最高900℃の高温プロセスが可能！エピタキシャル促進機構により単結晶成膜に適した製品です。
『Epitaxial-EB蒸着装置』は、エピタキシャル促進機構により金属膜や酸化膜の単結晶成膜に適した製品です。 基板回転による優れた膜厚分布および再現性を実現させ、またチャンバの メンテナンスが容易。 リフトオフプロセスにも対応しており、適切な表面処理によりパーティクル 低減させます。 マルチチャンバ仕様やバッチ式も製作可能です。 【特長】 ■酸化促進ガス導入機構 ■材料酸化防止機構 ■最高900℃ の高温プロセスが可能 ■ロードロック式による高真空プロセスに対応 ■リフトオフプロセスにも対応 ■トレイ搬送にも対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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基本情報
【仕様】 ■基板サイズ：最大φ12インチ ■基板加熱温度：700℃（基板表面） ■蒸着材料：金属または酸化物 ■真空排気：CP+DP ■膜厚コントロール：水晶式膜厚センサ ■制御操作 ・制御：PLC ・操作：タッチパネルまたはPC ■データロギング：外部メモリまたはPC ■基板搬送：真空搬送ロボット ■オプション：基板加熱900℃（基板表面）、基板冷却、基板バイアス、基板回転 抵抗加熱蒸発源（最大6台）、反応ガス供給ユニットなど ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
価格帯
納期
用途／実績例
【用途】 ■LED素子 ■電子部品 ■光学部品 ■MEMS ■パワーデバイス ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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企業情報
ジャパンクリエイトは、多様化する半導体産業に高精度化・省力化・微細化に対応すべく最先端技術にチャレンジして参りました。 私たちは、ハイテクノロジーに無限の可能性を求めて、ユーザーのニーズにマッチした確かなノウハウを独自性で創造します。 自らハイレベルな技術を目指して歩み続けます。