お客様のご要求される表面粗さを確保し常温接合を可能と致します
当社では『接合前CMP受託加工』を承っております。 接合前CMPの加工実績の一例として、半導体及び化合物半導体で使われる材料 Si、Cu、W、Ta、TaN、SiO2、TEOS、GaAs、SiC、GaN、InP 同種接合及びこれら相互の異種材料接合が可能です。 CMP受託加工でお客様のウェーハを処理する以前に、多数の自社実験から 裏付けされた確かな技術でお客様のニーズにお応え致します。 【加工実績一例】 ■単結晶酸化物 ・LiNbO3、LiTaO3、Al2O3(サファイア)など ■多結晶材料 ・Poly-Si,SiC,Al2O3/YAGなど ■金属 ・Au、Pt、Ag、Cu、Ti、TiN、Ni、W、Al、Sn、Pb、Znなど ■セラミクッス ・アルミナ、フェライト、ジルコニア ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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基本情報
【プロセス一例】 ＜絶縁層CMP～電極の露出加工選択比の必要性＞ 1.ストップ層で加工を止める（加工選択比を確保したスラリー組成の開発が必須） 2.様々な膜構造（様々な加工対象材料とストップ層）に対してのケアが必要 3.絶縁層のディッシング量 4.ストップ層である電極の腐食 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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企業情報
MEMSデバイス及び、TSV等の様々な構造が検討される中、次世代デバイスのCMPプロセスに対応すべく適切なCMPスラリーを自社開発し、お客様のニーズに適応したCMP受託加工を行っている。数枚の試作から数万枚に至る量産加工のみならず、テクニカルトランスファー(CMPプロセス移管)も行っている。