半導体基板の製造方法の技術分野などに！結晶品質が良好なHT-半導体層を得ることができます
当発明は、ベース基板上に結晶品質が良好な半導体層を得ることを 目的としています。 ベース基板の表面を被覆する薄膜に形成された多数の開口から、 露出したベース基板の表面から相対的に低温で半導体を堆積させて、 薄膜上にLT-半導体層を形成。 その後、LT-半導体層から相対的に高温で半導体を結晶成長させて、 LT-半導体層上にHT-半導体層を形成することにより、ベース基板上に 結晶品質が良好なHT-半導体層を得ることができます。 【解決ポイント】 (1)半導体基板の製造方法では、ベース基板11の表面を、 多数の開口が形成された薄膜12で被覆 (2)薄膜12の多数の開口から露出したベース基板11の表面から相対的に 低温で半導体を堆積させて、薄膜上にLT-半導体層13を形成 (3)LT-半導体層13から相対的に高温で半導体を結晶成長させて LT-半導体層13上にHT-半導体層14を形成 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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【用途】 ■半導体基板の製造方法の技術分野 ■高品質の半導体発光・電子デバイス装置の製造 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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企業情報
有限会社山口ティー・エル・オーは大学等技術移転促進法に基づき、文部科学省、経済産業省により承認されたTLOで、法人化前の平成11年11月に山口大学の教員50名の出資（資本金400万円）により設立された、リエゾン（人と人との橋渡し）一体型の技術移転組織です。 大学での研究成果を技術移転等の形で社会に還元します。 また、会員企業を募って発明情報などを優先的に開示し、これらを通して地域経済への発展にも貢献すべく活動しています。