分析講座「半導体材料の電気特性評価 -水銀プローブを用いた絶縁膜の評価、DLTSを用いた半導体および絶縁膜/半導体界面の欠陥評価-」

高性能な半導体デバイスを作製するためには、デバイス形成に用いるそれぞれの材料の電気特性および物性を理解し、制御する必要がある。半導体デバイスの微細化と複雑化が極限まで進んでも、材料固有の特性を最大限活用することに変わりがないからである。本講座は、2部構成とし、前半は半導体デバイスに用いる絶縁膜や半導体の基礎的な電気特性である容量-電圧(C-V)特性や電流-電圧(I-V)特性を評価する上で有用な水銀プローブについて紹介し、各種物理分析と組み合わせて半導体材料の電気特性に影響を及ぼす膜質との関係を示す。後半では半導体デバイスの特性に影響を及ぼす欠陥を電気的に検出する手法であるDeep Level Transient Spectroscopy (DLTS)について、半導体や絶縁膜/半導体界面の欠陥を評価した事例を踏まえてその有用性を紹介する。

開催日時 | 2025年12月03日(水) 13:00 ~ 16:00 |
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参加費 | 有料 44,000円 |
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