InP Based Epi Wafer

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最終更新日：2020年07月17日

公式サイト

化合物半導体エピタキシャル InP基板上にカスタム構造のMBE / MOCVDエピタキシャル成長を提供します。

2インチから4インチまでのInP基板にカスタム構造のMOCVDエピタキシャル成長を提供しています。エピタキシャル構造設計、エピタキシャル材料、テスト分析など企業、大学、科学研究機関にInPエピタキシャル基板の全面的なサービスを提供しています。

関連リンク - http://www.glory-g.co.jp/index.php?case=archive&ac…

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基本情報

◆FP レーザー波長範囲(~1310nm; ~1550nm；~1900nm) ◆DFB レーザー波長範囲(1270~1630nm) ◆アバランシェフォトディテクター(APD) 波長範囲(1250~1600nm) ◆フォトディテクター(PD) 波長範囲(1250nm~1600nm) >2.0um (InGaAS吸収層)；<1.4μm (InGaAsP吸収層)