STEM-EDS観察は半導体のPoly-Si(ポリシリコン)間の絶縁膜形状や層構造を確認でき半導体の不具合原因究明に応用できます
STEM(走査型透過電子顕微鏡 )とEDS(エネルギー分散型Ｘ線分析装置)では細く絞った電子線を試料上で走査することで、試料の組成に関する情報（原子番号を反映したコントラスト像）が取得できます。 加えて以下の特長もあります。 ・電子線の入射角度を変えることで、回折コントラストの変化を観察 ・観察対象が結晶質であるかの判断 ・結晶内にある結晶欠陥（転位、双晶等）の情報の獲得 本事例では 「STEM-EDSによる半導体絶縁膜評価」 を紹介しています。 本事例は問題なしの結果でしたが、異常検出も可能です。 ぜひPDF資料をご一読ください。 また、弊社では本STEMに加えFIBとの併用で、試料のある領域に対して3D構築を行う不良個所特定も得意としております。 実際に紹介いたしますのでお気軽にお声がけいただければ幸いです。 セイコーフューチャークリエーション 公式HP https://www.seiko-sfc.co.jp/ ※その他の資料もあります。問い合わせボタンからご用命いただければ送付いたします。
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基本情報
●STEM観察によりPoly-Siおよび絶縁膜の形状に異常が無いことが確認可能 ●EDS分析によりPoly-Si間の絶縁膜(Si酸化膜-Si窒化膜-Si酸化膜)の層構造も問題ないことが確認可能 ★詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください
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セイコーフューチャークリエーション株式会社は受託分析サービス、研究開発、生産技術、FAシステムを中核とした事業を行い、お客様の課題解決に向けた各種サービスを提供します 受託分析に関しては セイコーグループの開発、製造、品質保証の各工程での課題解決実績 があり、各種場面で背景まで想定し総合的な対応が可能です 時計やICを主としてプリンター関連などでの豊富な分析経験実績からミリオーダー～ナノオーダーサイズサンプルを取り扱えます 特に以下技術でお客様の課題解決に”多面的且つ総合的”に取り組みます ・集束イオンビーム装置（FIB）を使った微細加工 ・示差走査熱量計（DSC）他による材料性質の熱分析 ・走査型プローブ顕微鏡（AFM）他による微小部形態観察 ・各種装置（XPS、AES、GD-OES）による表面解析 ・各種装置（SEM、TEM）による断面観察、構造解析 技術者が直接相談対応いたします お困りごとがあればお気軽にお声がけいただければ幸いです ※セイコーフューチャークリエーション株式会社は2022年7月1日にセイコーアイ・テクノリサーチ株式会社から社名を変更しました