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プローブに原子を採用した表面分析装置(CAICISSの発展版)

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最終更新日:2022年07月04日

株式会社パスカル
株式会社パスカル
  • 公式サイト

結晶方位・極製は15分で一目瞭然!帯電の影響がなく安定した表面分析が可能!飛行時間型原子散乱表面分析装置【依頼分析賜ります!】

『TOFLAS-3000』は、金属、半導体、絶縁体などの固体表面の結晶構造および 元素分析を同時に行うことができる原子散乱表面分析装置です。 本装置は同軸型直衝突イオン散乱分光法(CAICISS)を発展させ、電気的に中性なHe(Ne、Ar)等の原子ビームを探査プローブとして用いている為、絶縁体でも帯電の影響がなく安定した表面分析が可能です。 結晶表面構造解析では、入射角の全方位スキャンの実施により結晶表面に固有のパターンが得られ、表面構造の判定を視覚的に容易に行うことができます。 【特長】 ■結晶方位や対称性あるいは極性結晶の表裏などが視覚化される  ※ウルツ鉱構造の結晶(GaNやAlN等)の表裏判別も容易 ■表面近傍の層毎の元素分析と結晶構造解析が簡単  ※極薄膜の解析も可能 ■極点図シミュレーションと同期させれば、“見て来た様に”操作できる ■絶縁体試料や有機分子膜などの配向決定等にも問題なし ■SIMSの同時計測により、不純物の高感度評価(TOFスペクトルと相補的) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 ※依頼分析も賜っております。

    半導体検査/試験装置分析機器・装置
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プローブに原子を採用した表面分析装置(CAICISSの発展版)

IPROS7635611929439616845.png
IPROS7635611929439616845.png
  • 関連リンク - http://www.pascal-co-ltd.co.jp/product/sasiss_tofl…

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【分析種類】 ■元素分析 ■成長方位判別 ■超薄膜評価 ■極性判別 ■結晶構造評価 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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用途/実績例

【表面構造評価事例】 ■GaN及びAlN薄膜の結晶構造の判別(ウルツ鉱構造の表裏判別等) ■SCAM(ScAlMgO4)(001)の最表面構造の極点図による評価 ■LSAT(100)の各元素の見え方と入射方位の関係 ■「螺旋構造」を有する結晶(SiO2)の表面原子配列 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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飛行時間型原子散乱表面分析装置『TOFLAS-3000』

飛行時間型原子散乱表面分析装置『TOFLAS-3000』

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株式会社パスカルでは、PLD /レーザーMBE装置をはじめとする真空装置、 原子散乱分光法などの表面分析装置、極低温冷凍機システム、アジレント (バリアン)の真空ポンプなど、研究開発に有用なさまざまな実験装置を 取り扱っております。 真空機器・装置、理化学機器・装置においてグローバルな視野を持ち、 常に時代の先を見つめ、新しい技術と商品ニーズを先取りし、ユーザー様の 役に立つ製品を提供し続けてまいります。

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