化合物半導体エピタキシャル InP基板上にカスタム構造のMBE / MOCVDエピタキシャル成長を提供します。
2インチから4インチまでのInP基板にカスタム構造のMOCVDエピタキシャル成長を提供しています。 エピタキシャル構造設計、エピタキシャル材料、テスト分析など企業、大学、科学研究機関にInPエピタキシャル基板の全面的なサービスを提供しています。
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基本情報
◆FP レーザー 波長範囲(~1310nm; ~1550nm；~1900nm) ◆DFB レーザー 波長範囲(1270~1630nm) ◆アバランシェフォトディテクター(APD) 波長範囲(1250~1600nm) ◆フォトディテクター(PD) 波長範囲(1250nm~1600nm) >2.0um (InGaAS吸収層)；<1.4μm (InGaAsP吸収層)
価格帯
納期
用途／実績例
◆FP レーザー ◆DFB レーザー ◆アバランシェフォトディテクター(APD) ◆フォトディテクター(PD)
企業情報
ロシア、韓国、中国の半導体の商品を紹介しています。
