ラッピング(粗研磨)からポリッシングまでこれ1台 GaAsやInPといった化合物半導体の精密研磨も対応可能
ラッピング(粗研磨)からポリッシングまで対応しており、ラッピングプレート自体の面形状を0.1μm分解能でモニター＆自動修正を行います。 研磨治具が装置本体と通信し、研磨レートのチャート表示や目標研磨量の設定、マルチレシピの設定などが出来ます。 また、GaAsやInPといった化合物半導体のCMPに対応した薬品モデルもご用意しており、高精度、高速、ダメージレスのCMPも一台で全て行うことが出来ます。（ディレイヤリングも可）
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基本情報
【PM6】 電源：110V, 50/60Hz 冶具タイプ：PP5(x1), PP6(x1) プレート回転：5 – 100rpm プレートサイズ：300mm 高さ：915mm（排気ポート含むと965mm） 奥行：720mm 幅：802mm プレート平坦度モニター：0.1um分解能 【LP70】 電源：110V, 50/60Hz 冶具タイプ：PP5(x1~4)、PP6(x1~4)、PP8(x1~2) プレート回転：5 – 100rpm プレートサイズ：400mm 高さ：1000mm 奥行：730mm 幅：950mm プレート平坦度モニター：0.1um分解能
価格帯
納期
用途／実績例
【アプリケーション】 ・半導体関連(Si、SiC、GaN、サファイア etc..) ・岩石/地質標本の作製 ・光学部品 ・セラミックス ・ICパッケージ etc... 【GaAs、InPウエハー】 次亜塩素酸ナトリウムベースのポリッシング液を使い高精度なCMPを行います。 研磨後は鏡面状態となり、表面が曇るようなことはございません。またZ方向のマイクロクラックも完全に除去できます。 標準的なRa:1~2nm、標準的なTTV:1~2um(2~3インチウエハー) 【InPウエハーの薄化】 脆い材料であってもダメージレスで均一に薄化することができます。 ※4インチのInPウエハーを10um厚まで薄化に成功 また、硬いSiCチップも200nm厚以下まで薄化した実績もあります。 【故障解析用途(ディレイヤリング)】 ナノオーダーで研磨量を制御しますので、数百nm厚の配線を一層ずつ均一に露出することができます。 近年では故障解析の用途で販売台数を伸ばしており、多くの国内半導体メーカーに採用されております。
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