単結晶TMDまたはヘテロ接合TMDを位置制御して合成します
遷移金属ダイカルコゲナイド（TMD）は、原子オーダーの厚みを持つ 原子層物質で、可視光領域にバンドギャップを持ち半導体特性を有します。 TMDを各種デバイスに適用するためには、合成位置の制御が必要不可欠 となりますが、従来の合成方法では合成位置の制御ができないという課題が ありました。 本発明は、上記課題を解決し、微小凸部を成長核として、単結晶TMDまたは ヘテロ接合TMDを位置制御して合成でき、さらにサイズのばらつきを抑えられる 単結晶TMDの合成方法を提供することが可能となりました。 【特長】 ■サイズのばらつきを抑え、単結晶の合成が可能 ■単結晶TMDまたはヘテロ接合TMDを位置制御して合成 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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