究者・技術者が世界中から集う国際学会で、研究成果や技術動向について情報交換・議論が行われる場です。RheaVitaは、本学会へのスポンサー出展を通じて、スピン凍結乾燥技術の最新情報をご紹介いたします。 ブースでは、スピン凍結乾燥機に関する最新情報のご紹介に加え、研究開発・フィジビリティテスト、製造スケールへの展開、既存プロセスとの比較など、幅広いテーマについてご相談を承ります。 ”スピン凍結乾燥とは？”、”従来の凍結乾燥プロセスとの違い”、”スケールアップや再現性の悩み”、”新しい製剤・製造アプローチを検討”といった方の為、有益な情報交換の場にしたいと考えております。 また、会期中は個別のミーティングも可能です。事前にご連絡いただければ、ご都合の良いお時間でミーティングの機会を確保いたします。 ぜひRheaVitaのブースへお立ち寄りください。

フラットタイプの5ポート産業用スイッチングHUBです。FANレスのため静粛性が求められる場所での使用が可能です。使用周囲温度-40 - +70℃を実現、その他、電源2重化、および電源逆挿し防止機能を備えています。 ●コンパクト、フラットタイプ設計 コンパクトな形状(50(W)x110(D)x24.5(H)mm）省スペースな盤内使用時にも容易に配線可能です。 ●1000BASE-T対応ポートを5ポート搭載 最大IEEE 802.3ab(1000BASE-T)規格に準拠したポートを5ポート搭載しています。 ●ワイドレンジ電源入力、電源2重化に対応 8～54VDCの直流電源による電源供給に対応しています。2系統の電源による電源2重化に対応し、片方に電源トラブルがあっても動作し続けます。電源を逆配線しても正常に動作する安全設計であり、電源コネクタにFG端子を装備しています。 ●広範囲な温度(-40～70℃)に対応 耐環境性・耐久性に優れ、厳しい産業環境におきましても安心してご使用いただけます。 ●DINレール設置、壁面設置が可能

フラットタイプの8ポート産業用スイッチングHUBです。FANレスのため静粛性が求められる場所での使用が可能です。使用周囲温度-40 - +70℃を実現、その他、電源2重化、および電源逆挿し防止機能を備えています。 ●コンパクト、フラットタイプ設計 コンパクトな形状(68(W)x110(D)x24.5(H)mm）省スペースな盤内使用時にも容易に配線可能です。 ●1000BASE-T対応ポートを8ポート搭載 最大IEEE 802.3ab(1000BASE-T)規格に準拠したポートを8ポート搭載しています。 ●ワイドレンジ電源入力、電源2重化に対応 8～54VDCの直流電源による電源供給に対応しています。2系統の電源による電源2重化に対応し、片方に電源トラブルがあっても動作し続けます。電源を逆配線しても正常に動作する安全設計であり、電源コネクタにFG端子を装備しています。 ●広範囲な温度(-40～70℃)に対応 耐環境性・耐久性に優れ、厳しい産業環境におきましても安心してご使用いただけます。 ●DINレール設置、壁面設置が可能

リヤド, 2025年12月28日 - (JCN Newswire) - リヤド・シーズン2025の主要イベントの一つである「The Ring V：ナイト・オブ・ザ・サムライ」が27日、ブールバード・シティ内のモハメド・アブドゥ・アリーナで開催された。 大会のメインイベントでは、日本の王者・井上尚弥がメキシコの挑戦者アラン・ピカソを相手に、スーパーバンタム級世界タイトルを判定3－0で防衛し、世界最高峰の一戦を制した。 大会はサウジアラビア国歌の演奏で幕を開け、ハイレベルな競技が繰り広げられる一夜の始まりを告げた。メインイベントは慎重な立ち上がりとなり、両者が第1ラウンドで距離とタイミングを探り合った。 第2ラウンドには井上が強烈な連打で主導権を握り、第3ラウンドでも左のクリーンヒットを重ねて試合を優位に進めた。第4ラウンドは互いに警戒を強め、拮抗した攻防が続いた。 全文はこちらを参照。https://acnnewswire.com/press-release/japanese/104385/

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